公开(公告)号：CN1137688A

公开(公告)日：1996-12-11

申请号：CN96105106.X

申请日：1996-04-18

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 今西健治

IPC: H01L29/12 ,  H01L29/72 ,  H01L29/80 ,  H01L21/331 ,  H01L21/22 ,  H01L21/24

CPC classification number: H01L29/66318 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/02461 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02543 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/205 ,  H01L29/7371 ,  H01L29/7783

Abstract: 一种制作半导体器件的方法包括用MOVPE工艺沉积具有第一导电类型的第一化合物半导体层(14，25)的步骤、采用由于气体掺杂剂的分解实施的平面掺杂工艺使第一化合物半导体层(15，16)的表面掺杂成同样的第一导电类型，这样在平面掺杂工艺期间不出现第一化合物半导体层的明显生长以及在第一化合物半导体晶层的掺杂表面上用MOVPE工艺沉积第一导电类型的第二化合物半导体层(16，27)。

公开(公告)号：CN103035696B

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：CN201210264652.7

申请日：2012-07-27

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 宫岛丰生 ,  今西健治 ,  山田敦史 ,  中村哲一

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/045 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787

Abstract: 本发明公开了一种化合物半导体器件和用于制造化合物半导体器件的方法。在Si衬底上形成化合物半导体多层结构。化合物半导体多层结构包括电子传输层、形成在电子传输层上方的电子供给层、以及形成在电子供给层上方的覆盖层。覆盖层包含在与电子传输层和电子供给层相同的方向上自发极化的第一晶体和在与电子传输层和电子供给层的自发极化方向相反的方向上自发极化的第二晶体，以及覆盖层包含p型掺杂剂。

公开(公告)号：CN103367425A

公开(公告)日：2013-10-23

申请号：CN201310100371.2

申请日：2013-03-26

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 今西健治

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/778 ,  H01L23/49562 ,  H01L29/10 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明涉及化合物半导体器件及其制造方法。在化合物半导体器件的实施方案中，所述化合物半导体器件包括：衬底；形成在衬底之上的电子传输层和电子供给层；形成在电子供给层之上的栅电极、源电极和漏电极；形成在电子供给层和栅电极之间的p型半导体层；以及形成在电子供给层和p型半导体层之间的空穴消除层，空穴消除层包含施主或复合中心并且消除空穴。

公开(公告)号：CN103035696A

公开(公告)日：2013-04-10

申请号：CN201210264652.7

申请日：2012-07-27

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 宫岛丰生 ,  今西健治 ,  山田敦史 ,  中村哲一

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/045 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787

Abstract: 本发明公开了一种化合物半导体器件和用于制造化合物半导体器件的方法。在Si衬底上形成化合物半导体多层结构。化合物半导体多层结构包括电子传输层、形成在电子传输层上方的电子供给层、以及形成在电子供给层上方的覆盖层。覆盖层包含在与电子传输层和电子供给层相同的方向上极化的第一晶体和在与电子传输层和电子供给层的极化方向相反的方向上极化的第二晶体。

公开(公告)号：CN101276792B

公开(公告)日：2013-03-13

申请号：CN200810090314.X

申请日：2008-03-28

Applicant: 富士通株式会社 ,  日立电线株式会社

Inventor： 今西健治 ,  吉川俊英 ,  田中丈士 ,  守谷美彦 ,  乙木洋平

IPC: H01L23/00 ,  H01L29/778 ,  H01L21/20 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L21/02581 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262

Abstract: 本发明提供一种半导体外延衬底、化合物半导体器件及其制造方法。其中该半导体外延衬底包括：单晶衬底；AlN层，在所述单晶衬底上外延生长；以及氮化物半导体层，在所述AlN层上外延生长，其中，所述AlN层和所述氮化物半导体层之间的界面的粗糙度比所述单晶衬底和所述AlN层之间的界面的粗糙度大。AlN层上表面的斜度为正值。本发明能够快速恢复漏极电流。

