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公开(公告)号：CN101908540A
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN201010196907.1
申请日：2010-06-02
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/082 , H01L29/73 , H01L29/06
CPC classification number: H01L27/0823 , H01L29/0692 , H01L29/0821 , H01L29/7322 , H01L29/735
Abstract: 本发明提供一种集成电路元件，包括：一半导体基板，具有一上表面；至少一绝缘区，自该上表面延伸进入该半导体基板；多个基区接触，具有一第一导电型，彼此电性连接；以及多个发射极与多个集电极，具有一第二导电型，与该第一导电型相反。每一所述发射极、所述集电极与所述基区接触通过所述至少一绝缘区彼此侧向分隔。该集成电路元件还包括一埋层，具有该第二导电型，于该半导体基板中，其中该埋层具有一上表面，邻近所述多个集电极的下表面。本发明优点特征包括高电流获得、低芯片使用面积以及低基区电阻。
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公开(公告)号：CN101814314A
公开(公告)日：2010-08-25
申请号：CN201010110918.3
申请日：2010-02-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G11C11/409
CPC classification number: G11C11/1677 , G11C11/1675
Abstract: 一种使用可能性写入对MRAM单元进行编程的方法包括：提供写入脉冲以向MRAM单元写入值；以及在提供第一写入脉冲的步骤之后立即检验MRAM单元的状态。在写入失败的情况下，将值重写入MRAM单元。
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公开(公告)号：CN101738579A
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200910221735.6
申请日：2009-11-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G01R31/30
CPC classification number: G01R31/3004 , G01R31/31703
Abstract: 本发明涉及被测试装置电路、集成电路以及半导体晶圆工艺监视电路。发明公开一种数字工艺监视的电路及方法。公开对应具有工艺相关特性的装置比较电流或电压对电流或电压的电路，转换正比于工艺相关电路特性的电流或电压测量为数字信号以及输出数字信号作为监控。工艺相关电路特性可能选自晶体管临界电压、晶体管饱和电流以及温度相关数量。使用数字技术例如数字滤波以及数字信号处理实施校正。数字工艺监视电路可能成为用于晶圆特性描述的切割道电路或放置于集成电路晶片中作为巨集。工艺监控电路可能使用探测垫或扫描测试电路存取。公开使用数字输出监控工艺特性的方法。
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公开(公告)号：CN1979690B
公开(公告)日：2010-05-19
申请号：CN200610164288.1
申请日：2006-12-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Inventor： 庄建祥
IPC: G11C29/12
CPC classification number: G11C29/44 , G11C2029/1208
Abstract: 本发明揭示用以启动待测电路中内建式自我测试的方法与系统。在至少一个存储器模块中配置具有预定尺寸的至少一个存储器区段作为测试结果模块后，启动适用于待测电路的内建式自我测试，其中测试结果模块并没有被测试。测试结果存储于测试结果模块中。
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公开(公告)号：CN101527540A
公开(公告)日：2009-09-09
申请号：CN200910000787.0
申请日：2009-01-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H03B5/1228 , H03B5/1203 , H03B5/1212 , H03B5/1215 , H03B5/1231 , H03B5/124
Abstract: 一种压控振荡器包括：第一合并的器件，其具有第一双极晶体管和第一MOS晶体管，所述第一双极晶体管具有与所述第一MOS晶体管的一个源/漏结共用共同有源区的集电极，和与所述第一MOS晶体管的其他源/漏结共用共同有源区的发射极；第二合并的器件，其具有第二双极晶体管和第二MOS晶体管，所述第二双极晶体管具有与所述第二MOS晶体管的一个源/漏结共用共同有源区的集电极，和与所述第二MOS晶体管的其他源/漏结共用共同有源区的发射极；和第一电感，其与所述第一双极晶体管的集电极和所述第二双极晶体管的基极均相连。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100530431C
