公开(公告)号：CN107750392B

公开(公告)日：2020-04-28

申请号：CN201680036701.8

申请日：2016-05-27

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 河野宪司 ,  田边广光

IPC: H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H02M7/48

Abstract: 提供一种半导体芯片。半导体芯片具备：开关元件(11a～16a)，具有栅极电极；第1控制焊盘(71)，与上述栅极电极电连接，被施加控制上述开关元件的接通、断开的电压；以及第2控制焊盘(72)，在上述开关元件接通时，在与上述第1控制焊盘之间构成供控制电流流过的电流路径，上述第1控制焊盘以及上述第2控制焊盘中的某一方的控制焊盘被配置成被另一方的控制焊盘夹着。

公开(公告)号：CN110945633A

公开(公告)日：2020-03-31

申请号：CN201880048878.9

申请日：2018-07-26

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 河野宪司

IPC: H01L21/337 ,  H01L21/338 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812

Abstract: 具备：第1导电型的漂移层(13)；第1导电型的沟道层(14)，配置在漂移层(13)上；第1导电型的源极层(15)，形成在沟道层(14)的表层部；第2导电型的栅极层(16)，形成在沟道层(15)；第2导电型的体层(17)，形成在沟道层(15)；漏极层(11)，隔着漂移层(13)而配置在与源极层(15)相反的一侧；栅极布线(19)，与栅极层(16)电连接；第1电极(21)，与源极层(15)及体层(17)电连接；以及第2电极(22)，与漏极层(11)电连接。并且，在体层(17)的底部侧，与栅极层(16)的底部侧相比，使电场强度更高。

公开(公告)号：CN109478563A

公开(公告)日：2019-03-15

申请号：CN201780044650.8

申请日：2017-06-29

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 河野宪司

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/78

Abstract: 半导体装置具备多个开关元件、和半导体基板。多个开关元件并联地连接而被驱动，多个开关元件形成于半导体基板。在半导体基板的平面视图下，多个开关元件分别具有：单元区域(111)，形成有被施加栅极电压的有源沟槽栅极(G1)，作为IGBT发挥功能；外周区域(112)，形成芯片外形；以及非单元区域(113)，形成为将单元区域和外周区域分离，设置有对向单元区域的电连接进行中继的焊盘(114)。在半导体基板的平面视图下，有源沟槽栅极在非单元区域中还形成在不与焊盘重叠的位置。

公开(公告)号：CN105359269B

公开(公告)日：2017-12-01

申请号：CN201480037844.1

申请日：2014-06-16

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 河野宪司

IPC: H01L25/07 ,  H01L25/18

CPC classification number: H01L24/49 ,  H01L23/4334 ,  H01L23/4952 ,  H01L23/49524 ,  H01L23/49537 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49568 ,  H01L23/49575 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/37599 ,  H01L2224/45014 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2224/4917 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/73215 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/8485 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207 ,  H01L2224/45099

Abstract: 半导体装置具备：具有开关元件和与所述开关元件电连接的多个焊盘(P)的半导体芯片(10、70、75、100a～100f)、以及与所述多个焊盘分别电连接的多个引线端子。所述多个引线端子具有用于控制所述开关元件的导通断开的控制端子(T1)、以及在开关元件处于导通状态下主电流流动的主端子(T2)。由流入所述控制端子的控制电流的电流路径中的寄生电感Lg、所述主电流的电流路径中的寄生电感Lo、以及这些电感所致的互感Ms规定的耦合系数k处于‑3％≤k≤2％的范围。

公开(公告)号：CN105359269A

公开(公告)日：2016-02-24

申请号：CN201480037844.1

申请日：2014-06-16

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 河野宪司

IPC: H01L25/07 ,  H01L25/18

CPC classification number: H01L24/49 ,  H01L23/4334 ,  H01L23/4952 ,  H01L23/49524 ,  H01L23/49537 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49568 ,  H01L23/49575 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/37599 ,  H01L2224/45014 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2224/4917 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/73215 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/8485 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207 ,  H01L2224/45099

Abstract: 半导体装置具备：具有开关元件和与所述开关元件电连接的多个焊盘(P)的半导体芯片(10、70、75、100a～100f)、以及与所述多个焊盘分别电连接的多个引线端子。所述多个引线端子具有用于控制所述开关元件的导通断开的控制端子(T1)、以及在开关元件处于导通状态下主电流流动的主端子(T2)。由流入所述控制端子的控制电流的电流路径中的寄生电感Lg、所述主电流的电流路径中的寄生电感Lo、以及这些电感所致的互感Ms规定的耦合系数k处于-3％≤k≤2％的范围。

