公开(公告)号：CN101032008A

公开(公告)日：2007-09-05

申请号：CN200680000931.5

申请日：2006-06-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 守谷修司 ,  冈部庸之 ,  衣斐宽之 ,  清水哲夫 ,  北川均

IPC: H01L21/324 ,  H01L21/02 ,  H01L21/205 ,  G01F1/00 ,  G05D7/06

CPC classification number: G05D7/0658 ,  C23C16/455 ,  C23C16/45561 ,  C23C16/52

Abstract: 本发明提供一种半导体制造装置，能够正确地检测基于基板处理时实际产生的热虹吸现象的零点漂移量并进行可靠修正，包括：将气体供给到热处理部(110)内的气体供给路(210)，比较来自检测气体供给路的气体流量的检测部的输出电压与对应于预先设定的设定流量的设定电压，控制气体供给路的气体流量为设定流量的MFC(240)和控制部(300)，控制部实行基板处理前预先至少利用基板处理时使用的气体置换MFC内并在关闭设置在MFC上游侧与下游侧的截止阀(230、250)的状态下检测来自MFC的输出电压并储存于存储装置，在实行基板处理时基于储存于存储装置的MFC的输出电压修正对应于基板处理时使用气体的气体流量的设定电压，在MFC中设定修正的设定电压。

公开(公告)号：CN108369905A

公开(公告)日：2018-08-03

申请号：CN201680071744.X

申请日：2016-10-25

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 斋藤幸正 ,  日向寿树 ,  土桥和也 ,  池田恭子 ,  守谷修司

IPC: H01L21/304 ,  C23C14/02 ,  C23C16/02 ,  H01L21/302

CPC classification number: C23C14/02 ,  C23C16/02 ,  H01L21/302 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明涉及基板清洗装置。对晶圆(W)照射气体团簇从而清洗晶圆(W)的基板清洗装置(100)具有：腔室(1)，其收容晶圆(W)；旋转台(4)，其在腔室(1)内将晶圆(W)支承为能够旋转；喷嘴部(13)，其对支承到旋转台(4)的晶圆(W)照射气体团簇；喷嘴移动部件(10)，其对气体团簇在晶圆(W)上的照射位置进行扫描；排气口(32)，其用于对腔室(1)进行排气；以及控制机构(50)，其以对晶圆(W)的基于旋转台(4)的旋转方向和气体团簇的照射位置的扫描方向进行控制来抑制颗粒再附着于晶圆(W)的方式，控制颗粒的飞散方向。

公开(公告)号：CN105122432B

公开(公告)日：2017-12-08

申请号：CN201480022312.0

申请日：2014-03-05

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 高桥信博 ,  高桥哲朗 ,  守谷修司 ,  松本雅至 ,  松永淳一郎

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/31116

Abstract: 将在表面上具有氮化硅膜且具有与氮化硅膜相邻地设置的多晶硅膜和/或氧化硅膜的被处理基板(W)配置在腔室(40)内，将含F气体和O2气体以至少将O2气体激励后的状态向腔室(40)内供给，由此，相对于多晶硅膜和/或氧化硅膜选择性地对氮化硅膜进行蚀刻。

公开(公告)号：CN102356451B

公开(公告)日：2014-02-19

申请号：CN201080012229.7

申请日：2010-03-30

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 守谷修司 ,  进藤丰彦 ,  田村登

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/44 ,  H01L21/3065

CPC classification number: C23C16/4402 ,  C23C16/448 ,  C23C16/4488 ,  C23C16/452 ,  C23C16/45561 ,  C23C16/52

Abstract: 本发明提供一种处理装置。其包括用于对被处理体进行处理的处理容器，其包括：气体供给流路，其至少一部分由金属构成，并且用于将含有卤素的腐蚀性气体向上述处理容器内供给；稳定化反应处理部，其具有能量产生器和障碍物中的至少一种，该能量产生器用于向在上述气体供给流路的金属部分中流过的上述腐蚀性气体供给光能或者热能，该障碍物被设置成通过使在上述气体供给流路的金属部分中流过的上述腐蚀性气体与该障碍物碰撞而产生作用于上述腐蚀性气体的碰撞能量，该稳定化反应处理部用于进行利用上述光能、热能以及碰撞能量之中的至少一种使包含上述腐蚀性气体所含有的卤素和上述金属的化合物稳定化的反应；捕捉部件，其用于对在上述稳定化反应处理部中被稳定化的化合物进行捕捉。

公开(公告)号：CN101680561A

公开(公告)日：2010-03-24

申请号：CN200880017711.2

申请日：2008-05-26

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  株式会社富士金

Inventor： 大加濑亘 ,  守谷修司 ,  中田知宏 ,  筱原努 ,  山路道雄

IPC: F16K27/00 ,  H01L21/02 ,  F17D1/04 ,  C23C16/455

CPC classification number: F16K27/003 ,  Y10T137/598 ,  Y10T137/87885 ,  Y10T137/87917

Abstract: 本发明提供一种流体控制装置，能够实现零件数量的削减和组装作业效率的提高。相对的拆卸频率较高的压力显示器(4)通过来自上方的螺钉部件(17)与位于下方的基座块(5)结合。相对的拆卸频率较低的开闭阀(6)在下方具有一体设置的块状主体(6a)。开闭阀(6)的主体(6a)被前后方向上的螺钉部件(18)结合在基座块(5)上。

公开(公告)号：CN101409213A

公开(公告)日：2009-04-15

申请号：CN200810161356.8

申请日：2008-09-23

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 守谷修司

IPC: H01L21/00 ,  C23C16/455

Abstract: 本发明提供与现有技术比较，能够减少由气体供给装置产生金属杂质的可能性，实现提高生产率的气体供给装置，半导体制造装置和气体供给装置用部件。气体供给装置1的连接用座体22由耐腐蚀性座体部件22a和金属制座体部件22b构成，其中耐腐蚀性座体部件22a，由对气体具有耐腐蚀性的陶瓷或贵金属构成、并且构成与气体接触的接触气体部；金属制座体部件22b，具有用于嵌合耐腐蚀性座体部件22a的嵌合孔28、并且保护所述耐腐蚀性座体部件22a。