公开(公告)号：CN112349736A

公开(公告)日：2021-02-09

申请号：CN202010124157.0

申请日：2020-02-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄信耀 ,  林政贤 ,  周世培 ,  许慈轩

IPC: H01L27/146

Abstract: 一种包含接合焊盘隔离结构的半导体器件结构。半导体衬底具有背侧表面和与背侧表面相对的前侧表面。接合焊盘延伸穿过半导体衬底。接合焊盘隔离结构设置在半导体衬底内。接合焊盘隔离结构从半导体衬底的前侧表面延伸到背侧表面，并且围绕接合焊盘连续延伸。

公开(公告)号：CN106158891B

公开(公告)日：2019-07-05

申请号：CN201510765521.0

申请日：2015-11-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郑允玮 ,  曾鸿辉 ,  王昭雄 ,  周俊豪 ,  蔡宗翰 ,  李国政 ,  许慈轩 ,  许永隆

IPC: H01L27/146

Abstract: 提供了一种背照式(BSI)图像传感器，包括具有平坦的下表面的介电栅格开口。像素传感器布置在半导体衬底内。金属栅格布置在像素传感器上方并且限定金属栅格开口的侧壁。介电栅格布置在金属栅格上方并且限定介电栅格开口的侧壁。覆盖层布置在金属栅格上方，并且限定介电栅格开口的平坦的下表面。本发明实施例涉及用于提高光学性能和隔离的堆叠栅格设计。

公开(公告)号：CN103715211B

公开(公告)日：2016-05-25

申请号：CN201310119867.4

申请日：2013-04-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 高敏峰 ,  杨敦年 ,  刘人诚 ,  许慈轩 ,  王文德 ,  许文义

IPC: H01L27/146 ,  H01L21/761

CPC classification number: H01L27/1463 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/2652 ,  H01L21/76 ,  H01L21/76237 ,  H01L27/146 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14689 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/4916 ,  H01L29/78

Abstract: 注入隔离器件及其方法。一种器件包括半导体衬底和从半导体衬底的顶面延伸到半导体衬底中且围绕有源区域的注入隔离区域。栅极电介质设置在半导体衬底的有源区域上方并且延伸到注入隔离区域上方。栅电极设置在栅极电介质上方，两个端部覆盖硬掩模位于注入隔离区域上方在栅极电介质和栅电极之间。两个端部覆盖硬掩模包含与被注入到有源区域中的掺杂物相同的掺杂物。

公开(公告)号：CN105280611A

公开(公告)日：2016-01-27

申请号：CN201510278520.3

申请日：2015-05-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡纾婷 ,  陈思莹 ,  林政贤 ,  许慈轩 ,  洪丰基 ,  杨敦年

IPC: H01L23/528 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L25/0657 ,  H01L21/4846 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L23/482 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/525 ,  H01L23/528 ,  H01L24/83 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/83895 ,  H01L2224/83896 ,  H01L2224/9212 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06544 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/8203 ,  H01L2224/821 ,  H01L2224/80001 ,  H01L2224/82

Abstract: 本发明提供一种3DIC互连器件及其形成方法。提供了堆叠半导体器件和该堆叠半导体器件的形成方法。将多种集成电路相互接合，以形成堆叠半导体器件。在将附加的集成电路接合至先前的接合步骤中所形成的堆叠半导体器件的每一个接合步骤之后，形成多个导电塞，以将附加的集成电路和先前的接合步骤中所形成的堆叠半导体器件电互连。

公开(公告)号：CN104282702A

公开(公告)日：2015-01-14

申请号：CN201410295594.3

申请日：2014-06-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 高敏峰 ,  杨敦年 ,  刘人诚 ,  许慈轩 ,  陈思莹 ,  徐伟诚 ,  曾晓晖

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/1463 ,  H01L27/1443 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14683 ,  H01L27/14687 ,  H01L31/102 ,  H01L31/18

Abstract: 一种器件包括在半导体衬底内形成的器件隔离区域，器件隔离区域具有用于光敏器件的间隙；在衬底上方形成的伪栅极结构，伪栅极结构包括部分地环绕器件隔离区域内形成的掺杂的拾取区域的至少一个结构；以及连接至掺杂的拾取区域的通孔。本发明涉及器件隔离区域内的拾取器件结构。

公开(公告)号：CN102237274A

公开(公告)日：2011-11-09

申请号：CN201010530391.X

申请日：2010-10-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 许凯钧 ,  杜友伦 ,  王从建 ,  许慈轩 ,  王俊智

