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公开(公告)号：CN110265547B
公开(公告)日：2020-12-22
申请号：CN201910512415.X
申请日：2019-06-13
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于半导体技术领域，具体为一种基于CMOS后端工艺的柔性3D存储器的制备方法。本发明包括以下步骤：提供柔性衬底；利用硬掩膜，采用低温溅射方法生长第一电极；在第一电极上形成阻变功能层；利用硬掩膜，采用低温溅射方法生长第二电极；在第二电极上形成阻变功能层；交替重复上述两步骤，形成具有多层阻变功能层的柔性3D存储器，其中，位于各层的第一电极的位置不相重叠，位于各层的第二电极的位置不相重叠，并且位于顶层的第二电极形成后，不再形成阻变功能层。本发明简化了工艺过程，降低了成本；制备过程全采用CMOS后端生产工艺，为柔性3D存储器的进一步发展应用提供基础。
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公开(公告)号：CN109962161A
公开(公告)日：2019-07-02
申请号：CN201811463307.X
申请日：2018-12-03
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种基于内置非线性RRAM的3D垂直交叉阵列及其制备方法。该阵列包括带有隔离层的衬底，衬底上设置有由第一金属电极层和多层介质层交替堆叠的叠层结构，叠层结构上有间隔排列的条状垂直沟槽；沿条状垂直沟槽的垂直交叉方向有间隔排列的阻变介质层，阻变介质层在未刻蚀的叠层结构表面以及条状垂直内壁和底部均匀连续形成；阻变介质层上有第二电极层；与阻变介质层方向一致的叠层结构两侧边缘通过垂直刻蚀，形成裸露的第一电极。本发明采用内置非线性RRAM，解决了垂直RRAM难以集成1S1R结构的问题，从而避免潜行电流。适用于大规模三维集成存储器，具有高密度、制备工艺简单、成本低等优点。
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公开(公告)号：CN108649041A
公开(公告)日：2018-10-12
申请号：CN201810336841.8
申请日：2018-04-16
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明属于半导体技术领域，具体为一种基于复合互连衬底的芯片封装结构及其方法。本发明的芯片封装结构，包括：具有上下两个凹槽的基板；芯片贴合在底部凹槽中；顶部凹槽中注入有塑模材料；第一引线柱若干根，分设于基板底部凹槽内侧；第二引线柱若干根，分设于芯片四周，第一引线柱与第二引线柱一一对应，且两者贴合；以及封装用光学玻璃。本发明通过带有凹槽的基板将芯片黏合至底部凹槽中，所得结构相比传统的四方无引脚扁平封装可减少25%的体积；利用铜柱作为接合垫取代传统的引线框架，使基板制造与成型在一步工艺完成，从而满足高密度封装要求；本发明制作成本较低，比晶圆级封装和3D封装更具实际应用价值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119427349A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202411502418.2
申请日：2024-10-25
Applicant: 复旦大学
IPC: B25J9/16
Abstract: 本发明涉及一种用于多场景环境下的目标驱动移动抓取控制方法，包括：输入多子场景的RGB‑D采样序列，利用带语义的稀疏3D点云来初始化整个场景的3D高斯模型；通过查询粗粒度高斯获取目标的近似位姿，导航移动底盘接近目标，将对目标进行位姿估计的范围缩小到相应子场景；在移动过程中，采用基于扩散的深度补全优化细粒度高斯，获得目标的精确位姿；针对细粒度高斯模型进行高斯编辑，通过高斯修复以得到机器人操作终点位姿；根据机器人操作起点位姿和操作终点位姿，控制机器人机械臂完成相应动作。与现有技术相比，本发明结合粗略的场景先验和精细的位姿估计，能实现高效、精准的多场景移动抓取控制，确保机器人能够在复杂多场景环境中准确执行任务。
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公开(公告)号：CN118921993A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202410974693.8
申请日：2024-07-19
Applicant: 复旦大学 , 上海集成电路制造创新中心有限公司
Abstract: 本发明提供了一种氨气检测的柔性有机晶体管阵列及其制备方法，包括衬底、栅极、介电层、有机小分子半导体异质结、源极和漏极，栅极覆盖衬底的一面，介电层覆盖栅极背向衬底的一面；有机小分子半导体异质结包括上层材料和下层材料，下层材料覆盖介电层背向栅极的一面，上层材料覆盖下层材料背向介电层的一面，源极和漏极覆盖上层材料背向下层材料的一面的一部分。本发明利用叠层的有机小分子半导体异质结对氨气进行感知，该上层材料能够增强源极和漏极到下层材料的空穴载流子注入，从而提高有机异质结晶体管的性能。该下层材料能够促进表面有机小分子材料的生长，提高阵列器件对氨气检测的响应度和灵敏度。
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公开(公告)号：CN113964231B
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202111156457.8
申请日：2021-09-30
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L31/113 , H01L31/0352 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开一种感光增强的视觉神经形态器件及其制备方法。该感光增强的视觉神经形态器件包括：衬底；背栅电极，形成在所述衬底上；底层介质/钙钛矿量子点/顶层介质叠层结构，形成在所述背栅电极上，其中，所述底层介质和所述顶层介质为致密的氧化物，并且具有氧空位缺陷，所述底层介质作为存储功能层；二维材料层，其为能带可与可见光波段进行匹配，在光照的作用下可以产生空穴电子对，并且电子占据主导作用的n型二维材料，作为沟道，实现基础感光功能，形成在所述顶层介质上；源电极和漏电极，形成在所述二维材料层的两端；利用钙钛矿量子点与二维材料的耦合作用增强器件感光效应，在同一器件实现光学信息的感知、计算与存储功能。
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公开(公告)号：CN115078489B
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202210608899.X
申请日：2022-05-31
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明公开一种嗅觉与视觉集成的仿生感知器件及其制备方法。该嗅觉与视觉集成的仿生感知器件包括：柔性衬底；MXene纳米片薄膜，形成在所述柔性衬底上；透明电极，其为叉指状，形成在所述MXene纳米片薄膜上，向MXene纳米片薄膜的表面施加光学信号与气体信号的多模式刺激，获得仿生嗅觉与视觉感知功能，以及对感知得到的信息的处理计算和对计算结果的存储功能，实现在同一器件的感存算功能的集成。
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公开(公告)号：CN117727797A
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202311748792.6
申请日：2023-12-19
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/786 , H01L29/24 , H01L29/51 , H01L29/423 , H01L21/34 , H01L21/44
Abstract: 本发明公开一种兼具高速与低功耗的存算一体器件及其制备方法。该器件包括：Si/SiO2衬底，其中，SiO2层形成有凹槽；底电极，形成在所述SiO2层的凹槽中，其顶部高出所述SiO2层的表面；铁电栅介质层，其为HfLaO铁电薄膜，形成在所述衬底上，覆盖所述底电极；沟道层，其为ITO薄膜，形成在所述HfLaO铁电薄膜上；源电极和漏电极，形成在所述ITO薄膜两侧。该器件具有高速和低功耗的优点，有望成为新一代人工突触的有力竞争者，在未来类脑芯片中得到应用。
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