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公开(公告)号：CN114459670B
公开(公告)日：2022-06-17
申请号：CN202210380028.7
申请日：2022-04-12
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请涉及半导体领域，具体而言，涉及一种电容薄膜真空计,其包括：壳体，所述壳体具有一容置腔；弹性膜片，所述弹性膜片将所述容置腔分隔为测量室和参考腔；连接口，所述连接口与所述测量室连通；固定基板，所述固定基板设在所述参考腔中，所述固定基板与所述弹性膜片平行，且在靠近所述弹性膜片一侧设有固定电极；感应膜片，所述感应膜片平行地设置在所述固定电极和所述弹性膜片之间，并通过支架与所述弹性膜片连接；所述支架可在所述弹性膜片变形时带动所述感应膜片靠近或远离所述固定电极移动；从而有效提高电容薄膜真空计的精确度和灵敏度。
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公开(公告)号：CN114323363B
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202210251301.6
申请日：2022-03-15
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请属于压力传感器技术领域，公开了一种电容式真空压力传感器，包括具有容置腔的壳体，还包括感压膜片及固定电极，感压膜片与固定电极均为圆筒形状，感压膜片设置在容置腔内，感压膜片的两端分别连接容置腔的顶部和底部，感压膜片将容置腔分为测量腔及参考腔，固定电极设置在参考腔内，固定电极与感压膜片组成可变电容器。本申请的电容式真空压力传感器将感压膜片和固定电极均设计为圆筒形状，与现有技术中同等体积的电容薄膜真空计相比，基础电容值得到增大，有效提高了电容式真空压力传感器的灵敏度和精度，降低了电容信号的处理难度。
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公开(公告)号：CN114459670A
公开(公告)日：2022-05-10
申请号：CN202210380028.7
申请日：2022-04-12
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请涉及半导体领域，具体而言，涉及一种电容薄膜真空计,其包括：壳体，所述壳体具有一容置腔；弹性膜片，所述弹性膜片将所述容置腔分隔为测量室和参考腔；连接口，所述连接口与所述测量室连通；固定基板，所述固定基板设在所述参考腔中，所述固定基板与所述弹性膜片平行，且在靠近所述弹性膜片一侧设有固定电极；感应膜片，所述感应膜片平行地设置在所述固定电极和所述弹性膜片之间，并通过支架与所述弹性膜片连接；所述支架可在所述弹性膜片变形时带动所述感应膜片靠近或远离所述固定电极移动；从而有效提高电容薄膜真空计的精确度和灵敏度。
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公开(公告)号：CN114323363A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202210251301.6
申请日：2022-03-15
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请属于压力传感器技术领域，公开了一种电容式真空压力传感器，包括具有容置腔的壳体，还包括感压膜片及固定电极，感压膜片与固定电极均为圆筒形状，感压膜片设置在容置腔内，感压膜片的两端分别连接容置腔的顶部和底部，感压膜片将容置腔分为测量腔及参考腔，固定电极设置在参考腔内，固定电极与感压膜片组成可变电容器。本申请的电容式真空压力传感器将感压膜片和固定电极均设计为圆筒形状，与现有技术中同等体积的电容薄膜真空计相比，基础电容值得到增大，有效提高了电容式真空压力传感器的灵敏度和精度，降低了电容信号的处理难度。
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公开(公告)号：CN111074342B
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN201911379924.6
申请日：2019-12-27
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明提供了一种利用碳化硅外延生长设备制备载盘涂层的方法，包括步骤：A.把石墨载盘放入碳化硅外延生长设备的外延生长室；B.把石墨载盘升温至第一预设温度，保持外延生长室压力为第一预设压力，以氢气为载气通入硅源和碳源，使之在石墨载盘上发生化合反应并沉积形成SiC涂层；第一预设温度为1550℃～1750℃，第一预设压力为150托～250托；C.保持通入氢气并关闭硅源和碳源，将温度降低至第二预设温度，该第二预设温度为600℃～800℃；D.重复预设次数的步骤B、C；E.将温度降至第二预设温度以下时关闭氢气，继续降温至室温；F.取出石墨载盘。该方法可降低涂层的制备成本并提高石墨载盘的使用寿命。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111166160A
