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公开(公告)号：CN102110492A
公开(公告)日：2011-06-29
申请号：CN200910200573.8
申请日：2009-12-23
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于透明电子学研究领域，具体涉及一种p型导电透明掺铜氧化镍薄膜及其制备方法。本发明提供了一种p型导电透明氧化物半导体薄膜，该薄膜是化学配比为Ni1-xCuxO的掺铜氧化镍薄膜，0＜x≤0.3。本发明以普通玻璃为基板，利用Ni1-xCuxO的陶瓷靶，通过脉冲等离子体沉积技术，在适当的基板温度、氧气压、脉冲电流和脉冲电压的条件下制备获得。所制备的薄膜具有高电导率、可见光范围内高透射率等优良的光电性能。同时，其制备方法具有操作简便，设备价格相对低廉的优越性。因此，本发明所获得的新型薄膜材料及制备方法，在半导体光电子领域具有一定的应用潜力。
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公开(公告)号：CN101299423B
公开(公告)日：2010-12-15
申请号：CN200810039208.9
申请日：2008-06-19
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L23/48 , H01L21/441 , H01L31/0224 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明属于透明导电薄膜技术领域，具体为非晶掺钨二氧化锡透明导电薄膜及其制备方法。本发明以二氧化锡和金属钨粉末经研磨混合、压片、烧结获得的块体材料为靶材；在普通玻璃衬底上利用脉冲等离子体沉积(PPD)技术，制备获得具有非晶结构的SnO2:W薄膜。所制备的薄膜具有电阻率低、载流子迁移率高、可见光范围透射率高、以及近红外范围透射率高等优良的光学和电学性能。本发明方法获得的薄膜在平板显示、光电传感器和太阳能电池领域具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN101567390A
公开(公告)日：2009-10-28
申请号：CN200910052552.6
申请日：2009-06-04
Applicant: 上海广电(集团)有限公司中央研究院 , 复旦大学
IPC: H01L29/786 , H01L29/43 , H01L29/12 , H01L21/336
Abstract: 本发明涉及透明氧化物半导体薄膜晶体管及其制备方法，所述薄膜晶体管的栅极、源极和漏极采用高迁移率掺杂氧化铟IMeO透明导电氧化物薄膜制作，并以透明氧化物半导体TOS为沟道层，构成TOS－IMeO全透明氧化物薄膜晶体管。所述制备方法以普通玻璃为基板，在300～350℃温度下进行磁控溅射2～30分钟，根据顶栅结构和底栅结构按各自不同的顺序形成透明氧化物半导体薄膜晶体管。所制作的薄膜晶体管具有良好的电导率、载流子迁移率以及光学透明性，本发明获得的全透明氧化物半导体薄膜晶体管在平板显示领域具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN100477133C
公开(公告)日：2009-04-08
申请号：CN200710041159.8
申请日：2007-05-24
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/363 , H01L31/18 , C23C14/35 , C23C14/08
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明属于透明导电薄膜技术领域，具体为近红外高透射率多晶透明导电氧化物薄膜及其制备方法。所述导电氧化物薄膜为掺杂氧化铟In2O3:M(M＝W，Mo)。本发明以普通玻璃为基板，利用铟金属掺钨或钼的镶嵌靶，在基板温度为300-350℃条件下通过反应直流磁控溅射技术，在适当的溅射压强、氧分压、溅射电流和溅射电压的条件下制备获得具有多晶结构的In2O3:M薄膜。所制备的薄膜具有低电阻率、高载流子迁移率、可见光范围高透射率、特别是近红外范围(700-2500nm)高透射率等优良的光电特性。本发明方法获得的薄膜在太阳能电池领域具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN101299423A
公开(公告)日：2008-11-05
申请号：CN200810039208.9
申请日：2008-06-19
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L23/48 , H01L21/441 , H01L31/0224 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明属于透明导电薄膜技术领域，具体为非晶掺钨二氧化锡透明导电薄膜及其制备方法。本发明以二氧化锡和金属钨粉末经研磨混合、压片、烧结获得的块体材料为靶材；在普通玻璃衬底上利用脉冲等离子体沉积(PPD)技术，制备获得具有非晶结构的SnO2:W薄膜。所制备的薄膜具有电阻率低、载流子迁移率高、可见光范围透射率高、以及近红外范围透射率高等优良的光学和电学性能。本发明方法获得的薄膜在平板显示、光电传感器和太阳能电池领域具有良好的应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1962509A
