公开(公告)号：CN110246890A

公开(公告)日：2019-09-17

申请号：CN201910513344.5

申请日：2019-06-14

Applicant: 大连芯冠科技有限公司

Inventor： 程万希 ,  梁辉南 ,  姜仁波 ,  李强 ,  王荣华 ,  高珺

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/335 ,  H01L29/778

Abstract: 本发明公开一种可减少漏电通道的HEMT器件的外延结构，包括硅衬底及依次形成的AlN缓冲层、AlxGa1-xN缓冲层及GaN层，在所述硅衬底和AlN缓冲层之间有厚度为10~100nm的含碳化硅多晶混合物的过渡层，所述含碳化硅多晶混合物的过渡层按照如下方法制备：将硅衬底置于MOCVD机台，在900~1100℃条件下通入硅源气体，流量为20~60sccm，生长时间为1~30s，之后在保持所述硅源输入的同时以流量为200~400sccm通入碳源，生长时间为1~10mins。

公开(公告)号：CN109814020A

公开(公告)日：2019-05-28

申请号：CN201910162437.8

申请日：2019-03-05

Applicant: 大连芯冠科技有限公司

Inventor： 任永硕 ,  王荣华 ,  熊华燕 ,  梁辉南 ,  高珺

IPC: G01R31/26

Abstract: 本发明公开一种功率半导体器件功率循环测试系统，设有控制电路及由控制电路控制的稳压电源、制冷装置及被测器件驱动电路；所述稳压电源的输出分别与多个检测支路相接；所述检测支路设有与稳压电源相接的检流电阻，与检测电阻串联有由控制电路控制开断的低阻开关器件，与低阻开关器件并联有分压电阻，所述检流电阻两端与模拟信号选择电路相接，模拟信号选择电路的输出与电压信号采集电路相接；所述电压信号采集电路的输出与控制电路相接；测试时，所述被测器件驱动电路与被测器件栅极相接，所述低阻开关器件与被测器件相串联，所述模拟信号选择电路亦接于被测器件源极与漏极之间。

公开(公告)号：CN109585326A

公开(公告)日：2019-04-05

申请号：CN201811500627.8

申请日：2018-12-10

Applicant: 大连芯冠科技有限公司

Inventor： 王荣华 ,  任永硕 ,  程万希 ,  宋书宽 ,  高珺 ,  梁辉南

IPC: H01L21/66

Abstract: 本发明公开一种工艺流程简单、节约成本及效率高的氮化镓外延片垂直漏电流与霍尔效应复合测试方法，依次按照如下步骤进行：将势垒层表面分出垂直漏电流测试区域及霍尔效应测试区域；进行第一次光刻，使垂直漏电流测试区域全部暴露，霍尔效应测试区域正方形测试单元间的隔离区暴露；进行第一次刻蚀，刻蚀深及沟道层；去胶；利用第一荫罩板进行电极蒸镀或溅射，所述第一荫罩板上均布有第一电极沉积通孔；垂直漏电流测试；欧姆接触退火；霍尔效应测试。

公开(公告)号：CN109378270A

公开(公告)日：2019-02-22

申请号：CN201811145353.5

申请日：2018-09-29

Applicant: 大连芯冠科技有限公司

Inventor： 任永硕 ,  王荣华 ,  梁辉南 ,  高珺

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/027

Abstract: 本发明公开一种工艺流程简单、成本低、效率高且可保证加工精度的功率器件多场板的制备方法，与现有技术的区别是将光刻胶层逐次划分区域并控制各区域曝光时间，使光刻胶层在水平方向上分为完全曝光区、不完全曝光区及未曝光区，所述完全曝光区位于中部，完全曝光区两侧由下至上分别与不完全曝光区内侧面、不完全曝光区上表面及未曝光区相接且界面连续呈阶梯状；控制显影时间使光刻胶层的完全曝光区溶于显影液中并保留不完全曝光区及未曝光区；刻蚀至在介质层上形成多个场板台阶为止。

公开(公告)号：CN209746082U

公开(公告)日：2019-12-06

申请号：CN201920273272.7

申请日：2019-03-05

Applicant: 大连芯冠科技有限公司

Inventor： 任永硕 ,  王荣华 ,  熊华燕 ,  梁辉南 ,  高珺

IPC: G01R31/26

Abstract: 本实用新型公开一种功率半导体器件功率循环测试系统，设有控制电路及由控制电路控制的稳压电源、制冷装置及被测器件驱动电路；所述稳压电源的输出分别与多个检测支路相接；所述检测支路设有与稳压电源相接的检流电阻，与检测电阻串联有由控制电路控制开断的低阻开关器件，与低阻开关器件并联有分压电阻，所述检流电阻两端与模拟信号选择电路相接，模拟信号选择电路的输出与电压信号采集电路相接；所述电压信号采集电路的输出与控制电路相接；测试时，所述被测器件驱动电路与被测器件栅极相接，所述低阻开关器件与被测器件相串联，所述模拟信号选择电路亦接于被测器件源极与漏极之间。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

公开(公告)号：CN216937375U

公开(公告)日：2022-07-12

申请号：CN202220725955.3

申请日：2022-03-30

Applicant: 大连芯冠科技有限公司

Inventor： 李强 ,  程万希 ,  梁辉南 ,  王荣华 ,  姜仁波

IPC: B08B3/08 ,  B08B1/00 ,  F26B21/00

Abstract: 本实用新型涉及一种半自动半导体设备部件清洗机，包括机架、设置在机架上的第一清洗区和第二清洗区，第一清洗区包括第一药液槽单元和第一平台，第二清洗区包括第二平台、第二药液槽单元、吹干槽和第三平台，清洗机还包括活动设置在机架上且位于第二清洗区的机械手，机械手用于抓取或释放部件。清洗时，操作人员将部件置于第一药液槽单元的药液槽内浸泡，然后拿出置于第一平台上擦拭，擦拭完后的部件置于第二平台上，然后通过机械手抓取部件置于第二药液槽单元的药液槽内浸泡、吹干槽内吹干，然后置于第三平台上待取出，手动操作和自动操作相结合，互不干扰，大大提升清洗效率，可同时进行2批次以上部件的清洗，同时减少磕碰风险及部件污染风险。