公开(公告)日：2020-05-19
申请号：CN201911382858.8
申请日：2019-12-27
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明公开了一种新型加热与自降温烹饪器具，第一热电制冷电偶的热端面与内胆的底部外表面和外侧壁贴合，第二热电制冷电偶的冷端面与外胆的底部外表面贴合，在底座和外胆底部外表面之间的间隙中设置有PCB板；通过将第一热电制冷电偶的热端面与内胆的底部外表面和外侧壁贴合，第一热电制冷电偶通电后，第一热电制冷电偶的热端面即开始放热，加热内胆；通过将第二热电制冷电偶的冷端面与外胆的底部外表面贴合，第二热电制冷电偶通电后，第二热电制冷电偶的冷端即开始吸热，降低底座和外胆底部外表面之间的间隙温度，对PCB板实现降温；这样，即加快了烹饪器具的加热速度，同时又能对PCB板实现降温，避免电气元件温升超标。
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公开(公告)号：CN111118599A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201911379934.X
申请日：2019-12-27
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明提供了一种用于碳化硅外延生长设备载盘的涂层制备方法，包括步骤：A.制备SiC凝胶溶胶；B.把SiC凝胶溶胶装入喷机中预热至150℃～250℃；C.将SiC凝胶溶胶喷射到石墨载盘所有表面并自然干燥24小时；D.将石墨载盘装入烧结炉中在1600℃～1800℃、压力550托～650托、氢气环境中烧结2小时，然后自然冷却到室温；E.将石墨载盘表面的SiC涂层进行整形、打磨；F.按预设次数重复执行步骤B～E。该方法制得的SiC涂层的抗热震能力强、使用寿命长，且制备成本低。
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公开(公告)号：CN111089988A
公开(公告)日：2020-05-01
申请号：CN201911379941.X
申请日：2019-12-27
Applicant: 季华实验室
IPC: G01Q60/56
Abstract: 本发明公开了一种高均匀性磁性探针及其制备方法，检测硅基探针针尖先端的曲率半径，筛选出曲率半径在规格要求以内的探针；将筛选合格的硅基探针悬臂水平放置，使针尖基体外侧面沿竖直向上，溅射沉积钝化层；将硅基探针悬臂竖直放置，使针尖基体外侧面沿水平方向，溅射沉积磁性感应层；将硅基探针悬臂与竖直方向成30º夹角进行放置，使针尖基体内侧面沿水平方向，溅射沉积磁性屏蔽层；通过采用本技术方案制得的磁性探针的成本低、工艺简单、可重复性好，具备高均匀性的磁感应信号强度，能充分保证定量分析结果的准确性，适用于工业生产用大批量连续的磁力显微镜检测。
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公开(公告)号：CN119293887B
公开(公告)日：2025-03-11
申请号：CN202411800778.0
申请日：2024-12-09
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请属于等离子源技术领域，公开了一种远程等离子源变截面石英管结构优化设计方法及相关设备，通过对微波远程等离子源进行二维建模、网格划分、设置材料参数和物理场、仿真模拟以及优化求解，实现了对石英管内表面形状的精确优化设计，解决了传统圆柱形石英管无法精细调控等离子体流动和分布的问题，具有提高电子密度分布均匀性、提高等离子体出口通量和提高功率利用率的优点；而且通过仿真分析进行优化设计，与采用实物试验的方式相比设计周期更短、设计成本更低。
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公开(公告)号：CN115821218B
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202211662102.0
申请日：2022-12-23
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种镀膜设备及镀膜方法,通过磁过滤器对由等离子体发生器生成的靶材等离子体射流进行呈电中性的粒子团簇的过滤处理后，由偏转通道的第一电极板吸附带负电的电子，通过正对偏转通道出口的第三电极板吸附由于惯性而撞向第三电极板的带负电的粒子团簇，并由位于偏转通道出口上方的一侧的第四电极板使带正电的离子转向并加速射入镀膜室以对被镀工件进行镀膜，由于沉积在被镀工件的表面上均是带正电的离子（避免了粒子团簇对镀膜的影响），从而提高镀膜质量。
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