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公开(公告)号：CN110316753B
公开(公告)日：2021-04-27
申请号：CN201910634112.5
申请日：2019-07-15
Applicant: 吉林大学
IPC: C01G3/05
Abstract: 本发明的一种羟基氯化铜材料及其合成方法属于IB族羟基氯化物材料的制备领域。制备方法以氯化铜晶体颗粒、氧化铜粉为原料，首先将原料混合后研磨2小时；然后在100～180℃下密封加热12小时，反应结束后，待其冷却至室温，进行30分钟～1小时的研磨；将上述的加热、冷却、研磨过程，再重复进行3～4次，即得到深绿色粉末的羟基氯化铜Cu(OH)Cl粉末。制备的产物是铜、羟基、氯以计量数为1:1:1的比例构成的化合物Cu(OH)Cl，是单斜系晶体，空间群为P21/a；晶体的粒径为0.7～1.5μm。本发明具有简单易行、结晶度好、生成物产量大、损费少、纯度高、反应物成本低廉等优势。
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公开(公告)号：CN110436512A
公开(公告)日：2019-11-12
申请号：CN201910674061.9
申请日：2019-07-24
Applicant: 吉林大学
IPC: C01G9/04
Abstract: 本发明的一种羟基氯化锌晶体及其制备方法属于ⅡB族羟基氯化物制备技术领域。制备方法以氢氧化锌粉末、氯化锌粉末为原料，首先将原料混合并研磨10分钟；然后将混合物在40～140℃下密封反应3～12小时；反应结束后，冷却至室温，将产物研磨得到浅黄色粉末样品，即为羟基氯化锌晶体。所述的羟基氯化锌晶体是以化学计量数为1:1:1的比例构成的化合物ZnOHCl，是正交晶系晶体，空间群为Pna21；形貌为扭曲的纳米片，厚度约为30nm。本发明利用固相-固相合成法，流程简单、节能环保、安全高效；制备出的羟基氯化锌晶体的纯度高，产物颗粒均匀，分散性好，性质稳定，可以在诸多领域得到应用。
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公开(公告)号：CN109970093A
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201910404438.9
申请日：2019-05-15
Applicant: 吉林大学
IPC: C01G3/05
Abstract: 本发明的一种羟基氯化铜晶体及其制备方法属于IB族羟基氯化物制备技术领域。首先将氢氧化钠溶液加入到三水合硝酸铜固体颗粒中，用磁力搅拌器搅拌10分钟，加入盐酸溶液继续搅拌5分钟，再加入六次甲基四胺继续搅拌5分钟，将得到的混合物在85～135℃下密封反应2～18小时；冷却至室温，离心得到沉淀；洗涤、干燥后得到羟基氯化铜晶体。所述的羟基氯化铜晶体是γ‑Cu2(OH)3Cl，单斜系晶体，空间群P21/n；具有八面体形状，粒径为1～2μm。本发明操作简单易行、重复性好、成本低廉，制备出的Cu2(OH)3Cl晶体具有纯度高、晶粒发育完整、分布均匀等优点。
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公开(公告)号：CN109809465A
公开(公告)日：2019-05-28
申请号：CN201910287714.8
申请日：2019-04-11
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明的一种羟基溴化铜纳米片及其制备方法属于IB族羟基溴化物纳米材料的制备领域。首先将二水合硝酸铜固体颗粒和六次甲基四胺颗粒加入去离子水中，在磁力搅拌器中搅拌10分钟，然后加入溴化钾颗粒继续搅拌10～15分钟；将混合溶液在95～145℃下密封反应2～4小时；待其冷却至室温，将混合溶液离心清洗、烘干、研磨后得到羟基溴化铜纳米片。所述的羟基溴化铜纳米片，是以化学计量数为2:3:1的比例构成的化合物α-Cu2(OH)3Br，具有层状纳米片结构。本发明的方法操作简单易行、重复性好、成本低廉、反应物毒性小；制备出样品具有产量高、纯度高等优点。
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公开(公告)号：CN120024920A
公开(公告)日：2025-05-23
申请号：CN202510365302.7
申请日：2025-03-26
Applicant: 吉林大学
IPC: C01G3/00
Abstract: 本发明的一种YCu3(OH)6Cl3新相材料及其制备方法，属于高压调控技术领域。以纯的空间群为P‑3m1的准二维结构的YCu3(OH)6Cl3粉末为初始原料，利用对称式金刚石对顶砧压机进行加压，金刚石砧面直径为300μm，密封垫采用T301不锈钢片，用硅油作为传压介质，采用红宝石荧光标压技术标定压力，加压至8.9‑11.3GPa，得到一种空间群为P‑3的新高压相。卸压后，样品仍保持P‑3结构。本发明首次利用高压的方法得到了在常压下能够稳定存在的YCu3(OH)6Cl3新型空间群结构，有望拓展反铁磁阻挫材料、量子自旋液体等领域的研究，从而为其实际应用奠定基础。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115924946B
