公开(公告)号：CN103219367A

公开(公告)日：2013-07-24

申请号：CN201210195125.5

申请日：2012-06-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄渊圣 ,  解子颜 ,  张铭庆 ,  陈昭成 ,  陈嘉仁

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66545 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823828 ,  H01L27/0924 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785

Abstract: 本发明涉及一种FinFET。该FinFET包括形成在衬底上方的鳍状结构。栅极介电层至少部分地包裹鳍状结构的一部分。该栅极介电层包含高-k栅极介电材料。该FinFET包括共形地形成在栅极介电层上的多晶硅层。该FinFET包括形成在多晶硅层上方的金属栅电极层。本发明提供了一种制造FinFET的方法。该方法包括提供鳍状结构，该鳍状结构包含半导体材料。该方法包括：在鳍状结构上方形成栅极介电层；栅极介电层至少部分地包裹鳍状结构。该方法包括在栅极介电层上方形成多晶硅层，其中以共形方式形成多晶硅层。该方法包括在多晶硅层上方形成伪栅极层。本发明提供一种用于FinFET器件的具有共形多晶硅层的复合伪栅极。

公开(公告)号：CN103066073A

公开(公告)日：2013-04-24

申请号：CN201210093769.3

申请日：2012-03-31

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 朱鸣 ,  林慧雯 ,  庄学理 ,  杨宝如 ,  黄渊圣 ,  陈嘉仁 ,  陈昭成

IPC: H01L27/092 ,  H01L29/49 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L29/66545 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/823437 ,  H01L21/82345 ,  H01L21/823475 ,  H01L21/823481 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/4966

Abstract: 本发明涉及集成电路制造，并且更具体地涉及的是金属栅极结构。CMOS半导体器件的一种示例性结构包括：包括邻近P有源区域和N有源区域并且将其分隔开的隔离区域的衬底；位于P有源区域上方并且在隔离区域上方延伸的P金属栅电极，其中，P金属栅电极包括P功函金属以及位于P功函金属和衬底之间的含氧TiN层；以及位于N有源区域上方并且在隔离区域上方延伸的N金属栅电极，其中，N金属栅电极包括N功函金属以及位于N功函金属和衬底之间的富氮TiN层，其中，在隔离区域上方，富氮TiN层与含氧TiN层相连接。本发明还提供了一种半导体器件的金属栅极结构。