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公开(公告)号：CN1235059C
公开(公告)日：2006-01-04
申请号：CN02105818.0
申请日：2002-04-11
Applicant: 株式会社岛津制作所
IPC: G01T1/24
CPC classification number: H01L31/0216 , H01L27/14676 , H01L31/0203
Abstract: 以覆盖非晶半导体厚膜的整个表面这样一种方式在放射线灵敏型非晶半导体厚薄膜与电压施加电极之间形成抗溶解和载流子可选高阻薄膜。此外，在非晶半导体厚膜、抗溶解和载流子可选高阻薄膜、和电压施加电极的上面形成的、和以覆盖顶层表面这样一种方式通过高耐压硬化合成树脂固定在上面的顶层表面上，形成热胀系数与绝缘基底的热胀系数相当的绝缘辅助板件。
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公开(公告)号：CN112955735A
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN201980072319.6
申请日：2019-07-22
Applicant: 株式会社岛津制作所
IPC: G01N23/041 , A61B6/00 , A61B6/02
Abstract: 本发明涉及一种X射线相位摄像系统(100)，具备X射线源(1)、检测器(2)、第1光栅组(3)、第2光栅组(4)、移动机构(5)和图像处理部(6)。移动机构构成为使被摄体和摄像系统(9)相对移动，从而使被摄体(T)通过第1光栅区域(R1)以及第2光栅区域(R2)。图像处理部构成为生成第1相位对比度图像(14a)和第2相位对比度图像(14b)。
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公开(公告)号：CN112041669A
公开(公告)日：2020-12-04
申请号：CN201980026382.6
申请日：2019-01-22
Applicant: 株式会社岛津制作所
IPC: G01N23/041
Abstract: 本X射线成像装置(100)具备X射线源(1)、多个光栅、移动机构(8)以及图像处理部(6)，图像处理部(6)构成为：将多个被摄体图像(10)中的被摄体(T)的各像素的像素值与各像素的莫尔条纹(30)的相位值进行对应，并且对多个被摄体图像中的被摄体的同一位置的像素进行位置对准，由此生成相位对比度图像(16)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111656171A
公开(公告)日：2020-09-11
申请号：CN201880087778.7
申请日：2018-02-21
Applicant: 株式会社岛津制作所
IPC: G01N23/203
Abstract: 化学状态分析装置(10)具备：激发源(11)，其向包含电池材料的试样(S)中的规定面内的照射区域(A)照射用于使该电池材料产生特征X射线的激发射线；分光晶体(13)，其由面向照射区域(A)设置的平板构成；狭缝(12)，其设置于照射区域(A)与分光晶体(13)之间，且与照射区域(A)及分光晶体(13)的规定的晶面平行；X射线线性传感器(15)，其是在平行于该狭缝的方向上具有长度的线状的检测元件(151)以沿垂直于狭缝(12)的方向排列的方式设置而成的；波长谱制作部(161)，其基于X射线线性传感器(15)检测出的特征X射线的强度来制作波长谱；峰值波长决定部(162)，其求出峰值波长，该峰值波长是所述波长谱的峰值处的波长；以及化学状态确定部(163)，其根据由峰值波长决定部(162)求出的峰值波长、以及标准曲线来求出用于确定试样(S)中的电池材料的化学状态的值，该标准曲线表示峰值波长与代表试样S中的电池材料的化学状态的值之间的关系。
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公开(公告)号：CN102590844A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201110400089.7
申请日：2011-12-02
Applicant: 株式会社岛津制作所
IPC: G01T1/00 , H01L27/146
Abstract: 本发明提供一种放射线检测器以及放射线摄影装置。驱动控制部根据有无像素合并、即在由栅极驱动电路每次多列地驱动开关元件的进行像素合并的情况和由栅极驱动电路每次一列地驱动开关元件的无像素合并的情况中，使由偏置电源对转换层施加的偏置电压改变。因此，在以像素合并的方式进行摄影的透视模式时，能够抑制动态范围的下降。另外，在无像素合并地进行摄影的摄影模式时，能够提高空间分辨率。即，能够与动作模式相应地使高的动态范围和空间分辨率最优化。
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公开(公告)号：CN102460215A
公开(公告)日：2012-05-16
申请号：CN200980159679.6
申请日：2009-04-03
Applicant: 株式会社岛津制作所 , 独立行政法人国立高等专门学校机构
CPC classification number: G01T1/24 , H01L31/115
Abstract: 根据本发明的放射线检测器的制造方法、放射线检测器以及放射线摄像装置，在变换层中采用Cl掺杂CdZnTe，将Cl浓度设为1ppmwt以上且3ppmwt以下，将Zn浓度设为1mol％以上且5mol％以下，由此能够形成最适合作为放射线检测器的变换层。由此，能够提供一种以下放射线检测器的制造方法、放射线检测器以及放射线摄像装置：通过掺杂适当浓度的Cl而能够保护晶界的缺陷能级，并且，通过掺杂适当浓度的Zn能够减少漏电流并维持对放射线的积分灵敏度。
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公开(公告)号：CN101517751B
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN200780034287.8
申请日：2007-04-12
Applicant: 株式会社岛津制作所 , 独立行政法人国立高等专门学校机构
CPC classification number: H01L27/14683 , G01T1/24 , H01L27/14634 , H01L31/1892 , Y02E10/50
Abstract: 本发明提供一种光或放射线检测器的制造方法及光或放射线检测器，在形成半导体时，在模仿基板上通过蒸镀形成了规定厚度的半导体后，从该模仿基板替换成支承基板即石墨基板，并在该石墨基板上通过蒸镀继续形成半导体。在模仿基板上通过蒸镀形成规定厚度的半导体时是初期状态，因此，原本应形成的不良膜则形成于模仿基板。之后，在所替换的石墨基板G上形成非初期状态的半导体，因此，能够实现具备比现有的更高品质的半导体的检测器。另外，这样制造的半导体至少能够沿其厚度方向连续地形成。
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公开(公告)号：CN101517751A
公开(公告)日：2009-08-26
申请号：CN200780034287.8
申请日：2007-04-12
Applicant: 株式会社岛津制作所 , 独立行政法人国立高等专门学校机构
CPC classification number: H01L27/14683 , G01T1/24 , H01L27/14634 , H01L31/1892 , Y02E10/50
Abstract: 本发明提供一种光或放射线检测器的制造方法及光或放射线检测器，在形成半导体时，在模仿基板上通过蒸镀形成了规定厚度的半导体后，从该模仿基板替换成支承基板即石墨基板，并在该石墨基板上通过蒸镀继续形成半导体。在模仿基板上通过蒸镀形成规定厚度的半导体时是初期状态，因此，原本应形成的不良膜则形成于模仿基板。之后，在所替换的石墨基板G上形成非初期状态的半导体，因此，能够实现具备比现有的更高品质的半导体的检测器。另外，这样制造的半导体至少能够沿其厚度方向连续地形成。
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