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公开(公告)号：CN102246128B
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：CN200980149534.8
申请日：2009-08-12
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G02F1/1362 , H01L31/101 , G06F3/041 , G06F3/044
CPC classification number: H01L31/101 , G02F1/1362 , G02F2001/13312 , G06F3/0412 , G06F3/044 , H01L27/12
Abstract: 本发明的显示装置具有显示部(100)和传感器电路部(200)，用于对上述传感器电路部(200)的电荷存储元件(202)提供电源的驱动配线RW与连接到上述显示部(100)的显示驱动用TFT元件(101)的栅极电极(102)的栅极配线G隔着层间绝缘膜重叠而形成。由此，即使内置传感器电路部，也可以实现能够抑制开口率的降低且减少配线之间所产生的寄生电容、提高传感器灵敏度的具有光传感器内置像素的显示装置。
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公开(公告)号：CN102870220A
公开(公告)日：2013-01-09
申请号：CN201180021486.1
申请日：2011-02-23
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L29/786 , G02F1/1345 , G02F1/1368 , H01L27/146
CPC classification number: H01L29/78663 , G02F1/13338 , G02F1/13624 , G06F3/0412 , H01L27/0207 , H01L27/0705 , H01L27/1222 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L27/1251 , H01L29/78633 , H01L29/7869
Abstract: 氧化物TFT元件（3）的源漏电极层（3s、3d）由第一导电层形成，氧化物TFT元件（3）的栅极电极（3g）和a-SiTFT元件（5）的栅极电极（5g）由作为相同导电层的第二导电层形成，a-SiTFT元件（5）的源漏电极层（5s、5d）由第三导电层形成，在绝缘基板（2）叠层各导电层的厚度方向上，上述第三导电层形成于上述第二导电层的上层，上述第一导电层形成于上述第二导电层的下层。因此，能够实现能提高形成于绝缘基板上的晶体管元件的集成度的电路基板。
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公开(公告)号：CN101681607B
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN200880018765.0
申请日：2008-01-28
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G09G3/36 , G02F1/1368 , G02F1/133 , G09G3/20
CPC classification number: G09G3/3648 , G09G3/3607 , G09G3/3614 , G09G2300/0426
Abstract: 本发明涉及有源矩阵型的显示装置及其驱动方法。在各行的上下两侧具备栅极总线。在相邻的2根源极总线与2根栅极总线所包围的区域中，形成2个子像素。在奇数行(PsO)中，对于所述2个子像素中左侧的子像素，通过上侧的栅极总线提供扫描信号，通过左侧的源极总线提供视频信号。另一方面，对于右侧的子像素，通过下侧的栅极总线提供扫描信号，通过右侧的源极总线提供视频信号。在偶数行(PsE)中，提供扫描信号的栅极总线与奇数行(PsO)的相反。逐根依次地选择栅极总线，使得在各水平扫描期间内，所有视频信号的极性均相同。
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公开(公告)号：CN101558370B
公开(公告)日：2012-04-25
申请号：CN200780046495.X
申请日：2007-12-17
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G06F3/041 , G02F1/1333 , G09F9/00
CPC classification number: G06F3/0414 , G02F1/13338 , G06F3/047
Abstract: 本发明提供显示面板用基板、显示面板、显示装置、和显示面板用基板的制造方法。本发明的显示面板用基板至少包括：绝缘性基板；在所述绝缘性基板上形成的第一导电性配线；在所述第一导电性配线上形成的压电材料膜；与所述第一导电性配线交叉的第二导电性配线；和分别保护所述第一导电性配线、第二导电性配线和压电材料膜的保护膜。所述绝缘体膜至少形成在所述绝缘性基板上的有效显示区域中的区域，此外，所述压电体膜至少形成在所述第一导电性配线和第二导电性配线的交点处。由此，能够提供一种显示面板的尺寸不会大型化，且能够将触摸式面板功能一体化的显示面板用基板。
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公开(公告)号：CN101501753B
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：CN200780029423.4
申请日：2007-06-08
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: G09G3/3677 , G09G5/008 , G09G2310/062 , G09G2310/08 , G09G2370/08
