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公开(公告)号：CN115692583A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202211384384.2
申请日：2022-11-07
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L33/48 , H01L33/62 , H01L25/075
Abstract: 本申请涉及一种实现微型LED显示器件封装制作方法，通过设计新型的微型LED阵列显示器件结构，结合电极外引光刻工艺与贴片封装工艺，以进行微型LED阵列显示器件与驱动电路板的封装集成。一方面通过制备电极外引结构，可以增大像素的电极面积，使得贴片键合过程更容易操作且精确度更高，有效简化键合的步骤；另一方面结合漏印锡膏技术，将芯片与基板键合，减少金线或者合金等物料的使用，并且通过采用芯片高像素密度阵列式制作，提升生产效率，并降低生产成本。
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公开(公告)号：CN111262629A
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN202010204083.1
申请日：2020-03-21
Applicant: 复旦大学
IPC: H04B10/116 , H04B10/50 , H04B10/54 , H04B10/556
Abstract: 本发明属于通信技术领域，具体为基于sCAP调制的micro-LED可见光通信系统。本发明系统依次包括：数模转换单元，信号混合单元，micro-LED光源，多个透镜，光电探测器，模数转换单元，信号处理单元；本发明将micro-LED作为发射光源，其调制带宽可达230 MHz，并且micro-LED的工作电流密度极大、平均亮度很高，达到数Gbps的通信速率，符合下一代高速通信的发展要求；另外通过sCAP的调制方式，简化系统和提高频谱利用率的效果，能够100%地利用频谱，将频谱利用率增加到高达9.12 bit/s/Hz。本发明将两者结合，可以充分发挥高带宽和高频谱效率的优势，以获得超高速的通信速率。在一定的频谱资源下，本发明具有极大的应用前景。
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公开(公告)号：CN119630149A
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202311167829.6
申请日：2023-09-11
Applicant: 复旦大学
IPC: H10H29/14 , H10H20/812 , H10H20/825 , H10F39/18 , H04B10/116 , H04B10/40
Abstract: 本发明提供单片集成微米级LED芯片，包括衬底和多个微米级LED器件，微米级LED器件包括n‑氮化镓层、铟镓氮/氮化镓多量子阱结构、p‑铝镓氮层、p‑氮化镓层、电流扩散层和钝化层，量子势垒厚度为0.5‑5nm，单片集成微米级LED芯片能通过高压偏置电路用于光探测，高压偏置电路提供反向偏压电压为0‑200V，带宽为10MHz‑10GHz；单片集成微米级LED芯片能用于光发射，带宽为10MHz‑10GHz。本发明单片集成微米级LED芯片在极高反向偏压下具有较好光电响应特性和带宽特性。本发明还提供单片集成微米级LED芯片作为窄带光电探测器的应用和在高速可见光通信中的应用，还提供可见光通信装置。
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公开(公告)号：CN115998254B
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202211676483.8
申请日：2022-12-26
Applicant: 复旦大学
IPC: A61B5/00 , H01L33/00 , H01L33/38 , H01L31/0224 , H01L27/15
Abstract: 本发明公开了一种基于micro‑LED的肤色检测装置，包括发射模块、探测模块和驱动模块，其中，发射模块和探测模块分别为在同一InGaN/GaN外延片上生长制备的第一micro‑LED阵列、第二micro‑LED阵列。第一micro‑LED阵列中各像素单元的尺寸小于第二micro‑LED阵列中各像素单元的尺寸，驱动模块可以向第一micro‑LED阵列施加正向偏置电压，以便发射模块发出光信号，驱动模块可以向第二micro‑LED阵列施加负向偏置电压，以便探测模块通过检测经过皮肤反射后的光信号强度，得到光电流大小。该装置可以对不同部位的皮肤颜色进行实时检测。
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公开(公告)号：CN118352374A
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202410470403.6
申请日：2024-04-18
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本申请属于半导体显示领域，尤其涉及一种micro‑LED光源及其加工方法，其包括多个micro‑LED显示单元，每个micro‑LED显示单元包括衬底层和生长于所述衬底层上的发光层，在所述衬底层背离所述发光层的一侧设有多圈同心的调光环。本申请具有准直micro‑LED出光光束以削弱阵列像素点之间串扰，同时增加光提取效率的效果。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116222770A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202211634140.5
