公开(公告)号：CN102163691A

公开(公告)日：2011-08-24

申请号：CN201010111967.9

申请日：2010-02-22

Applicant: 复旦大学

Inventor： 冯佳涵 ,  张群

IPC: H01L51/05 ,  H01L51/40

Abstract: 本发明属于薄膜晶体管器件领域，涉及一种以聚甲基丙烯酸甲酯有机介质层与铟锌氧化物无机沟道层构成的混合型薄膜晶体管及其制备方法。本发明以玻璃为基板，用铟锌合金或铟锌氧化物靶材，在室温条件下利用磁控溅射技术，制备铟锌氧化物半导体薄膜作为沟道层。用有机物聚甲基丙烯酸甲酯，溶于丙酮，通过浸渍提拉法制备有机介质层。通过真空蒸发法制备栅、源和漏电极。制备的薄膜晶体管具有制备温度低、载流子迁移率高、沟道层与介质层可见光区平均透射率高等特性。本发明获得的薄膜晶体管结构和制备方法在平板显示、柔性显示和透明电子器件等领域具有良好的应用前景。

公开(公告)号：CN102222698A

公开(公告)日：2011-10-19

申请号：CN201010149401.5

申请日：2010-04-16

Applicant: 复旦大学

Inventor： 张群 ,  李桂锋 ,  冯佳涵 ,  周俊

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/12 ,  H01L29/51

Abstract: 本发明属于薄膜晶体管技术领域，涉及一种以氧化物半导体为沟道层的混合结构薄膜晶体管结构。本发明以氧化物半导体薄膜为沟道层，以有机介质薄膜为栅介质层，以透明导电氧化物薄膜为栅电极、源电极和漏电极，构成混合型薄膜晶体管结构。本发明的薄膜晶体管以玻璃或柔性衬底为基底，采用真空镀膜技术制备宽禁带氧化物半导体沟道层，采用旋涂法或浸渍提拉法制备有机介质层，采用真空镀膜方法制备透明导电氧化物薄膜栅电极、源电极和漏电极。本发明制备的混合型薄膜晶体管具有制备温度低、载流子迁移率高、电流开关比高等特性，在平板显示和透明电子学等领域具有良好的应用潜能。