公开(公告)号：CN102479788B

公开(公告)日：2014-09-10

申请号：CN201110380839.9

申请日：2011-11-25

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 河野宪司 ,  田边广光 ,  都筑幸夫

IPC: H01L27/02 ,  H01L27/04 ,  H01L29/861

CPC classification number: H01L29/7397 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/8611

Abstract: 一种半导体器件，包括半导体衬底(101，210，301，401)，其具有第一表面和第二表面。所述半导体衬底具有元件区(30，330，430)，所述元件区(30，330，430)包括IGBT区(Xi)和邻近所述IGBT区设置的二极管区(Xf)。在所述IGBT区中形成IGBT元件(100)。在所述二极管区中形成二极管元件(20)。第一导电类型的重掺杂区(40，208，340，440)位于所述元件区周围的所述第一表面侧上。第一导电类型的吸收区(22，222，322，422，522)位于所述元件区周围的所述第二表面侧上。第二导电类型的第三半导体区(523)位于所述元件区周围的所述第二表面侧上。

公开(公告)号：CN102867846A

公开(公告)日：2013-01-09

申请号：CN201210230031.7

申请日：2012-07-04

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 都筑幸夫 ,  河野宪司 ,  田边广光

IPC: H01L29/36 ,  H01L29/739

CPC classification number: H01L29/7397 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/32 ,  H01L29/36 ,  H01L29/861

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件，该半导体器件具有第一导电类型半导体衬底（10）、第二导电类型沟道区（13）和第二导电类型减薄区（18）。邻近于半导体衬底（10）的衬底表面（10a）形成沟道区（13）和减薄区（18）。此外，空穴阻挡层（19）形成在每个减薄区（18）中，以将减薄区（18）划分为邻近于衬底表面（10a）的第一部分（18a）和邻近于减薄区（18）的底部的第二部分（18b）。空穴阻挡层（19）的面密度小于或等于4.0×1012cm-2，以使得耗尽层能够穿通空穴阻挡层（19），由此限制击穿特性降低。

公开(公告)号：CN101322248B

公开(公告)日：2010-09-29

申请号：CN200780000474.4

申请日：2007-03-20

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 户仓规仁 ,  都筑幸夫 ,  河野宪司

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/336 ,  H01L27/04 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7395 ,  H01L27/0664 ,  H01L29/861

Abstract: 一种半导体器件包括：半导体衬底；IGBT单元；以及二极管单元。所述衬底包括第一表面上的第一层、相邻地设置在衬底的第二表面上的第二和第三层、以及夹在第一层与第二和第三层之间的第四层。第一层提供IGBT单元和二极管单元的漂移层。第二层提供IGBT单元的集电极层。第三层提供二极管单元的一个电极连接层。第一层的电阻率ρ1和厚度L1、第四层的电阻率ρ2和厚度L2、以及衬底平面上的第二层的最小宽度的一半W2具有如下关系：(ρ1/ρ2)×(L1.L2/W22)＜1.6。

公开(公告)号：CN101794778A

公开(公告)日：2010-08-04

申请号：CN201010104031.3

申请日：2010-01-27

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 田边广光 ,  河野宪司 ,  都筑幸夫 ,  天野伸治

IPC: H01L27/06

CPC classification number: H01L29/0834 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/861 ,  H01L2924/0002 ,  H03K2217/0027 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体器件包括具有第一表面(10a)和第二表面(10b)的半导体衬底(10)。主区域(11)和感测区域(13)形成于所述半导体衬底(10)的所述第一表面侧上。RC-IGBT形成于所述主区域(11)中，且用于传输与流经所述RC-IGBT的电流成比例的电流的感测元件(32)形成于所述感测区域(13)中。所述感测元件(32)的集电极区(24)和阴极区(25，27)形成于所述半导体衬底(10)的所述第二表面侧上。所述集电极区(24)在所述半导体衬底(10)的厚度方向上位于所述感测区域(13)的正下方。所述阴极区(25，27)在所述厚度方向上不是位于所述感测区域(13)的正下方。

公开(公告)号：CN101393914A

公开(公告)日：2009-03-25

申请号：CN200810149208.4

申请日：2008-09-17

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 都筑幸夫 ,  河野宪司

IPC: H01L27/06

CPC classification number: H01L27/0676 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/872

Abstract: 一种半导体器件，包括：半导体衬底(10、11)，其包括第一导电类型层(11)；多个IGBT区(1)，每个IGBT区(1)提供一个IGBT元件；以及多个二极管区(2)，每个二极管区(2)提供一个二极管元件。所述多个IGBT区和所述多个二极管区交替布置在所述衬底中。每个二极管区都包括具有第二导电类型的肖特基接触区(24)。所述肖特基接触区用于回收来自所述第一导电类型层的少数载流子。所述肖特基接触区设置在所述第一导体类型层的第一表面部分中，并且邻近所述IGBT区。