公开(公告)号：CN104465763A

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201410327463.9

申请日：2014-07-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 让-皮埃尔·科林格 ,  余宗兴 ,  徐烨 ,  刘佳雯 ,  卡洛斯·H.·迪亚兹

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66712 ,  H01L21/2251 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/068 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/66356 ,  H01L29/66787 ,  H01L29/7391 ,  H01L29/785

Abstract: 本文公开了一种半导体器件，包括：包括第一导电类型的第一类型区和包括第二导电类型的第二类型区。半导体器件包括在第一类型区和第二类型区之间延伸的沟道区。半导体器件包括围绕至少一部分沟道区的栅电极。栅电极的第一栅极边缘与第一类型区的第一类型区边缘间隔开第一距离，并且栅电极的第二栅极边缘与第二类型区的第二类型区边缘间隔开第二距离。第一距离小于第二距离。本发明包括非对称半导体器件。