公开(公告)号：CN102543886A

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201210001500.8

申请日：2012-01-05

Applicant: 复旦大学

Inventor： 王鹏飞 ,  刘晓勇 ,  孙清清 ,  张卫

IPC: H01L21/8247 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7391 ,  H01L29/8616

Abstract: 本发明属于半导体存储器器件制造技术领域，具体公开了一种栅控二极管半导体存储器器件的制造方法。本发明中，当浮栅电压较高时，浮栅下面的沟道是n型，器件就是简单的栅控pn结结构；通过背栅控制ZnO薄膜的有效n型浓度，通过浮栅实现将n型ZnO反型为p型，又用NiO作为p型半导体，形成n-p-n-p的掺杂结构；而浮栅内的电荷多少又决定了这个器件的阈值电压，从而实现了存储器的功能。本发明工艺过程简单、制造成本低，所制造的栅控二极管存储器器件具有大驱动电流、小亚阈值摆幅的优点，可以降低芯片功耗。本发明通过低温工艺生产，特别适用于基于柔性衬底的半导体器件以及平板显示、浮栅存储器等器件的制造中。

公开(公告)号：CN103219369B

公开(公告)日：2015-10-28

申请号：CN201310098550.7

申请日：2013-03-25

Applicant: 复旦大学

Inventor： 王鹏飞 ,  刘晓勇 ,  张卫

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/778 ,  H01L21/28 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明属于高电子迁移率器件技术领域，具体涉及一种低寄生电阻高电子迁移率器件及其制备方法。本发明采用先栅工艺制造高电子迁移率器件，利用栅极侧墙来实现栅极与源极位置的自对准，减小了产品参数的漂移，同时，由于栅极被钝化层保护，可以在栅极形成之后通过外延工艺来形成器件的源极与漏极，降低了源、漏寄生电阻，增强了高电子迁移率器件的电学性能。

公开(公告)号：CN104183594A

公开(公告)日：2014-12-03

申请号：CN201410404475.7

申请日：2014-08-17

Applicant: 复旦大学

Inventor： 王鹏飞 ,  刘晓勇 ,  黄泓帆 ,  张卫

IPC: H01L27/02

Abstract: 本发明属于半导体功率器件技术领域，具体为一种采用半浮栅结构的氮化镓功率器件。该氮化镓功率器件包括一个常开型高压氮化镓高电子迁移率晶体管和一个常关型低压氮化镓高电子迁移率晶体管，其中常开型高压氮化镓高电子迁移率晶体管的第一源极和第一控制栅分别与常关型低压氮化镓高电子迁移率晶体管的第二漏极和第二控制栅连接；且常开型高压氮化镓高电子迁移率晶体管的第一浮栅通过一个第一二极管与常关型低压氮化镓高电子迁移率晶体管的第二源极连接。本发明的氮化镓功率器件可以在同一个氮化镓基底上形成，结构简单、易于封装、适合高压、高速操作并且具有很高的可靠性。

公开(公告)号：CN102543886B

公开(公告)日：2014-09-03

申请号：CN201210001500.8

申请日：2012-01-05

Applicant: 复旦大学

Inventor： 王鹏飞 ,  刘晓勇 ,  孙清清 ,  张卫

IPC: H01L21/8247 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7391 ,  H01L29/8616

Abstract: 本发明属于半导体存储器器件制造技术领域，具体公开了一种栅控二极管半导体存储器器件的制造方法。本发明中，当浮栅电压较高时，浮栅下面的沟道是n型，器件就是简单的栅控pn结结构；通过背栅控制ZnO薄膜的有效n型浓度，通过浮栅实现将n型ZnO反型为p型，又用NiO作为p型半导体，形成n-p-n-p的掺杂结构；而浮栅内的电荷多少又决定了这个器件的阈值电压，从而实现了存储器的功能。本发明工艺过程简单、制造成本低，所制造的栅控二极管存储器器件具有大驱动电流、小亚阈值摆幅的优点，可以降低芯片功耗。本发明通过低温工艺生产，特别适用于基于柔性衬底的半导体器件以及平板显示、浮栅存储器等器件的制造中。

公开(公告)号：CN102543723A

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201210001479.1

申请日：2012-01-05

Applicant: 复旦大学

Inventor： 王鹏飞 ,  刘晓勇 ,  孙清清 ,  张卫

IPC: H01L21/329

CPC classification number: H01L29/7391 ,  H01L29/267 ,  H01L29/66356

Abstract: 本发明属于半导体器件制造技术领域，具体公开了一种栅控二极管半导体器件的制造方法。本发明中，当栅极电压较高时，栅极下面的沟道是n型，器件就是简单的栅控pn结结构；通过背栅控制ZnO薄膜的有效n型浓度，通过栅极实现将n型ZnO反型为p型，又用NiO作为p型半导体，形成n-p-n-p的掺杂结构。本发明方法工艺过程简单、制造成本低，所制造的栅控二极管器件具有大驱动电流、小亚阈值摆幅的优点，可以降低芯片功耗，而且本发明通过低温工艺生产，特别适用于基于柔性衬底的半导体器件以及平板显示、相变存储器的读写器件的制造中。