-
公开(公告)号：CN114323363B
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202210251301.6
申请日：2022-03-15
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请属于压力传感器技术领域，公开了一种电容式真空压力传感器，包括具有容置腔的壳体，还包括感压膜片及固定电极，感压膜片与固定电极均为圆筒形状，感压膜片设置在容置腔内，感压膜片的两端分别连接容置腔的顶部和底部，感压膜片将容置腔分为测量腔及参考腔，固定电极设置在参考腔内，固定电极与感压膜片组成可变电容器。本申请的电容式真空压力传感器将感压膜片和固定电极均设计为圆筒形状，与现有技术中同等体积的电容薄膜真空计相比，基础电容值得到增大，有效提高了电容式真空压力传感器的灵敏度和精度，降低了电容信号的处理难度。
-
公开(公告)号：CN114544065A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202210422504.7
申请日：2022-04-21
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请涉及电容薄膜规技术领域，具体提供了电容薄膜规、压力测量方法、系统、电子设备及存储介质，应用在压力测量系统中，压力测量系统包括膜片、陶瓷基体、固定电极和多个第一测量电极，固定电极用于根据其与膜片的距离生成第一测量电容信息，第一测量电极圆周阵列在固定电极外侧，多个第一测量电极分别用于根据其与膜片的距离生成对应的第二测量电容信息，压力测量方法包括以下步骤：获取第一测量电容信息和第二测量电容信息；根据不同位置的第一测量电极生成的第二测量电容信息检测膜片形变是否均匀，并根据第一测量电容信息和若干个第二测量电容信息计算压力值；该方法能够实现自适应校正测量被测气体的压力值。
-
公开(公告)号：CN114459670A
公开(公告)日：2022-05-10
申请号：CN202210380028.7
申请日：2022-04-12
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请涉及半导体领域，具体而言，涉及一种电容薄膜真空计,其包括：壳体，所述壳体具有一容置腔；弹性膜片，所述弹性膜片将所述容置腔分隔为测量室和参考腔；连接口，所述连接口与所述测量室连通；固定基板，所述固定基板设在所述参考腔中，所述固定基板与所述弹性膜片平行，且在靠近所述弹性膜片一侧设有固定电极；感应膜片，所述感应膜片平行地设置在所述固定电极和所述弹性膜片之间，并通过支架与所述弹性膜片连接；所述支架可在所述弹性膜片变形时带动所述感应膜片靠近或远离所述固定电极移动；从而有效提高电容薄膜真空计的精确度和灵敏度。
-
公开(公告)号：CN114323363A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202210251301.6
申请日：2022-03-15
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请属于压力传感器技术领域，公开了一种电容式真空压力传感器，包括具有容置腔的壳体，还包括感压膜片及固定电极，感压膜片与固定电极均为圆筒形状，感压膜片设置在容置腔内，感压膜片的两端分别连接容置腔的顶部和底部，感压膜片将容置腔分为测量腔及参考腔，固定电极设置在参考腔内，固定电极与感压膜片组成可变电容器。本申请的电容式真空压力传感器将感压膜片和固定电极均设计为圆筒形状，与现有技术中同等体积的电容薄膜真空计相比，基础电容值得到增大，有效提高了电容式真空压力传感器的灵敏度和精度，降低了电容信号的处理难度。
-
公开(公告)号：CN117053987A
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202311324037.5
申请日：2023-10-13
Applicant: 季华实验室
IPC: G01L27/00
Abstract: 本公开涉及半导体测试技术领域，尤其涉及一种真空计校准方法、测试设备及测试系统。其中，真空计校准方法包括：获取真空计在不同压力下对应的电压量化值；基于电压量化值获取线性校准系数；采用线性校准系数对压力‑电压量化值曲线进行线性拟合，获取非线性误差；在非线性误差小于等于非线性误差阈值时，确定线性校准系数为目标校准系数。本公开的技术方案，有利于提高真空计的检测结果线性度，进而提高真空计的测量结果，以满足实际应用需求。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115493744B
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211454920.1
申请日：2022-11-21
Applicant: 季华实验室
IPC: G01L21/00
