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公开(公告)号：CN1813342A
公开(公告)日：2006-08-02
申请号：CN200480018173.0
申请日：2004-06-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 一种环形等离子发生装置中的等离子发生方法，其中所述等离子发生装置包括：具有气体入口和气体出口并形成环形通路的气体通路、以及缠绕在所述气体通路的一部分上的线圈，所述等离子发生方法包括下述工序，即：向所述气体通路中提供含有至少5％的NF3的Ar气体和NF3气体的混合气体，并由高频电能驱动所述线圈，从而使等离子点火的工序，其中所述等离子点火工序是在6.65～66.5Pa的全压力下施行的。
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公开(公告)号：CN102356451B
公开(公告)日：2014-02-19
申请号：CN201080012229.7
申请日：2010-03-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/205 , C23C16/44 , H01L21/3065
CPC classification number: C23C16/4402 , C23C16/448 , C23C16/4488 , C23C16/452 , C23C16/45561 , C23C16/52
Abstract: 本发明提供一种处理装置。其包括用于对被处理体进行处理的处理容器，其包括：气体供给流路，其至少一部分由金属构成，并且用于将含有卤素的腐蚀性气体向上述处理容器内供给；稳定化反应处理部，其具有能量产生器和障碍物中的至少一种，该能量产生器用于向在上述气体供给流路的金属部分中流过的上述腐蚀性气体供给光能或者热能，该障碍物被设置成通过使在上述气体供给流路的金属部分中流过的上述腐蚀性气体与该障碍物碰撞而产生作用于上述腐蚀性气体的碰撞能量，该稳定化反应处理部用于进行利用上述光能、热能以及碰撞能量之中的至少一种使包含上述腐蚀性气体所含有的卤素和上述金属的化合物稳定化的反应；捕捉部件，其用于对在上述稳定化反应处理部中被稳定化的化合物进行捕捉。
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公开(公告)号：CN101333666B
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN200810094770.1
申请日：2004-06-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
Abstract: 本发明提供等离子产生方法、清洗方法以及衬底处理方法。一种环形等离子发生装置中的等离子发生方法，其中所述等离子发生装置包括：具有气体入口和气体出口并形成环形通路的气体通路、以及缠绕在所述气体通路的一部分上的线圈，所述等离子发生方法包括下述工序，即：向所述气体通路中提供含有至少5％的NF3的Ar气体和NF3气体的混合气体，并由高频电能驱动所述线圈，从而使等离子点火的工序，其中所述等离子点火工序是在6.65～66.5Pa的全压力下执行的。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1278386C
公开(公告)日：2006-10-04
申请号：CN01816575.3
申请日：2001-09-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/205 , H01L21/285 , C23C16/44
CPC classification number: C23C16/45544 , C23C16/34 , C23C16/45527 , C23C16/4586 , C23C16/46 , C23C16/463 , C23C16/466 , H01L21/28562 , H01L21/67109
Abstract: 本发明提供一种热处理装置，其包括：容器；设置在上述容器内、在载置被处理体的同时、可以加热上述被处理体的加热板；向上述加热板供给电力的供电器件；在隔着间隙载置上述加热板的同时、可以冷却上述加热板的冷却块；和用于向上述空隙导入热传导气体的气体导入路。
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公开(公告)号：CN101333666A
公开(公告)日：2008-12-31
申请号：CN200810094770.1
申请日：2004-06-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供等离子产生方法、清洗方法以及衬底处理方法。一种环形等离子发生装置中的等离子发生方法，其中所述等离子发生装置包括：具有气体入口和气体出口并形成环形通路的气体通路、以及缠绕在所述气体通路的一部分上的线圈，所述等离子发生方法包括下述工序，即：向所述气体通路中提供含有至少5％的NF3的Ar气体和NE3气体的混合气体，并由高频电能驱动所述线圈，从而使等离子点火的工序，其中所述等离子点火工序是在6.65～66.5Pa的全压力下执行的。
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公开(公告)号：CN102356451A
公开(公告)日：2012-02-15
申请号：CN201080012229.7
申请日：2010-03-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/205 , C23C16/44 , H01L21/3065
CPC classification number: C23C16/4402 , C23C16/448 , C23C16/4488 , C23C16/452 , C23C16/45561 , C23C16/52
Abstract: 本发明提供一种处理装置。其包括用于对被处理体进行处理的处理容器，其包括：气体供给流路，其至少一部分由金属构成，并且用于将含有卤素的腐蚀性气体向上述处理容器内供给；稳定化反应处理部，其具有能量产生器和障碍物中的至少一种，该能量产生器用于向在上述气体供给流路的金属部分中流过的上述腐蚀性气体供给光能或者热能，该障碍物被设置成通过使在上述气体供给流路的金属部分中流过的上述腐蚀性气体与该障碍物碰撞而产生作用于上述腐蚀性气体的碰撞能量，该稳定化反应处理部用于进行利用上述光能、热能以及碰撞能量之中的至少一种使包含上述腐蚀性气体所含有的卤素和上述金属的化合物稳定化的反应；捕捉部件，其用于对在上述稳定化反应处理部中被稳定化的化合物进行捕捉。
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公开(公告)号：CN100433273C
公开(公告)日：2008-11-12
申请号：CN200480018173.0
申请日：2004-06-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 一种环形等离子发生装置中的等离子发生方法，其中所述等离子发生装置包括：具有气体入口和气体出口并形成环形通路的气体通路、以及缠绕在所述气体通路的一部分上的线圈，所述等离子发生方法包括下述工序，即：向所述气体通路中提供含有至少5%的NF3的Ar气体和NF3气体的混合气体，并由高频电能驱动所述线圈，从而使等离子点火的工序，其中所述等离子点火工序是在6.65～66.5Pa的全压力下施行的。
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公开(公告)号：CN1531743A
公开(公告)日：2004-09-22
申请号：CN01816575.3
申请日：2001-09-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/205 , H01L21/285 , C23C16/44
CPC classification number: C23C16/45544 , C23C16/34 , C23C16/45527 , C23C16/4586 , C23C16/46 , C23C16/463 , C23C16/466 , H01L21/28562 , H01L21/67109
Abstract: 将载置单晶片W并在内部具备加热器(22)的加热板(21)载置于在内部具备冷却介质室的冷却块(16)上。在冷却块(16)上设置贯穿其的气体导入管(33)。气体导入管(33)与加热板(21)和冷却块(16)的间隙(41)相连，可以将作为热传导气体的He气体供给至间隙(41)。另外，间隙(41)连接有气体吸引管(34)，可以吸引He气体。
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