公开(公告)号：CN101849278A

公开(公告)日：2010-09-29

申请号：CN200880015367.3

申请日：2008-04-08

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： M·P·胡齐克 ,  B·B·多里斯 ,  W·K·汉森 ,  阎红雯 ,  张郢

IPC: H01L21/20

CPC classification number: H01L29/045 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28097 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/32137 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823857 ,  H01L21/84

Abstract: 一种用于形成微电子结构的方法使用位于目标层上方的掩模层。可使用掩模层作为蚀刻掩模来蚀刻目标层，以由目标层形成端部锥形的目标层。可将额外目标层形成在端部锥形的目标层上方，且被额外掩模层所掩蔽。可蚀刻额外目标层，以形成构图的额外目标层，其与端部锥形的目标层分隔，并且邻近端部锥形的目标层没有额外目标层残留。本方法可用于制造这样的CMOS结构，该CMOS结构所包括的nFET与pFET栅极电极具有不同的nFET与pFET栅极电极材料。

公开(公告)号：CN100367515C

公开(公告)日：2008-02-06

申请号：CN200410092986.6

申请日：2004-11-12

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 朱慧珑 ,  约亨·拜因特纳 ,  布鲁斯·B·多丽丝 ,  张郢

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/12 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L29/785 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7856

Abstract: 一种场效应晶体管(FET)，包括FETs的集成电路(IC)以及一种形成FETS的方法。每个FET包括一个沿半导体(例如硅)翅片一侧的器件栅以及沿翅片反侧的一个反向偏压栅。反向偏压栅电介质与器件栅电介质在材料和/或厚度上都不同。器件阈值可以通过调节反向偏压栅电压调节。

公开(公告)号：CN1638067A

公开(公告)日：2005-07-13

申请号：CN200510004271.5

申请日：2005-01-04

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 史蒂文·W.·贝德尔 ,  布鲁斯·B.·多丽丝 ,  张郢 ,  朱慧珑

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/785 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7842 ,  H01L29/78687

Abstract: 本发明提供了一种形成缺陷减少的应变Si薄膜的方法和器件，其中所述应变Si薄膜形成在非导电衬底表面上竖直定向的翅片。所述应变Si薄膜或翅片可以形成半导体沟道，该沟道具有较小的尺寸，同时也具有较少的缺陷。所述应变Si翅片通过在驰豫SiGe块侧面上生长Si而形成。电介质栅极，例如氧化物，高k材料，或两者的组合可以在所述应变Si薄膜表面上形成。此外，在基本上不影响应变Si薄膜中的应力的情况下，驰豫SiGe块可以去除，而可以在以前被驰豫SiGe块占据的表面上形成第二栅极氧化物。因此，可以形成具有在非导电性衬底表面上竖直定向的应变Si薄膜的半导体器件，其中所述应变Si薄膜的定向可以使其形成小尺寸的沟道，而可以接近两侧和顶部，以便形成单栅极，双栅极或更多栅极的MOSFET和翅片式FET，具有缺陷数目减少的和/或尺寸减小的沟道。

公开(公告)号：CN100524667C

公开(公告)日：2009-08-05

申请号：CN200710109200.0

申请日：2004-11-02

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 张郢 ,  布鲁斯·B·多丽丝 ,  托马斯·萨弗隆·卡纳斯克 ,  杨美基 ,  贾库布·塔德尤斯·科德泽尔斯基

IPC: H01L21/336

CPC classification number: H01L29/785 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/66795

Abstract: 公开了一种场效应器件的制备方法，包括以下步骤：提供晶体半导体材料的第一层，其中所述第一层设置在绝缘体层上；制备壁和第二层的形成体，其中所述第二层设置在所述第一层上，所述壁设置在所述第二层上，其中所述壁具有内部和外部；以及将所述形成体转移到所述第一层内产生由所述晶体半导体材料组成的内核，所述内核包括所述场效应器件的本体，所述本体具有至少一个垂直取向部分和至少一个水平取向部分。

公开(公告)号：CN100382331C

公开(公告)日：2008-04-16

申请号：CN200410090135.8

申请日：2004-11-02

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 张郢 ,  布鲁斯·B·多丽丝 ,  托马斯·萨弗隆·卡纳斯克 ,  杨美基 ,  贾库布·塔德尤斯·科德泽尔斯基

IPC: H01L29/772 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/785 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/66795

