公开(公告)号：CN105112883A

公开(公告)日：2015-12-02

申请号：CN201510475012.4

申请日：2015-08-05

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 田修波 ,  吴明忠 ,  巩春志

IPC: C23C16/27 ,  C23C16/02 ,  C23C16/44

Abstract: 偏压调控栅网等离子体浸没离子沉积DLC方法。它涉及等离子体浸没离子沉积DLC方法。本发明是要解决现有MPIID方法沉积DLC薄膜存在结合力差、薄膜性能不易调控及大型或复杂零件沉积DLC膜不均匀性的问题。方法：一、将栅网连同工件置于真空室内，工件放到栅网内样品架上，栅网与工件绝缘，栅网接栅网高压脉冲电源，工件接工件高压脉冲电源；二、工件溅射清洗；三、等离子氮化处理；四、溅射刻蚀处理；五、SiC过渡层制备；六、偏压调控薄膜的制备。本发明用于制备偏压调控栅网等离子体浸没离子沉积DLC膜。

公开(公告)号：CN105112883B

公开(公告)日：2017-10-03

申请号：CN201510475012.4

申请日：2015-08-05

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 田修波 ,  吴明忠 ,  巩春志

IPC: C23C16/27 ,  C23C16/02 ,  C23C16/44

Abstract: 偏压调控栅网等离子体浸没离子沉积DLC方法。它涉及等离子体浸没离子沉积DLC方法。本发明是要解决现有MPIID方法沉积DLC薄膜存在结合力差、薄膜性能不易调控及大型或复杂零件沉积DLC膜不均匀性的问题。方法：一、将栅网连同工件置于真空室内，工件放到栅网内样品架上，栅网与工件绝缘，栅网接栅网高压脉冲电源，工件接工件高压脉冲电源；二、工件溅射清洗；三、等离子氮化处理；四、溅射刻蚀处理；五、SiC过渡层制备；六、偏压调控薄膜的制备。本发明用于制备偏压调控栅网等离子体浸没离子沉积DLC膜。