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公开(公告)号：CN115627457B
公开(公告)日：2024-04-23
申请号：CN202211006452.1
申请日：2022-08-22
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种铜表面DLC膜层制备方法，本发明涉及一种铜表面DLC膜层制备方法。本发明的目的是为了解决现有技术中铜基体表面沉积DLC膜层结合力差、耐腐蚀性差的问题。本发明通过在铜基体表面引入适量的氧元素，采用高压脉冲的电离氧气，获得高能氧离子，轰击铜基体表面，达到氧注入铜基体和活化铜表面形成适量的氧化铜的效果。之后，进行氧与四甲基硅烷混合气体放电，沉积打底层，目的为了形成Cu‑O‑Si网链结构，提高了Cu与类金刚石膜层之间的结合力。本发明应用于DLC膜层制备领域。
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公开(公告)号：CN115627457A
公开(公告)日：2023-01-20
申请号：CN202211006452.1
申请日：2022-08-22
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种铜表面DLC膜层制备方法，本发明涉及一种铜表面DLC膜层制备方法。本发明的目的是为了解决现有技术中铜基体表面沉积DLC膜层结合力差、耐腐蚀性差的问题。本发明通过在铜基体表面引入适量的氧元素，采用高压脉冲的电离氧气，获得高能氧离子，轰击铜基体表面，达到氧注入铜基体和活化铜表面形成适量的氧化铜的效果。之后，进行氧与四甲基硅烷混合气体放电，沉积打底层，目的为了形成Cu‑O‑Si网链结构，提高了Cu与类金刚石膜层之间的结合力。本发明应用于DLC膜层制备领域。
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公开(公告)号：CN114855136A
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202210499768.2
申请日：2022-05-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 利用可变磁控靶磁场调控薄膜结构和成分的镀膜系统及镀膜方法，属于磁控溅射薄膜沉积技术领域，本发明为解决现有技术针对不同成分和结构的复合薄膜制备工艺存在膜层成分和结构调控过程较为复杂的问题。它包括：将待镀件置于真空腔内，变化的靶头内部磁场使得待镀件获得不同结构和成分的薄膜；改变靶头内部磁场包括两种方式：方式一、靶头永磁铁相对靶材进行移动；方式二、将靶头永磁铁替换为电磁铁，或将靶头永磁铁替换为混合使用永磁铁与电磁铁，改变电磁铁的磁场强度；不同结构和成分的薄膜包括：成分或结构周期性变化的多层膜、梯度变化的梯度膜和特定成分变化的薄膜。本发明用于制备复合薄膜。
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公开(公告)号：CN110129742B
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN201910548524.7
申请日：2019-06-24
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种超硬强韧TiSiCN硬质涂层的制备方法，它涉及一种超硬强韧TiSiCN硬质涂层的制备方法。本发明的目的是为了解决现有多弧工艺中加入TMS后，弧靶很容易中毒，导致放电不稳定、偏流降低，膜层质量不好的问题，本发明以氮气和由含碳、硅元素的有机硅为反应气体，经过基体的清洗干燥、离子增强辉光刻蚀、沉积过渡层、将TiSiCN涂层沉积于基体表面。本发明涂层具有高硬度以及优异的断裂韧性，克服了涂层硬度高但韧性不足的问题，膜的硬度高达47.1GPa，压痕韧性5.22MPa·m1/2。本发明应用于硬质涂层技术领域。
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公开(公告)号：CN109402612A
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201811391383.4
申请日：2018-11-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C23C16/515 , C23C16/24 , C23C16/26 , C23C16/02
Abstract: 本发明的利用自源自偏压空心阴极放电法沉积DLC薄膜的装置及基于该装置沉积DLC薄膜的方法，涉及沉积DLC薄膜的装置和方法，目的是为了克服由于现有技术所采用方法的局限性，导致无法灵活地对工件的局部进行镀膜的问题，装置包括笼网、真空室、高压脉冲电源、偏压脉冲电源和解耦装置；笼网笼罩在待镀膜工件表面需镀膜区域，笼网与待镀膜工件之间具有间隙且绝缘，笼网与待镀膜工件总体构成空心阴极放电结构；方法具体步骤如下：步骤一、沉积硅过渡层；步骤二、沉积薄膜。本发明的有益效果是：装置简单，笼网大小可以根据所需镀膜范围任意调节，能够满足不同尺寸表面的局部镀膜要求，灵活性好。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105112883B