Abstract: 本发明提供一种显示控制器，该显示控制器在显示装置的一个水平期间内，具有从栅极驱动器(4)输出的电压电平为高电平的像素稳定写入期间，具有使用与显示装置(1)的帧频无关的基准信号、决定电压电平为高电平的像素稳定写入期间的第一像素稳定写入期间决定电路(70)。从而可以与帧频的变化无关地设定像素稳定写入期间为期望值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101675374B
公开(公告)日：2011-08-10
申请号：CN200780052909.X
申请日：2007-12-07
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: G09G3/3696 , G09G3/3677 , G09G2320/0204 , G09G2320/0247 , G09G2330/021 , G09G2340/0435
Abstract: 在进行交流驱动的液晶显示装置中，使施加了正极性电压时的栅极电压振幅Vgp-p(p)、以及施加了负极性电压时的栅极电压振幅Vgp-p(n)的至少一方，根据液晶驱动频率来变化。从而，使得正极性时与负极性时的液晶施加电压的有效值相等，而与液晶驱动频率无关，防止切换液晶驱动频率时的闪烁。液晶驱动频率越低，施加了负极性电压后的栅极低电压Vgln越低，从而减小负极性时的TFT的漏电流，改善液晶元件的电压保持率。
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公开(公告)号：CN101903937A
公开(公告)日：2010-12-01
申请号：CN200880122144.7
申请日：2008-07-03
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: G09G3/3406 , G09G2320/064 , G09G2320/0646 , G09G2320/0673 , G09G2330/021
Abstract: 本发明的目的在于提供一种显示装置。所述显示装置的灰度变换部(23)对输入图像进行灰度变换，所述灰度变换是对于比边界灰度CVth要小的灰度应用一定的增益，对于比边界灰度CVth要大的灰度进行特性成为样条曲线的灰度变换。图像解析部(22)为了决定灰度变换部(23)的特性，而基于输入图像，求出边界灰度CVth和最大灰度CVmax，决定线性增益偏移系数LGs，使得进行背光源(30)的亮度控制时的最大灰度CVmax的亮度下降率成为限制值以下。由此，既抑制画质劣化，又削减背光源的功耗。
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公开(公告)号：CN101501753A
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200780029423.4
申请日：2007-06-08
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: G09G3/3677 , G09G5/008 , G09G2310/062 , G09G2310/08 , G09G2370/08
Abstract: 本发明提供一种显示控制器，该显示控制器在显示装置的一个水平期间内，具有从栅极驱动器(4)输出的电压电平为高电平的像素稳定写入期间，具有使用与显示装置(1)的帧频无关的基准信号、决定电压电平为高电平的像素稳定写入期间的第一像素稳定写入期间决定电路(70)。从而可以与帧频的变化无关地设定像素稳定写入期间为期望值。
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公开(公告)号：CN103261959B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201180059588.2
申请日：2011-11-29
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G02F1/1368 , H01L29/786
CPC classification number: G02F1/136209 , G02F1/133345 , G02F1/133512 , G02F1/133707 , G02F2001/136222 , G02F2201/40 , H01L27/1225 , H01L27/3272 , H01L29/66969 , H01L29/78633 , H01L29/7869 , H01L29/78693
Abstract: 本发明的半导体装置（100A）具有：薄膜晶体管（10）；形成在薄膜晶体管（10）上的第一绝缘层（9）；形成在第一绝缘层（9）上的具有开口部（21a）的第二绝缘层（11）；和以从基板（1）的法线方向看时与氧化物半导体层（5）重叠的方式形成的遮光层（12a），遮光层（12a）形成于开口部（21a），遮光层（12a）的上表面具有凸状的曲面，并且，第二绝缘层（11）的上表面与遮光层（12a）的上表面相比位于基板（1）侧。
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公开(公告)号：CN102460734B
公开(公告)日：2014-08-27
申请号：CN201080026859.X
申请日：2010-02-01
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L31/10 , G02F1/1333 , G02F1/135 , H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14643 , G02F2001/13312 , G06F3/0412 , G06F3/0421 , H01L27/14612 , H01L27/14678 , H01L27/14681 , H01L27/14692 , H01L31/1136
Abstract: 一种光电晶体管，其源极电极和栅极电极设为彼此相同的电位，具备：透明电极，其以与沟道区域重叠的方式形成于层间绝缘膜的表面；以及刷新控制部，其在透明电极与栅极电极以及源极电极之间施加电压，由此使蓄积于沟道区域的透明电极侧部分的电荷减少。
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