公开(公告)号：CN1964077B

公开(公告)日：2014-05-07

申请号：CN200610163017.4

申请日：2003-07-23

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 山岸康男 ,  盐贺健司 ,  约翰·D.·班尼基 ,  栗原和明

IPC: H01L29/92 ,  H01L25/00 ,  H01L21/02 ,  H01G4/00

CPC classification number: G01R1/07378 ,  G01R31/2886 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2224/05599

Abstract: 本发明公开一种电容器及其制造方法和包含该电容器的半导体器件。其中，所述电容器包括：介电膜；形成在所述介电膜的第一主表面上的第一电极膜；形成在所述介电膜的第二主表面上的第二电极膜；从所述第一电极膜延伸到由所述介电膜和所述第一和第二电极膜所形成的叠层结构的第一侧面的第一互连部分；以及从所述第二电极膜延伸到所述第一侧面的第二互连部分，形成在所述叠层结构的第二侧面上的树脂层。

公开(公告)号：CN100423254C

公开(公告)日：2008-10-01

申请号：CN200510125088.0

申请日：2005-11-18

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 栗原和明 ,  盐贺健司 ,  约翰·D·巴尼基

IPC: H01L23/50 ,  H01L23/12 ,  H01L25/04 ,  H01L21/60 ,  H05K1/16

CPC classification number: H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19106

Abstract: 本发明公开一种半导体器件及其制造方法与电容器结构及其制造方法。该半导体器件包括转接板和半导体芯片。转接板包括：Si衬底；多个通路，通过绝缘材料在穿过Si衬底的相应通孔中设置；薄膜电容器，设置于Si衬底的第一主表面上，以使其电连接至通路；以及多个外部连接端子，设置于Si衬底的第二主表面上，以使其电连接至通路。第二主表面背对第一主表面。半导体芯片设置于第一主表面或第二主表面上，以使其电连接至通路。其中Si衬底的厚度小于通孔的直径。由此，可提供可高频运行及可低成本制造的半导体器件。

公开(公告)号：CN1290170C

公开(公告)日：2006-12-13

申请号：CN03133111.4

申请日：2003-07-23

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 山岸康男 ,  盐贺健司 ,  约翰·D.·班尼基 ,  栗原和明

IPC: H01L21/66 ,  G01R1/073 ,  G01R31/26 ,  G01R31/28 ,  H01G4/00 ,  H01L25/16

CPC classification number: G01R1/07378 ,  G01R31/2886 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2224/05599

Abstract: 一种探针板包括：探针；具有多层互连结构的叠加互连层，在其上表面上携带该探针，与所述多层互连结构电连接；以及位于该叠加互连层上通过多层互连结构与该探针板之一电连接的电容器，其中该多层互连结构包括在该探针附近的一个内部通孔接头，并且该电容器被嵌入在构成该叠加层的树脂绝缘层中。

公开(公告)号：CN1766683A

公开(公告)日：2006-05-03

申请号：CN200510059025.X

申请日：2005-03-24

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 青木刚 ,  近藤正雄 ,  栗原和明

IPC: G02B6/10 ,  G02F1/29

CPC classification number: G02F1/313 ,  B82Y20/00 ,  G02B6/1225 ,  G02B6/3546 ,  G02F2202/32

Abstract: 一种光偏转元件被成形以包括：设置在光波导上的棱镜电极；第一光子晶体结构，在光传播方向上棱镜电极的前方、在光通过棱镜电极之后的位置上设置；控制电极，经由第一光子晶体结构上的光波导而面对对电极层设置；以及第二光子晶体结构，平行于光传播方向在棱镜电极的侧向设置。

公开(公告)号：CN1412744A

公开(公告)日：2003-04-23

申请号：CN02107505.0

申请日：2002-03-14

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 三田刚 ,  肥田胜春 ,  栗原和明

IPC: G11B5/58 ,  G11B5/596 ,  G11B21/10

CPC classification number: G11B5/5552

Abstract: 压电致动器设备包括一对加长压电致动器。当没有电信号被提供于压电致动器设备时，加长压电致动器建立磁头滑动器的标准姿态。当电信号被施加于压电致动器设备时，顶端被朝加长压电致动器的底端回拉。压电致动器设备产生用于驱动磁头滑动器从标准姿态仅沿预定方向围绕旋转轴旋转的力偶。与磁头滑动器基于摆动而移动的情形相比，旋转时磁头滑动器中的惯性力矩能被减少。由磁头滑动器和压电致动器设备组成的振动系统中的自然频率能被提高。电信号或伺服信号的频率能被在更宽频率范围内设置。

公开(公告)号：CN1028772C

公开(公告)日：1995-06-07

申请号：CN88101737

申请日：1988-04-02

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 栗原和明 ,  佐佐木谦一 ,  河原田元信 ,  越野长明

IPC: C23C16/26 ,  C23C16/50

Abstract: 汽相淀积金刚石的方法：在热等离子体化学汽相淀积装置的阴阳极之间通入放电气的同时进行电弧放电；通过向形成的等离子流中加入气态碳化物使气态碳化合物自由基化；以及使所述的自由基化的等离子流碰撞待处理的基片，从而在所述基片上形成一层金刚石膜。