公开(公告)号：CN102832231A

公开(公告)日：2012-12-19

申请号：CN201210200070.2

申请日：2012-06-14

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 今西健治

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/20 ,  H01L29/778 ,  H01L21/335 ,  H02M5/458 ,  H03F3/189

CPC classification number: H03F1/3247 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787 ,  H02M3/33592 ,  H03F2200/204 ,  H03F2200/541 ,  Y02B70/1475

Abstract: 一种包括衬底和化合物半导体多层结构的化合物半导体器件，该化合物半导体多层结构形成在衬底上并且包含含有第III族元素的化合物半导体，其中所述化合物半导体多层结构具有10μm或更小的厚度，并且铝原子的百分比为第III族元素的原子数的50％或更多。

公开(公告)号：CN102569378A

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201110402804.0

申请日：2011-12-02

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 清水早苗 ,  今西健治 ,  山田敦史 ,  宫岛豊生

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/201 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/0254 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462

Abstract: 一种化合物半导体器件及其制造方法，该器件包括：衬底；电子渡越层，形成在衬底的上方；电子供应层，形成在电子渡越层的上方；以及缓冲层，形成在衬底与电子渡越层之间且包括AlxGa1-xN(0≤x≤1)，其中，x值表示沿缓冲层的厚度方向的多个最大值和多个最小值，并且在缓冲层中具有1nm厚度的任何区域中x的变化为0.5或更小。本发明具有良好的结晶度。

公开(公告)号：CN102386213A

公开(公告)日：2012-03-21

申请号：CN201110223629.9

申请日：2011-08-01

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 远藤浩 ,  今田忠纮 ,  今西健治 ,  吉川俊英

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/778 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L21/30612 ,  H01L21/30621 ,  H01L21/8252 ,  H01L27/0605 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66462

Abstract: 一种半导体器件，包括：GaN电子传输层，设置在衬底上方；第一AlGaN电子供应层，设置在所述GaN电子传输层上方；AlN电子供应层，设置在所述第一AlGaN电子供应层上方；第二AlGaN电子供应层，设置在所述AlN电子供应层上方；栅极凹槽，设置在所述第二AlGaN电子供应层和所述AlN电子供应层中；以及栅极，设置在所述栅极凹槽上方。

公开(公告)号：CN101794815A

公开(公告)日：2010-08-04

申请号：CN201010111011.9

申请日：2010-02-02

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 吉川俊英 ,  今西健治

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/7783 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787

Abstract: 本发明提供了一种化合物半导体器件及其制造方法，该化合物半导体器件具有：衬底；形成在衬底上方的AlN层；形成在AlN层上方并且在电子亲和力方面大于AlN层的AlGaN层；形成在该AlGaN层上方并且在电子亲和力方面小于该AlGaN层的另一个AlGaN层。此外，还提供了形成在后一个AlGaN层上方的i-GaN层以及形成在i-GaN层上方的i-AlGaN层和n-AlGaN层。

公开(公告)号：CN101276792A

公开(公告)日：2008-10-01

申请号：CN200810090314.X

申请日：2008-03-28

Applicant: 富士通株式会社 ,  日立电线株式会社

Inventor： 今西健治 ,  吉川俊英 ,  田中丈士 ,  守谷美彦 ,  乙木洋平

IPC: H01L23/00 ,  H01L29/778 ,  H01L21/20 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L21/02581 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262

Abstract: 本发明提供一种半导体外延衬底、化合物半导体器件及其制造方法。其中该半导体外延衬底包括：单晶衬底；AlN层，在所述单晶衬底上外延生长；以及氮化物半导体层，在所述AlN层上外延生长，其中，所述AlN层和所述氮化物半导体层之间的界面的粗糙度比所述单晶衬底和所述AlN层之间的界面的粗糙度大。AlN层上表面的斜度为正值。本发明能够快速恢复漏极电流。