Abstract: 本申请涉及半导体领域，具体而言，涉及一种宽量程的电容薄膜真空计及真空度检测方法，通过设置第一参考室和第二参考室，并且第一深度比第二深度大，第一感压膜片比第二感压膜片的厚度大，因此，第一参考室可测量的压力值比第二参考室可测量的压力值大，且第一参考室的真空度测量范围比第二参考室的真空度测量范围大，不管待测气体的压力值是大还是小，都可以通过宽量程的电容薄膜真空计实现真空度检测，无需通过多个现有的电容薄膜真空计配合使用，降低电容薄膜真空计生产成本以及避免检测过程繁杂，从而提高宽量程的电容薄膜真空计的普用性。
-
公开(公告)号：CN114571125B
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202210492279.4
申请日：2022-05-07
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明涉及测量仪器技术领域，具体公开了一种电容式薄膜真空计的薄膜焊接方法，该方法包括以下步骤：按照预设温度加热中心膜片，预设温度根据中心膜片的张紧力要求及材质特性进行设定；组合电容式薄膜真空计的下腔体、中心膜片和上腔体并进行保温，以使下腔体和上腔体夹持处于预设温度的中心膜片的边缘；焊接固定下腔体、中心膜片及上腔体以形成组合体；静置冷却组合体；该方法利用中心膜片的热胀冷缩的特性对加热后的中心膜片进行焊接，使得静置冷却后的组合体中的中心膜片具有满足张紧力要求的张紧力，免去了张紧设备的张紧处理，使得中心膜片满足电容式薄膜真空计的加工质量要求，有效提高产品合格率。
-
公开(公告)号：CN114544065B
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202210422504.7
申请日：2022-04-21
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请涉及电容薄膜规技术领域，具体提供了电容薄膜规、压力测量方法、系统、电子设备及存储介质，应用在压力测量系统中，压力测量系统包括膜片、陶瓷基体、固定电极和多个第一测量电极，固定电极用于根据其与膜片的距离生成第一测量电容信息，第一测量电极圆周阵列在固定电极外侧，多个第一测量电极分别用于根据其与膜片的距离生成对应的第二测量电容信息，压力测量方法包括以下步骤：获取第一测量电容信息和第二测量电容信息；根据不同位置的第一测量电极生成的第二测量电容信息检测膜片形变是否均匀，并根据第一测量电容信息和若干个第二测量电容信息计算压力值；该方法能够实现自适应校正测量被测气体的压力值。
-
公开(公告)号：CN114571125A
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202210492279.4
申请日：2022-05-07
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明涉及测量仪器技术领域，具体公开了一种电容式薄膜真空计的薄膜焊接方法，该方法包括以下步骤：按照预设温度加热中心膜片，预设温度根据中心膜片的张紧力要求及材质特性进行设定；组合电容式薄膜真空计的下腔体、中心膜片和上腔体并进行保温，以使下腔体和上腔体夹持处于预设温度的中心膜片的边缘；焊接固定下腔体、中心膜片及上腔体以形成组合体；静置冷却组合体；该方法利用中心膜片的热胀冷缩的特性对加热后的中心膜片进行焊接，使得静置冷却后的组合体中的中心膜片具有满足张紧力要求的张紧力，免去了张紧设备的张紧处理，使得中心膜片满足电容式薄膜真空计的加工质量要求，有效提高产品合格率。
-
公开(公告)号：CN114236658B
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202210170247.2
申请日：2022-02-24
Applicant: 季华实验室
IPC: G02B5/08 , G03F1/80 , G03F1/78 , G03F7/30 , C23C14/18 , C23C14/35 , C23C14/58 , C23C16/27 , C23C28/00
Abstract: 本申请涉及激光光学领域，公开了一种高激光损伤阈值金刚石镜片及其制备方法，高激光损伤阈值金刚石镜片的制备方法包括以下步骤：在单晶金刚石衬底上沉积一层单晶金刚石薄膜；利用有限元方法设计微柱状结构阵列；在所述单晶金刚石薄膜上镀制一层金属膜；将所述微柱状结构阵列的顶面轮廓图案光刻到所述金属膜上，显影；对所述金属膜表面进行垂直刻蚀；对所述单晶金刚石衬底进行倾斜旋转刻蚀；去除所述微柱状结构上的金属膜。采用本申请制备方法制备得到的高激光损伤阈值金刚石镜片为全金刚石镜片，具有较高的激光损伤阈值，且制备方法简单。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
46
records
(took 0.025 seconds)
