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公开(公告)号：CN1510755A
公开(公告)日：2004-07-07
申请号：CN200310117790.3
申请日：2003-12-02
Applicant: 大见忠弘
IPC: H01L29/04 , H01L29/78 , H01L21/302 , H01L21/304 , H01L21/336 , H01L21/8234
CPC classification number: H01L21/3185 , H01L21/30604 , H01L21/31654 , H01L21/318 , H01L29/6659
Abstract: 在一种形成在具有主(110)结晶平面取向的硅表面上的半导体器件中，使硅表面平整，使得表面算术平均差Ra不大于0.15nm，优选地，不大于0.09nm，实现制造高迁移率的n－MOS晶体管。通过重复在氧基气氛中自牺牲氧化物膜的淀积工艺和自牺牲氧化物膜的去除工艺、或通过在脱气的H2O或低OH浓度气氛中清洗硅表面，或用氢或重氢使硅表面完全终结(terminating)，可以取得这种平整的硅表面。用各向同性氧化可以实现自牺牲氧化物膜的淀积处理。
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公开(公告)号：CN1829830B
公开(公告)日：2010-04-28
申请号：CN200480021852.3
申请日：2004-07-07
IPC: C30B29/36 , H01L21/304 , H01L21/336 , H01L29/78
CPC classification number: H01L21/02052 , C30B29/36 , H01L21/3148 , H01L29/1608 , Y10T428/31
Abstract: 本发明涉及特征为：具备具有1×1011(原子/cm2)或1×1011(原子/cm2)以下的金属杂质浓度的表面的碳化硅制品、其制造方法以及碳化硅制品的洗净方法。具有这样的高纯净度的表面的碳化硅是通过使用氢氟酸、盐酸、或含有硫酸和过氧化氢水的水溶液洗净得到的。按照本发明，可以得到具有高纯净度的碳化硅，其结果可以得到不必考虑由于杂质引起的特性劣化等的半导体装置。另外，在本发明中，在使用于半导体制造用部件等时，还具有可以防止由于杂质的飞散给被处理物带来不良影响等的优点。
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公开(公告)号：CN101599538A
公开(公告)日：2009-12-09
申请号：CN200910203880.1
申请日：2004-09-24
Applicant: 大见忠弘
Abstract: 一种有机EL发光元件，其具有：导电性透明电极(3)、与该导电性透明电极(3)对置的对置电极(8)、在所述导电性透明电极(3)和所述对置电极(8)之间设置的有机EL发光层(6)、至少覆盖所述有机EL发光层(6)而设置的绝缘保护层(9)、与该绝缘保护层(9)相接而设置的散热层(11)，所述导电性透明电极至少在所述有机EL发光层(6)侧的表面部分具有ITO膜，该ITO膜包含Hf、V及Zr中至少一种，而且，所述绝缘保护层(9)包含厚度100nm以下的氮化膜。本发明还涉及一种显示装置。
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公开(公告)号：CN101556948A
公开(公告)日：2009-10-14
申请号：CN200910135266.6
申请日：2004-08-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 大见忠弘 , 日本瑞翁株式会社
IPC: H01L23/522 , H01L21/314 , C23C16/32
Abstract: 本发明涉及一种具备由经过了420℃以下的热历史的氟化碳膜构成的绝缘膜的半导体装置。本发明的特征在于，上述氟化碳膜中的氢原子含量在经过上述热历史之前为3原子％以下。
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公开(公告)号：CN100454499C
公开(公告)日：2009-01-21
申请号：CN200480015408.0
申请日：2004-05-31
Applicant: 大见忠弘 , 东京威力科创股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L27/092 , H01L21/8238
CPC classification number: H01L21/82385 , H01L21/28167 , H01L21/823857 , H01L29/66787 , H01L29/785
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，在具有多个结晶面的立体构造的硅基板表面，使用等离子体形成栅极绝缘膜。等离子体栅极绝缘膜，即使在多个结晶面中与Si(100)结晶面相比仍不会增加界面水平，且立体构造的角部中也具有均匀的膜厚。由此，通过由等离子体形成高品质的栅极绝缘膜，能够得到特性良好的半导体装置。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101273671A
公开(公告)日：2008-09-24
申请号：CN200580051671.X
申请日：2005-09-26
Applicant: 大见忠弘
