公开(公告)号：CN113380894A

公开(公告)日：2021-09-10

申请号：CN202110641273.4

申请日：2021-06-09

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 乔治奥斯·韦理安尼堤斯

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/51 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明实施例描述一种晶体管器件和制造方法。器件包含：栅极结构，具有栅极层和铁电层；源极端子和漏极端子；以及结晶沟道部分。源极端子和漏极端子安置在栅极结构的相对侧处。结晶沟道部分在源极端子与漏极端子之间延伸。源极端子和漏极端子安置在结晶沟道部分上，且栅极结构安置在结晶沟道部分上。结晶沟道部分包含含有第III族元素和第V族元素的第一材料，栅极层包含含有第III族元素和稀土元素的第二材料，且铁电层包含含有第III族元素、稀土元素以及第V族元素的第三材料。

公开(公告)号：CN113380891A

公开(公告)日：2021-09-10

申请号：CN202110466161.X

申请日：2021-04-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 乔治奥斯·韦理安尼堤斯 ,  荷尔本·朵尔伯斯 ,  马可·范·达尔

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

Abstract: 提供了半导体器件及其制造方法。半导体器件具有半导体层和位于半导体层上的栅极结构。半导体器件具有设置在半导体层上的源极和漏极端，以及位于半导体层与源极和漏极端之间的二元氧化物层。

公开(公告)号：CN218004873U

公开(公告)日：2022-12-09

申请号：CN202221720968.8

申请日：2022-07-04

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 乔治奥斯·韦理安尼堤斯 ,  马可·范·达尔 ,  荷尔本·朵尔伯斯 ,  马礼修

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/08 ,  H01L29/06

Abstract: 一种晶体管，包括垂直堆叠物，且以从下到上或从上到下的顺序，所述垂直堆叠物包括栅极电极、栅极介电层及有源层，且所述垂直堆叠物位于基板上方。有源层包括非晶半导体材料。包括结晶半导体材料的第一部分的结晶源极区域覆盖有源层的第一端部且电性连接至有源层的第一端部。包括结晶半导体材料的第二部分的结晶漏极区域覆盖有源层的第二端部，且电性连接至有源层的第二端部。

公开(公告)号：CN222602894U

公开(公告)日：2025-03-11

申请号：CN202420842114.X

申请日：2024-04-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 马可·范·达尔 ,  荷尔本·朵尔伯斯 ,  乔治奥斯·韦理安尼堤斯 ,  奥雷斯特·马迪亚

IPC: H10B41/30 ,  H10B41/23

Abstract: 本实用新型的各种实施例是关于一种存储器单元及集成装置，存储器单元包括设置在基底之上且沿着垂直方向延伸的通道层。浮置栅极设置在基底之上且沿着第一侧向通过栅极介电质与通道层分离。控制栅极沿第一侧向设置于浮置栅极及通道层的一侧，且通过穿隧介电质与浮置栅极分离。源极/漏极端子对设置于通道层及浮置栅极的与控制栅极相对的另一侧。