公开(公告)日：2017-10-03
申请号：CN201510475012.4
申请日：2015-08-05
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 偏压调控栅网等离子体浸没离子沉积DLC方法。它涉及等离子体浸没离子沉积DLC方法。本发明是要解决现有MPIID方法沉积DLC薄膜存在结合力差、薄膜性能不易调控及大型或复杂零件沉积DLC膜不均匀性的问题。方法：一、将栅网连同工件置于真空室内，工件放到栅网内样品架上，栅网与工件绝缘，栅网接栅网高压脉冲电源，工件接工件高压脉冲电源；二、工件溅射清洗；三、等离子氮化处理；四、溅射刻蚀处理；五、SiC过渡层制备；六、偏压调控薄膜的制备。本发明用于制备偏压调控栅网等离子体浸没离子沉积DLC膜。
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公开(公告)号：CN101365289B
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN200810137235.X
申请日：2008-09-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 空心阴极耦合正偏压管筒内表面注入离子的装置及方法，它涉及一种管筒内表面注入离子的方法及装置。本发明解决了在较细的管筒内产生等离子体困难的问题。装置是：空心阴极管(9)的一端设置在工件管筒(10)内，高压脉冲电源(7)的正极通过低通滤波器(6)连到空心阴极管(9)上，射频电源系统(3)通过匹配保护电路(4)连到空心阴极管(9)上；方法是：气体在射频脉冲的作用下在空心阴极管内产生等离子体，等离子体受到电场的作用，飞向工件管筒(10)内壁形成离子注入。本发明通过在工件管筒内放入空心阴极管，减小了被处理工件管筒的直径，并能容易建立等离子体，通过使空心阴极管处于脉冲正偏压，提高了工件管筒内表面离子注入效率。
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公开(公告)号：CN101705468A
公开(公告)日：2010-05-12
申请号：CN200910308258.7
申请日：2009-10-14
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 缓释型骨架式TiN/Cu-Zn金属层抗菌薄膜的制备方法，本发明涉及一种抗菌膜的制备方法。本发明解决了现有方法制备的抗菌膜抗菌效果持久性差的问题。本方法如下：一、将基体放入真空室靶台上，然后加热至200℃，再溅射清洗20min；二、在氩气流量为6sccm、氮气流量为2sccm、沉积气压为0.56Pa、基体沉积偏压为复合偏压的条件下转动真空室的靶台，在基体表面交替沉积TiN层和金属层，至膜层总厚度为0.1μm～10μm，得到缓释型骨架式TiN/Cu-Zn金属层抗菌薄膜。本发明所得的缓释型骨架式TiN/Cu-Zn金属层抗菌薄膜经过三个月浸泡后离子溶出速度没有下降，并且对大肠杆菌的抗菌率仍能达到97％以上。
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公开(公告)号：CN101700592A
公开(公告)日：2010-05-05
申请号：CN200910310588.X
申请日：2009-11-27
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种离子注入沉积前处理钎焊异种难焊金属的方法，涉及一种处理钎焊异种难焊金属的方法。它解决了现有离子注入用于异种金属焊接仅适用于异种金属的冷压焊和扩散焊，无法进行钎焊的问题。方法：一、对高熔点母材金属表面进行物理清理和化学清洗，然后置于真空室中并抽本底真空，进行注入沉积前处理；二、对低熔点母材金属进行物理清理和化学清洗，然后与注入沉积前处理后的高熔点母材进行搭接固定，放置钎料并涂覆钎剂，得工件；三、预热焊接炉到钎焊温度，然后将工件置于焊接炉进行钎焊，保温后取出空冷，即完成。本发明提到的离子注入沉积的方法，在待焊母材表面形成的改性层无明显界面，改性层与母材结合好，适用于异种难焊金属进行钎焊。
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公开(公告)号：CN101550579A
公开(公告)日：2009-10-07
申请号：CN200910071792.0
申请日：2009-04-16
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C25D11/02
Abstract: 大尺寸工件表面电场拘束微距微弧氧化的处理方法及装置，它涉及一种工件表面微弧氧化的处理方法及装置。本发明解决了现有的微弧氧化的处理方法及装置存在的阴阳电极间距离较大和电输出能量的利用率低的问题。本发明装置的导电栅网阴极设置在屏蔽套内，导电栅网阴极设置在屏蔽套的底端面上，屏蔽套的底端面上设有四个支脚，支脚的高度为0.5mm～5mm；本发明方法的主要步骤为：安装大尺寸待处理阳极工件；安装导电栅网阴极；安装阴极装置；连接往复运动装置；启动搅拌装置，同时进行微弧氧化。本发明通过导电栅网阴极与屏蔽套实现了微距微弧氧化，增大了电源输出能量的利用率，进而提高了微弧氧化技术的可操作性。
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