Abstract: 本发明能够尽量抑制高价氪、氙气的消耗量，同时降低等离子处理时对被处理物的损伤。在利用稀有气体进行的基板的等离子处理中，使用2种以上的不同的稀有气体，稀有气体之一采用廉价的氩气，其以外的气体采用与电子的碰撞截面积大于氩气的氪、氙的一种或两种，能够尽量抑制高价氪、氙气的消耗量，同时降低等离子处理时对被处理物的损伤。
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公开(公告)号：CN1864112A
公开(公告)日：2006-11-15
申请号：CN200480029178.3
申请日：2004-09-14
IPC: G05D7/06
CPC classification number: G05D16/208 , Y10T137/7761 , Y10T137/8741 , Y10T137/87507
Abstract: 本发明提供一种腔室内压控制装置，通过防止流量的控制精度在小流量范围大幅下降，并在整个流量控制范围可以进行高精度的流量控制，来调节向腔室供给的气体流量并在较大压力范围高精度控制腔室内压。具体来说，向腔室供给气体的装置，由并列状连接的多台压力式流量控制装置，和控制多台压力式流量控制装置的动作的控制装置形成，一边控制流量一边向由真空泵排气的腔室供给所希望的气体，其中，把一台压力式流量控制装置作为控制向腔室供给的最大流量的至多10％的气体流量范围的装置，把其余的压力式流量控制装置作为控制其余的气体流量范围的装置，进而在腔室上设置压力检测器并且向控制装置输入该压力检测器的检测值，调节向压力式流量控制装置的控制信号来控制向腔室的气体供给量，由此来控制腔室内压。
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公开(公告)号：CN1829830A
公开(公告)日：2006-09-06
申请号：CN200480021852.3
申请日：2004-07-07
IPC: C30B29/36 , H01L21/304 , H01L21/336 , H01L29/78
CPC classification number: H01L21/02052 , C30B29/36 , H01L21/3148 , H01L29/1608 , Y10T428/31
Abstract: 本发明涉及特征为：具备具有1×1011(原子/cm2)或1×1011(原子/cm2)以下的金属杂质浓度的表面的碳化硅制品、其制造方法以及碳化硅制品的洗净方法。具有这样的高纯净度的表面的碳化硅是通过使用氢氟酸、盐酸、或含有硫酸和过氧化氢水的水溶液洗净得到的。按照本发明，可以得到具有高纯净度的碳化硅，其结果可以得到不必考虑由于杂质引起的特性劣化等的半导体装置。另外，在本发明中，在使用于半导体制造用部件等时，还具有可以防止由于杂质的飞散给被处理物带来不良影响等的优点。
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公开(公告)号：CN1806385A
公开(公告)日：2006-07-19
申请号：CN200480016313.0
申请日：2004-06-11
Applicant: 株式会社丰田自动织机 , 新泻精密株式会社 , 大见忠弘
CPC classification number: H01L21/82385 , H01L21/823807 , H01L27/092 , H01L29/785 , H03F1/26 , H03F2200/372 , H03G1/0029 , H03G1/007
Abstract: 一种低噪声放大器，其具有用于将噪声抑制在低电平并放大输入信号的MIS晶体管。MIS晶体管包括：半导体衬底，其具有作为主表面的第一晶体表面；半导体结构，其是作为半导体衬底的一部分形成；以及相同导电型扩散区。半导体结构具有：一对侧壁面，其是由不同于第一晶体表面的第二晶体表面限定；顶面，其是由不同于第二晶体表面的第三晶体表面限定；栅极绝缘膜，其以均匀的厚度覆盖主表面、侧壁面和顶面；以及栅电极，其使用插入的栅极绝缘膜连续覆盖主表面、侧壁面和顶面。使用插入的栅极绝缘膜在一端和另一端上形成扩散区，并且沿主表面、侧壁面和顶面连续扩展该扩散区。这种结构急剧降低了低噪声放大器输出信号的1/f噪声和信号失真，从而不需要用于补偿降低的电路，并减小了尺寸。
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公开(公告)号：CN1806333A
公开(公告)日：2006-07-19
申请号：CN200480016314.5
申请日：2004-06-11
Applicant: 株式会社丰田自动织机 , 新泻精密株式会社 , 大见忠弘
IPC: H01L27/092 , H03D7/14 , H04B1/30 , H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/1033 , H01L21/823807 , H01L21/82385 , H01L29/045 , H03D7/1441 , H03D7/1458 , H03D2200/0033 , H03D2200/0047
Abstract: 利用CMOS晶体管(800)配置混频电路，CMOS晶体管包括p沟道MOS晶体管(840A)和n沟道MOS晶体管(840B)，每个晶体管包括具有至少两个晶面的半导体衬底(810A，810)，并且还包括形成在半导体衬底上的至少两个晶面上的栅绝缘层(820A)，其中沿栅绝缘层形成在半导体衬底中的沟道的沟道宽度由分别在所述至少两个晶面上形成的沟道的各个沟道宽度的总和表示。这种配置能够降低由于晶体管元件的电气特性变化引起的晶体管元件中出现的1/f的噪声、输出信号中出现的DC偏置、以及由于沟道长度调制效应引起的信号畸变。
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