Abstract: 公开了一种场效应器件，具有由晶体半导体材料形成的本体，所述本体具有至少一个垂直取向部分和至少一个水平取向部分。通过首先在掩蔽的绝缘体中形成器件，然后通过几个蚀刻步骤将该形成体转移到SOI层内，在SOI技术中制备器件。分段的场效应器件将FinFET或全耗尽的绝缘体上硅FET型器件与全耗尽的平面器件组合。该组合能用FinFET型器件控制器件的宽度。分段的FET器件能够为给定的布图设计区域提供高电流驱动并能制备高性能的处理器。

公开(公告)号：CN101079381A

公开(公告)日：2007-11-28

申请号：CN200710109200.0

申请日：2004-11-02

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 张郢 ,  布鲁斯·B·多丽丝 ,  托马斯·萨弗隆·卡纳斯克 ,  杨美基 ,  贾库布·塔德尤斯·科德泽尔斯基

IPC: H01L21/336

CPC classification number: H01L29/785 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/66795

Abstract: 公开了一种场效应器件的制备方法，包括以下步骤：提供晶体半导体材料的第一层，其中所述第一层设置在绝缘体层上；制备壁和第二层的形成体，其中所述第二层设置在所述第一层上，所述壁设置在所述第二层上，其中所述壁具有内部和外部；以及将所述形成体转移到所述第一层内产生由所述晶体半导体材料组成的内核，所述内核包括所述场效应器件的本体，所述本体具有至少一个垂直取向部分和至少一个水平取向部分。

公开(公告)号：CN1992275A

公开(公告)日：2007-07-04

申请号：CN200610148517.0

申请日：2006-11-17

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 陈自强 ,  V·K·帕鲁许里 ,  V·纳拉亚南 ,  A·C·卡勒伽里 ,  张郢 ,  B·B·多里斯 ,  M·P·胡齐克 ,  M·L·斯特恩 ,  Y-H·金

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238 ,  H01L29/78 ,  H01L29/49 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/823857 ,  H01L21/28044 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/823842 ,  H01L29/4925 ,  H01L29/495 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517

Abstract: 提供了一种半导体结构及其制造方法，其中所述结构包括至少一个nFET器件区和至少一个pFET器件区，其中至少一个所述器件是减薄的含Si栅极的器件，而另一个器件是金属栅极的器件。也就是说，本发明提供了一种半导体结构，其中所述nFET或pFET器件的至少一者包括由减薄的含Si电极即多晶硅电极以及上覆的第一金属构成的栅电极叠层，而另一器件包括具有至少所述第一金属栅极但没有所述减薄的含Si电极的栅电极叠层。

公开(公告)号：CN1779903A

公开(公告)日：2006-05-31

申请号：CN200510113827.4

申请日：2005-10-19

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 张郢 ,  阎红雯 ,  杨庆云

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/28132 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/32137 ,  H01L21/32139

Abstract: 公开了一种用于图形化MOSFET栅极的方法，包括以下步骤：在所述栅极电介质上形成一层栅极材料；在栅极材料层上沉积非晶Si层；在非晶Si层的顶上沉积氮化物覆盖层；图形化氮化物覆盖层和非晶Si层，使得侧壁暴露在非晶Si层上；在侧壁上生长氧化物带；去除图形化的氮化物覆盖层和非晶Si层，同时在适当位置留下氧化物带；在图形化栅极材料时使用氧化物带作为掩模。

公开(公告)号：CN1627531A

公开(公告)日：2005-06-15

申请号：CN200410090135.8

申请日：2004-11-02

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 张郢 ,  布鲁斯·B·多丽丝 ,  托马斯·萨弗隆·卡纳斯克 ,  杨美基 ,  贾库布·塔德尤斯·科德泽尔斯基

IPC: H01L29/772 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/785 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/66795

Abstract: 公开了一种场效应器件，具有由晶体半导体材料形成的本体，所述本体具有至少一个垂直取向部分和至少一个水平取向部分。通过首先在掩蔽的绝缘体中形成器件，然后通过几个蚀刻步骤将该形成体转移到SOI层内，在SOI技术中制备器件。分段的场效应器件将FinFET或全耗尽的绝缘体上硅FET型器件与全耗尽的平面器件组合。该组合能用FinFET型器件控制器件的宽度。分段的FET器件能够为给定的布图设计区域提供高电流驱动并能制备高性能的处理器。