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202211539610.X
申请日：2022-12-02
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明的一种钒掺杂的羟基氧化铝纳米带及其制备方法属于ⅢA族羟基氧化物纳米材料的制备与掺杂技术领域，提供一种钒掺杂的羟基氧化铝纳米带及其制备方法。以无水AlCl3、无水VCl3和无水乙醇为原料，将无水氯化铝和无水乙醇混合均匀；然后加入无水VCl3混合均匀，倒入聚四氟乙烯内衬中，将内衬置于反应釜外壳中，设置温度为200℃的电热恒温干燥箱中，保温48小时后冷却到室温，取出聚四氟乙烯内衬中的产物，清洗、干燥、研磨后分别得到钒掺杂的羟基氧化铝纳米带粉末。纳米带的长度为50‑300nm，宽度为5‑55nm，厚度为2‑5nm，本发明的方法操作简单易行、重复性好、成本低廉且制备出样品具有产量高的优点。
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公开(公告)号：CN114988498B
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202210796421.4
申请日：2022-07-06
Applicant: 吉林大学
IPC: C01G53/09
Abstract: 本发明的一种羟基氯化镍微米花及其制备方法属于Ⅷ族羟基氯化物材料的制备领域。所述微米花，是由平直规则的六边形纳米片自组装而成，直径为2～3μm。制备方法为以六水合氯化镍、无水乙醇、六次甲基四胺为原料，首先将六水合氯化镍和无水乙醇混合均匀，之后加入六次甲基四胺继续搅拌。搅拌结束后将混合溶液倒入反应釜，在温度为120～200℃密封加热9～15h；反应结束后，待其自然冷却至室温，将产物清洗、烘干、研磨后得到样品。本发明首次合成出由六边形纳米片自组装而成羟基氯化镍微米花，制备方法成本低，产量高，为羟基卤化物层状材料的应用提供了基础。
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公开(公告)号：CN113753957B
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN202111191639.9
申请日：2021-10-13
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明的一种MgMn3(OH)6Cl2纳米材料及其制备方法属于纳米材料制备技术领域。以氯化锰颗粒、氧化锰粉末和氢氧化镁为原料，首先将氯化锰晶体颗粒研磨1小时，然后加入氢氧化镁粉末继续研磨1‑2小时，最后加入氧化锰粉末充分混合研磨2‑3小时；然后在180‑240℃下密封加热6‑12小时，反应结束后，待其冷却至室温，得到棕色的MgMn3(OH)6Cl2纳米材料，产物是菱方晶系晶体，空间群R‑3m(No.166)，晶粒具有纳米片形貌，厚度10‑70nm，颗粒大小50‑900nm。本发明具有方法简单易于实现，花费成本低，产量丰富，结晶度好等优点。
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公开(公告)号：CN113526540B
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202110748147.9
申请日：2021-07-02
Applicant: 吉林大学
IPC: C01G9/00
Abstract: 本发明的一种Cu3Zn(OH)6Cl2晶体及其制备方法，属于磁性材料制备的技术领域。首先将碱式碳酸铜粉末和氯化锌粉末加入乙醇和水的混合溶剂中，搅拌器形成均匀的混浊液，然后加入浓盐酸继续搅拌10～15分钟，将得到的混浊液在180～200℃下密封反应4～8小时；待其冷却至室温，将固液分离、研磨后得到菱形类八面体Cu3Zn(OH)6Cl2晶体材料。制备的Cu3Zn(OH)6Cl2形貌为菱形类八面体晶体，晶体边长大小控制在200‑500纳米范围内。本发明的方法操作简单易行、重复性好、成本低廉；制备出的Cu3Zn(OH)6Cl2纳米晶体具有尺寸均匀，粒径小等优点。
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公开(公告)号：CN113526575A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202111043034.5
申请日：2021-09-07
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明的一种羟基氯化镍纳米材料及其制备方法属于Ⅷ族羟基氯化物纳米材料的制备领域。所述的羟基氯化镍纳米材料，是由镍、羟基与氯以化学计量数为1:1:1的比例构成的化合物NiOHCl，具有纳米片状形貌，纳米片具有平直规则的表面。制备方法为以六水合氯化镍结晶性粉末、氢氧化镍粉末为原料，首先将两种原料充分混合并研磨30‑60分钟，然后在温度为130～170℃密封加热5～7小时，反应结束后，冷却至室温，将产物继续研磨10‑30分钟，得到羟基氯化镍纳米材料。该方法克服以往制备过程中的缺点，方法简单，成本低，易于控制。
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