IPC: H01L21/324 ,  H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14698 ,  H01L21/268 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14643

Abstract: 本发明包括使用激光光束激光退火具有多裸片的晶片的方法、以具有多扫描路径、激光射击的扫描模式中的激光光束激光退火背面照明图像感测器的阵列的方法。每个互补金属氧化物半导体图像感测器具有感测器阵列区和周边电路。此方法借由感测器阵列区长度和周边电路长度决定激光光束的尺寸，使激光光束覆盖整数个感测器阵列区，至少一直排激光光束在背面照明图像感测器的阵列上。进一步决定扫描模式，使激光光束的边界在激光退火期间不会与感测器阵列区重叠只与周边电路重叠。当制造背面照明互补金属氧化物半导体图像感测器时决定激光光束尺寸和激光退火扫描模式的方法以避免在图像感测器的感测器阵列区内发生对应激光扫描边界效应的暗模式条纹图案。

公开(公告)号：CN101399276A

公开(公告)日：2009-04-01

申请号：CN200810005307.5

申请日：2008-01-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 许慈轩 ,  杨敦年 ,  王俊智

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14625 ,  H01L27/14603 ,  H01L27/1464

Abstract: 本发明公开一种背照式影像传感器，其包括具有前表面与背表面的半导体基材。多个影像传感元件位于基材的前表面。至少有一个影像传感元件包括传输栅极和光传感器，其中该传输栅极包括位于光传感器上方的光反射层。在一个实施例中，该栅极至少占光电流产生区上方面积的5％。本发明能够解决穿通问题，并提高影像传感元件的灵敏度。

公开(公告)号：CN101281917A

公开(公告)日：2008-10-08

申请号：CN200710154745.3

申请日：2007-09-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 傅士奇 ,  蔡嘉雄 ,  萧国裕 ,  刘铭棋 ,  许峰嘉 ,  许慈轩

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14603 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/1464

Abstract: 本发明提供了一种增加背照式图像感测器的光灵敏度的系统与方法。此系统为集成电路，包括衬底，其具有相对的第一表面与第二表面；图像感测元件，包括至少一个晶体管形成于衬底的第一表面及感光区上；彩色滤光片，位于衬底的第二表面上；以及微镜片结构，位于彩色滤光片与第二衬底的第二表面之间。

公开(公告)号：CN101154674A

公开(公告)日：2008-04-02

申请号：CN200710001220.6

申请日：2007-01-04

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 许慈轩 ,  杨敦年

IPC: H01L27/146 ,  H01L31/102 ,  H01L21/822 ,  H01L21/265 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L27/14645 ,  H01L27/1464

Abstract: 本发明提供了一种背照明图像传感装置，包括：基底；第一掺杂区，位于该基底内；以及第二掺杂区，位于该基底内并位于该第一掺杂区上方，其中该第一掺杂区较佳地深达该基底厚度的50％以上。本发明还提供了一种背照明图像传感装置的制造方法，包括：制备基底；对该基底进行第一离子注入，以在该基底内形成第一掺杂区；在该基底上形成多晶硅层；以及对该基底进行第二离子注入，以在该第一掺杂区上方形成第二掺杂区，其中该第一掺杂区深达该基底厚度的50％。本发明能够改善传感装置的感光特性，且不会对其中各组件的表现造成影响。

公开(公告)号：CN100370618C

公开(公告)日：2008-02-20

申请号：CN200510077539.8

申请日：2005-06-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王文德 ,  杨敦年 ,  许慈轩

IPC: H01L27/14 ,  H04N5/335

CPC classification number: H01L27/14621 ,  H01L27/14623

Abstract: 一种彩色影像感测装置，其至少包括一衬底、多个彩色滤光片以及一光线限制材料。衬底具有多个影像感测元件形成于其中。彩色滤光片位于衬底上，且彩色滤光片彼此分隔。光线限制材料位于相邻的彼此分隔的彩色滤光片间。该制造方法包括以下步骤：提供一半导体衬底；形成一第一保护层于该半导体衬底上；平坦化该第一保护层的该上表面；形成多个空气间隙穿过该第一保护层；形成多个彼此隔开的彩色滤光片于该第一保护层上；形成一光线限制材料于相邻的彼此隔开的所述多个彩色滤光片间，则位于两相邻彩色滤光片间的该光线限制材料的一部分会垂直对准所述多个空气间隙之一。