公开(公告)日：2007-05-16
申请号：CN200610118921.3
申请日：2006-11-30
Applicant: 复旦大学
IPC: C03C17/22
Abstract: 本发明是一种采用新型渠道火花烧蚀法(ChannelSpark Ablation，CSA)制备p型掺锌硫化铜铝(CuAlS2:Zn)透明导电硫化物薄膜的方法。本发明以普通玻璃为基板，利用掺锌硫化铜铝化合物靶，在适当的氩气压、基板温度、脉冲电流和脉冲电压下，采用CSA方法制备CuAlS2:Zn薄膜。所制备的薄膜为p型半导体透明硫化物薄膜，同时具有高电导率、高透射率和高载流子迁移率等优良的光电特性。本发明方法获得的p型薄膜在透明电子学和新型光电器件领域具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN1738071A
公开(公告)日：2006-02-22
申请号：CN200510027788.6
申请日：2005-07-15
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L51/10 , H01L51/40 , H01L21/283
Abstract: 本发明是一种高功函数铂钨共掺氧化铟(In2O3∶Pt，W)/掺钨氧化铟(IWO)双层透明导电氧化物薄膜电极及其制备方法。本发明以普通玻璃为基板，利用掺钨金属铟镶嵌靶和铂+掺钨金属铟镶嵌靶，通过反应直流磁控溅射技术，在本发明的工作压强和氧分压、溅射电流和溅射电压的条件下制备具有高功函数透明氧化物In2O3∶Pt，W/IWO薄膜电极。所制备的薄膜具有低电阻率、高透射率和高功函数等优良的光电特性。通过掺铂含量和In2O3∶Pt，W层厚度调制透明导电氧化物薄膜的功函数。本发明获得的高功函数透明导电氧化物薄膜电极在新型有机光电器件领域具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN103247758B
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201310157318.6
申请日：2013-04-28
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明属于非易失性存储器件技术领域，具体为一种采用柔性纸基的可擦写薄膜阻变存储器存储单元。本发明以柔性可弯折的油墨彩印纸为基板，氧化锡薄膜作为阻变层，氧化钼薄膜作为氧存储层，具体结构组成依次为：油墨彩印纸基板，作为底电极的金属镍薄膜，氧化锡薄膜，氧化钼薄膜，作为顶电极的金属钼薄膜。本发明在低温条件下(~100℃)利用直流磁控溅射技术，在基板依次制备金属镍薄膜、氧化锡薄膜、氧化钼薄膜、金属钼薄膜。本发明制备的阻变存储单元具有良好的弯折耐久性等特性，在非易失性存储领域、柔性电子器件领域具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN103274435B
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN201310191783.1
申请日：2013-05-22
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于晶体管制备技术领域，具体为一种氧化铝钛薄膜及其制备方法和应用。本发明采用溶胶凝胶法制备氧化铝钛薄膜。本发明以乙二醇单甲醚为溶剂，浓盐酸为添加剂，将Al(C4H9O)3、Ti(C4H9O)4溶解其中，形成澄清稳定的前驱体溶液；将前驱体溶液旋转涂覆于玻璃基板上，经预热处理及后续高温热处理得到氧化铝钛薄膜。本还涉及采用氧化铝钛作为栅介质层的薄膜晶体管的制备方法。以此作为栅介质层材料的IZO薄膜晶体管，开关电流比大于1×106，饱和迁移率大于1.1cm2/Vs，亚阈值摆幅小于1.5V/dec。
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公开(公告)号：CN102163691A
公开(公告)日：2011-08-24
申请号：CN201010111967.9
申请日：2010-02-22
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于薄膜晶体管器件领域，涉及一种以聚甲基丙烯酸甲酯有机介质层与铟锌氧化物无机沟道层构成的混合型薄膜晶体管及其制备方法。本发明以玻璃为基板，用铟锌合金或铟锌氧化物靶材，在室温条件下利用磁控溅射技术，制备铟锌氧化物半导体薄膜作为沟道层。用有机物聚甲基丙烯酸甲酯，溶于丙酮，通过浸渍提拉法制备有机介质层。通过真空蒸发法制备栅、源和漏电极。制备的薄膜晶体管具有制备温度低、载流子迁移率高、沟道层与介质层可见光区平均透射率高等特性。本发明获得的薄膜晶体管结构和制备方法在平板显示、柔性显示和透明电子器件等领域具有良好的应用前景。
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