公开(公告)号：CN100503880C

公开(公告)日：2009-06-24

申请号：CN200710037907.5

申请日：2007-03-08

Applicant: 复旦大学

Inventor： 谢琦 ,  蒋玉龙 ,  屈新萍 ,  茹国平 ,  李炳宗

IPC: C23C14/06 ,  C23C14/18 ,  C23C14/58 ,  C22F1/08

Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体为一种纳米尺度孪晶铜薄膜的制备方法。其步骤为先制备一种和铜不易发生互溶、扩散、反应的但具有高界面能的衬底，用常规物理气相淀积的方法沉积铜薄膜，在刚淀积的铜薄膜中即可产生纳米尺度孪晶。为增大铜晶粒尺寸并且提高铜孪晶密度还可以进行适当温度的退火处理。本方法仅需要制备一种衬底就可以用常规物理气相淀积的方法制备孪晶铜薄膜，因此具有简单、方便、实用性强的特点。

公开(公告)号：CN102110601B

公开(公告)日：2012-12-12

申请号：CN201010572181.7

申请日：2010-12-03

Applicant: 复旦大学

Inventor： 于浩 ,  蒋玉龙 ,  茹国平 ,  屈新萍 ,  李炳宗

IPC: H01L21/312 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/20 ,  H01L21/324

Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体涉及一种制备可以测量金属-氧化物-半导体（MOS）电容器低频电容-电压（CV）特性的器件结构的自对准工艺方法。该方法采用自对准工艺制作一种简易的源漏短接MOSFET结构，将源漏接地或者电源，因而在MOS电容器处于反型区时，反型载流子跟得上交流测量信号的变化，使MOS结构在高频CV测量时能表现出低频CV曲线特性，从而可以替代标准的准静态测量获得MOS电容器的低频CV曲线。整个工艺实现方法全程只使用一次光刻步骤，具有工艺自对准且简单易行的优点。该方法可以很好地移植到测量以高K或其他介质层材料为绝缘体的金属-绝缘体-半导体（MIS）电容器低频CV曲线中去。

公开(公告)号：CN102184975A

公开(公告)日：2011-09-14

申请号：CN201110089411.9

申请日：2011-04-11

Applicant: 复旦大学

Inventor： 梁萌 ,  蒋玉龙 ,  茹国平 ,  屈新萍 ,  李炳宗 ,  张卫

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/04 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明属于太阳能电池技术领域，具体为一种能增加光电转换效率的薄膜太阳能电池及其制造方法。本发明的薄膜太阳能电池是在传统硅薄膜太阳能电池表面电极上加入周期性纳米尺寸金属铝圆柱体，引入局域表面等离激元共振效应，使吸收效率得到大幅提升，从而提高太阳能电池的光电转换效率。与传统硅薄膜太阳能电池相比，加入纳米铝圆柱体的硅薄膜太阳能电池具有转换效率高的优点，且工艺实现只需额外增加一次光刻。与常用于等离激元增强的贵金属银相比，使用金属铝可以在得到同样（稍高）吸收增强效果的同时大幅降低生产成本。

公开(公告)号：CN102184912A

公开(公告)日：2011-09-14

申请号：CN201110096681.2

申请日：2011-04-18

Applicant: 复旦大学

Inventor： 蒋玉龙 ,  于浩 ,  谢琦 ,  茹国平 ,  屈新萍 ,  李炳宗 ,  张卫

IPC: H01L23/532 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体涉及一种提升铜与镍硅化合物直接接触热稳定性的叠层接触结构。因为铜的导电性比钨好，因此在集成电路芯片第一层互连线与晶体管源、漏、栅极所用的镍硅化合物电极间可以利用铜塞替代传统钨塞。本发明具体采用铜/钽/氮化钽/钽/镍硅化合物，或者铜/氮化钽/钽/镍硅化合物的接触结构。实验证实，钽与镍硅化合物的直接接触可以很好地提升镍硅化合物的热稳定性，而氮化钽可以有效地阻止铜的扩散，故而该叠层结构可以很好地提高铜与镍硅化合物接触的热稳定性，进而提高器件可靠性，具有良好的应用前景。

公开(公告)号：CN102110601A

公开(公告)日：2011-06-29

申请号：CN201010572181.7

申请日：2010-12-03

Applicant: 复旦大学

Inventor： 于浩 ,  蒋玉龙 ,  茹国平 ,  屈新萍 ,  李炳宗

IPC: H01L21/312 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/20 ,  H01L21/324

Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体涉及一种制备可以测量金属-氧化物-半导体（MOS）电容器低频电容-电压（CV）特性的器件结构的自对准工艺方法。该方法采用自对准工艺制作一种简易的源漏短接MOSFET结构，将源漏接地或者电源，因而在MOS电容器处于反型区时，反型载流子跟得上交流测量信号的变化，使MOS结构在高频CV测量时能表现出低频CV曲线特性，从而可以替代标准的准静态测量获得MOS电容器的低频CV曲线。整个工艺实现方法全程只使用一次光刻步骤，具有工艺自对准且简单易行的优点。该方法可以很好地移植到测量以高K或其他介质层材料为绝缘体的金属-绝缘体-半导体（MIS）电容器低频CV曲线中去。

公开(公告)号：CN101016616A

公开(公告)日：2007-08-15

申请号：CN200710037907.5

申请日：2007-03-08

Applicant: 复旦大学

Inventor： 谢琦 ,  蒋玉龙 ,  屈新萍 ,  茹国平 ,  李炳宗

IPC: C23C14/06 ,  C23C14/18 ,  C23C14/58 ,  C22F1/08

Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体为一种纳米尺度孪晶铜薄膜的制备方法。其步骤为先制备一种和铜不易发生互溶、扩散、反应的但具有高界面能的衬底，用常规物理气相淀积的方法沉积铜薄膜，在刚淀积的铜薄膜中即可产生纳米尺度孪晶。为增大铜晶粒尺寸并且提高铜孪晶密度还可以进行适当温度的退火处理。本方法仅需要制备一种衬底就可以用常规物理气相淀积的方法制备孪晶铜薄膜，因此具有简单、方便、实用性强的特点。