公开(公告)号：CN103855249B

公开(公告)日：2016-11-23

申请号：CN201310134090.9

申请日：2013-04-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 严文材 ,  吴忠宪 ,  陈世伟 ,  李文钦

IPC: H01L31/18

CPC classification number: H01L31/18 ,  H01L31/03923 ,  Y02E10/541

Abstract: 本发明公开了可用作太阳能电池吸收层的基于黄铜矿的材料的铟溅射方法和材料。一种太阳能电池包括由CIGAS(铜、铟、镓、铝和硒)形成的吸收层。提供了一种形成吸收层的方法，包括使用铟铝靶和使用溅射沉积方法沉积铟铝膜作为金属前体层。还提供了诸如CuGa层的另一些金属前体层，并且热处理操作使得金属前体层硒化。热处理操作/硒化操作将金属前体层转化成吸收层。在一些实施例中，吸收层包括基于黄铜矿的双渐变带隙。

公开(公告)号：CN103779440B

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201310047532.6

申请日：2013-02-06

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈世伟 ,  徐伟伦 ,  严文材 ,  吴忠宪 ,  李文钦

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/032 ,  H01L31/0749

CPC classification number: H01L31/0322 ,  H01L31/0749 ,  Y02E10/541

Abstract: 制造光伏器件的方法包括：在衬底上方形成用于光子吸收的吸收层，在吸收层之上形成缓冲层，其中，吸收层和缓冲层都是半导体，以及通过在含锌盐和碱性化学物质的溶液中的水热反应在缓冲层之上形成本征氧化锌层。本发明还提供了原位制造本征氧化锌层的方法及该方法制造的光伏器件。

公开(公告)号：CN221960970U

公开(公告)日：2024-11-05

申请号：CN202323249302.6

申请日：2023-11-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 鲁珺地 ,  于宗源 ,  林彦良 ,  张智浩 ,  刘家宏 ,  黄子松 ,  林柏均 ,  陈世伟 ,  刘重希 ,  倪培荣 ,  黄信维 ,  蔡政刚 ,  刘泰佑 ,  施伯昌 ,  郭鸿毅 ,  蔡豪益 ,  庄钧智 ,  黄榆婷 ,  宋瑞文 ,  王榆景 ,  张根育 ,  曾明鸿 ,  江宗宪 ,  刘醇鸿

IPC: H01L23/538 ,  H01L23/488 ,  H01L21/768 ,  H01L21/60 ,  H01L21/50 ,  H10B12/00

Abstract: 本实用新型提供一种封装，半导体晶粒以及前侧与背侧重布线结构。背侧重布线结构包括第一重布线层和背侧连接件，自第一重布线层的远侧延伸，且包括具有朝向远离第一重布线层的方向缩减的宽度的渐缩部分。渐缩部分包括在端部的接触面。封装可藉由优化背侧重布线结构的厚度提供可控的封装翘曲、可消除对于激光钻孔的需求并因此消除接着性问题产生的不良影响、可消除在背侧层形成空腔的需求且因此减少被环境污染的风险、还减少导致背侧重布线结构中的裂缝的应力。