申请日：2022-12-19
Applicant: 复旦大学
IPC: G01J1/46
Abstract: 本申请涉及光学探测技术领域，尤其涉及一种集成发光探测驱动电路，包括主运放子电路、恒流输出子电路、LED芯片子电路、输出功率探测子电路、反馈稳定调节子电路；恒流输出子电路分别与主运放子电路和LED芯片子电路连接，主运放子电路通过控制恒流输出子电路恒流驱动LED芯片子电路发光并产生探测光电流；LED芯片子电路与输出功率探测子电路连接，LED芯片子电路产生的探测光电流通过输出功率探测子电路转化为电压信号；反馈稳定调节子电路分别与输出功率探测子电路和主运放子电路连接，输出功率探测子电路产生的电压信号通过反馈稳定调节子电路反馈至主运放子电路，本申请提供的一种集成发光探测驱动电路具有提升UVC LED的鲁棒性效果。
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公开(公告)号：CN111262629B
公开(公告)日：2022-11-18
申请号：CN202010204083.1
申请日：2020-03-21
Applicant: 复旦大学
IPC: H04B10/116 , H04B10/50 , H04B10/54 , H04B10/556
Abstract: 本发明属于通信技术领域，具体为基于sCAP调制的micro‑LED可见光通信系统。本发明系统依次包括：数模转换单元，信号混合单元，micro‑LED光源，多个透镜，光电探测器，模数转换单元，信号处理单元；本发明将micro‑LED作为发射光源，其调制带宽可达230 MHz，并且micro‑LED的工作电流密度极大、平均亮度很高，达到数Gbps的通信速率，符合下一代高速通信的发展要求；另外通过sCAP的调制方式，简化系统和提高频谱利用率的效果，能够100%地利用频谱，将频谱利用率增加到高达9.12 bit/s/Hz。本发明将两者结合，可以充分发挥高带宽和高频谱效率的优势，以获得超高速的通信速率。在一定的频谱资源下，本发明具有极大的应用前景。
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公开(公告)号：CN109742197A
公开(公告)日：2019-05-10
申请号：CN201811576296.6
申请日：2018-12-22
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于医用光源照明技术领域，具体为一种内窥镜micro-LED光源及其制备方法。本发明使用尺寸较小的micro-LED为光源，micro-LED芯片形状根据内窥镜外壳形状设计；通过调整micro-LED芯片阵列的间距以及micro-LED单元数量对芯片充分散热；系统封装时，micro-LED芯片紧贴内窥镜外壳，利用内窥镜外壳散热；micro-LED的结构可以为正装、倒装和垂直等多种结构，白光光源的组成可以由红绿蓝等多种发光波长的micro-LED芯片组成，也可以由蓝光micro-LED芯片与荧光粉混合组成。本发明通过micro-LED芯片和内窥镜系统的整体设计，降低了照明系统的自发热，使自发热导致的内窥镜照明系统的温度低于43摄氏度；光通量、显色指数等指标适合人体的需求以及国家标准的要求。
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公开(公告)号：CN106783818A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611184760.8
申请日：2016-12-20
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L25/075 , H01L33/48 , H01L21/77 , H01L33/00
CPC classification number: H01L25/075 , H01L21/77 , H01L33/005 , H01L33/48
Abstract: 本发明属于半导体光电子技术领域，具体公开一种基于低功耗微米LED的可视化光电标签及其制备方法。本发明光电标签主要包括低功耗氮化镓或者砷化镓基可见光微米LED、射频天线、芯片、电压调节器和封装包装。氮化镓微米LED的发光波长在400nm到550nm的范围，砷化镓微米LED的发光波长在550nm到700nm的范围，微米LED的尺寸在1微米和100微米之间，功耗可以低至‑18dBm，并具备较高的发光效率，发出的光强人眼可见；射频天线用来接收标签阅读器发出的射频信号；芯片用来处理接收到的信号；电压调节器将射频信号转换为直流电源，给微米LED和芯片提供驱动电源。本发明可视化光电标签，可以用人眼识别，适用于物流跟踪、货物识别、和光纤识别等领域。
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公开(公告)号：CN118738232A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410811288.4
申请日：2024-06-21
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本申请提供了一种micro‑LED芯片的制备方法及micro‑LED芯片，涉及半导体技术领域，该方法包括：在目标衬底上生长外延层；在外延层表面生成目标ITO薄膜；刻蚀外延层至n型GaN层的表面，形成n型GaN台面结构；在n型GaN台面结构的n型GaN层暴露区域刻蚀n型GaN层至目标衬底的表面，得到micro‑LED阵列结构，micro‑LED阵列结构中的各个micro‑LED结构之间是相互电气隔离的；在micro‑LED阵列结构上生长绝缘层及目标电极，得到micro‑LED芯片。实施本申请提供的技术方案，解决了相关技术中存在的Micro‑LED芯片的通信效率较低的技术问题。
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