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN200510068312.7
申请日：2005-04-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种装置调整及熔丝参考电阻调整的电路和电性装置调整方法。该装置调整电路包括：至少一参考装置、至少一调整装置、以及至少一电性熔丝基础控制单元。参考装置具有参考电性参数。调整装置耦接参考装置以形成调整参考装置，且调整参考装置根据参考装置与调整装置以提供修改参考电性参数。电性熔丝基础控制单元根据电性熔丝的状态来控制调整装置是否耦接参考装置。本发明提供的装置调整电路，用以处理装置失配及程序变化。
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公开(公告)号：CN101295703A
公开(公告)日：2008-10-29
申请号：CN200710196914.X
申请日：2007-12-06
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/525
CPC classification number: H01L23/5256 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种用于电子迁移编程模式的熔丝结构，包括：阳极区位于第一多个接触窗之上，该第一多个接触窗在该熔丝结构的编程中与正高电压耦接；阴极区位于第二多个接触窗之上，该第二多个接触窗在该熔丝结构的编程中与互补低电压耦接；以及熔丝连接区，其具有第一与第二端，其中该第一端在离该第一多个接触窗最近的预定距离处与该阳极区接触，且该第二端在离该第二多个接触窗最近的预定距离处与该阴极区接触，又其中该阴极区小于该阳极区以增强该电子迁移作用。
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公开(公告)号：CN100421248C
公开(公告)日：2008-09-24
申请号：CN200510088385.2
申请日：2005-08-04
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种具有静电放电保护的电性熔丝电路，所述具有静电放电保护的电性熔丝电路，其包括至少一电性熔丝、测试装置、电压源以及保护单元。测试装置串接电性熔丝，且具有至少一晶体管，用以接收控制信号，来控制流过电性熔丝的测试电流。电压源耦接电性熔丝与测试装置以提供测试电流。保护单元的第一端耦接晶体管的栅极，以降低因为到达该电压源的静电电荷而在晶体管的栅极累积的电荷，借此防止测试装置意外地烧录电性熔丝。
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公开(公告)号：CN101221954A
公开(公告)日：2008-07-16
申请号：CN200710199735.1
申请日：2007-12-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/108 , H01L21/8242
CPC classification number: H01L27/10894 , H01L23/5223 , H01L27/0207 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种片上系统半导体电路，包括：一逻辑电路，该逻辑电路具有至少一带有一薄栅极介电材料的第一晶体管；至少一连接该逻辑电路的动态随机存取存储器单元，该至少一动态随机存取存储器单元具有至少一存储电容和至少一厚栅极介电材料的存取晶体管；及，一与该逻辑电路和该存储器单元一起操作的模拟电路，该模拟电路具有至少一厚栅极介电材料的开关晶体管和至少一开关电容；其中，该存储器单元的存储电容和开关晶体管是同一类型；并且其中，该厚栅极介电材料开关晶体管和该模拟电路的开关电容用制造该动态随机存取存储器单元的工艺制造。
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公开(公告)号：CN100401420C
公开(公告)日：2008-07-09
申请号：CN200510068001.0
申请日：2005-04-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Inventor： 庄建祥
IPC: G11C5/00 , G11C11/34 , G11C11/401 , G11C11/4063 , H01L23/58 , H01L23/62
CPC classification number: G11C11/5692 , G11C16/02 , G11C17/16 , G11C2211/5646
Abstract: 本发明提供一种熔丝电路，提供可预期的总阻抗，用以多次循环地烧录，该熔丝电路包括：多个熔丝阶，以串联方式排列。每一熔丝阶包括，一第一及第二连接节点、一熔丝、一第一、第二电阻。熔丝耦接于第一及第二连接节点之间。第一电阻的第一端耦接第一节点。第二电阻的第一端耦接第二节点。第一及第二电阻的第二端分别耦接一第三及第四连接节点。第三及第四连接节点分别为下一个熔丝阶的第一及第二连接节点。
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