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公开(公告)号：CN106169528A
公开(公告)日：2016-11-30
申请号：CN201610810002.6
申请日：2016-09-08
Applicant: 厦门市三安光电科技有限公司
CPC classification number: H01L33/22 , H01L33/46 , H01L2933/0025
Abstract: 本发明提出了一种发光二极管结构及其制作方法，包括：衬底，以及生长在衬底表面的发光外延层和分布布拉格反射层，发光外延层和分布布拉格反射层分别位于衬底两侧，其特征在于：所述衬底的背面具有一系列沙漏状的凹槽结构，且所述分布布拉格反射层形成于所述凹槽结构表面。
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公开(公告)号：CN105789402A
公开(公告)日：2016-07-20
申请号：CN201610325068.6
申请日：2016-05-17
Applicant: 厦门市三安光电科技有限公司
CPC classification number: H01L33/405 , H01L33/46 , H01L2933/0016
Abstract: 本发明公开了倒装LED芯片的制作方法，LED芯片包括：基板；发光外延层，位于基板之上；ITO层，位于发光外延层之上；通过对ITO进行蚀刻处理后，实现对ITO表面粗化和氟化的改善处理，在ITO层上沉积金属反射层；短时间的蚀刻起到增强金属反射层在ITO表面的附着性的效果，同时，由于ITO表面的氟化处理，有效提升由外延层表面膜层、透明导电膜层、金属反射层组成的全方位反射镜（ODR）结构的反射率，实现LED光萃取效率的提升。
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公开(公告)号：CN101950783A
公开(公告)日：2011-01-19
申请号：CN201010259993.6
申请日：2010-08-23
Applicant: 厦门市三安光电科技有限公司
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明公开了一种氮化镓基高亮度发光二极管芯片的制作工艺，包括以下工艺步骤：提供一衬底；形成过渡层于该衬底上；用光刻胶在过渡层上制备掩模图形；通过蚀刻，将光刻胶掩模的图形转移到过渡层上；清洗衬底，去除残留的光刻胶；形成N型氮化镓、发光区、P型氮化镓于衬底上并且介于各个过渡层之间；去除过渡层并形成导电层在P型氮化镓上；分别在导电层和N型氮化镓上制作P电极和N电极；经衬底研磨减薄，切割成多个发光二极管芯片。采用本发明制作LED芯片，可有效提升器件的发光效率，增加单片芯片的芯粒产量。
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公开(公告)号：CN101859861A
公开(公告)日：2010-10-13
申请号：CN201010180143.7
申请日：2010-05-13
Applicant: 厦门市三安光电科技有限公司
Abstract: 本发明公开的一种具有双反射层的氮化镓基倒装发光二极管及其制备方法，其采用分布布拉格反射层与金属反射层相结合的双重反射结构，充分发挥了反射层的优异反射性，大大提高发光二极管的发光效率；在分布布拉格反射层中制作开口结构用于填充金属反射层，形成导电功能，避免传统倒装发光二极管中金属反射层与其它金属电极相互扩散而致使金属反射层的反射率降低的现象发生。
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公开(公告)号：CN101840985A
公开(公告)日：2010-09-22
申请号：CN201010170915.9
申请日：2010-05-04
Applicant: 厦门市三安光电科技有限公司
Abstract: 本发明公开的具有双反射层的氮化镓基垂直发光二极管及其制备方法，在永久基板上形成第二焊接金属；在氮化镓基外延层上形成氧化铟锡导电层，呈网格状分布的分布布拉格反射层形成于氧化铟锡导电层上，在分布布拉格反射层及氧化铟锡导电层的表面暴露部分形成金属反射层，在金属反射层上形成第一焊接金属；氮化镓基外延层通过第一焊接金属、第二焊接金属与永久基板粘合；第一电极形成于氮化镓基外延层顶面，第二电极形成于永久基板底面。本发明采用分布布拉格反射层和金属反射层的双反射层结构，可充分发挥反射层的优异反射性，有效地提高发光二极管的发光效率，有效地避免传统垂直发光二极管中金属反射层与其他金属电极的扩散现象。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109378376B
公开(公告)日：2020-02-11
申请号：CN201811116261.4
申请日：2018-09-25
Applicant: 厦门市三安光电科技有限公司
Abstract: 本发明提出了一种发光二极管结构，包括：由第一半导体层、第二半导体层及夹在两层之间的活性层构成的发光外延层，其厚度为T，露出台面的第一半导体层，连接至第二半导体层的第二电极，以及绝缘保护层，其特征在于：于所述台面上形成有一突起结构，其宽度为D0，高度为H0，且第一电极包裹所述突起结构并连接至所述第一半导体层，所述第一电极外表面具有一台阶，定义位于所述台阶之上的第一电极为上电极部，其宽度为D1，高度为H1，位于所述台阶之下的第一电极为下电极部，其宽度为D2，高度为H2，所述绝缘保护层附着于所述下电极部的侧壁及台阶的上表面。
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公开(公告)号：CN109378376A
公开(公告)日：2019-02-22
申请号：CN201811116261.4
申请日：2018-09-25
Applicant: 厦门市三安光电科技有限公司
Abstract: 本发明提出了一种发光二极管结构，包括：由第一半导体层、第二半导体层及夹在两层之间的活性层构成的发光外延层，其厚度为T，露出台面的第一半导体层，连接至第二半导体层的第二电极，以及绝缘保护层，其特征在于：于所述台面上形成有一突起结构，其宽度为D0，高度为H0，且第一电极包裹所述突起结构并连接至所述第一半导体层，所述第一电极外表面具有一台阶，定义位于所述台阶之上的第一电极为上电极部，其宽度为D1，高度为H1，位于所述台阶之下的第一电极为下电极部，其宽度为D2，高度为H2，所述绝缘保护层附着于所述下电极部的侧壁及台阶的上表面。
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公开(公告)号：CN105336829B
公开(公告)日：2018-09-11
申请号：CN201510625578.0
申请日：2015-09-28
Applicant: 厦门市三安光电科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种倒装发光二极管结构及其制作方法，包括：基板；外延层，位于所述基板之上，外延层包括：第一半导体层、第二半导体层以及夹于第一半导体层与第二半导体层之间的发光层；第一电极结构，位于所述第一半导体层上；第二电极结构，位于所述第二半导体层上；第一电极结构包括第一电极本体和第一电极环，第二电极结构包括第二电极本体和第二电极环；第一电极环的厚度大于或等于第一电极本体的厚度，且第二电极环的厚度大于或等于第二电极本体的厚度。第一电极环、第二电极环作为阻隔栅结构，用于避免发光二极管在封装使用中由于固晶导电材料的溢流导致短路，提高可靠性。
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公开(公告)号：CN108417678A
公开(公告)日：2018-08-17
申请号：CN201810219811.9
申请日：2018-03-16
Applicant: 厦门市三安光电科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种发光二极管结构及其制作方法，结构包括：衬底；发光外延结构，位于所述衬底上，包括依次层叠的N型半导体层、发光层以及P型半导体层，发光波长设为λ；其特征在于：所述外延层和/或衬底侧面分布有柱状波导结构，所述波导结构的宽度d于1/4λ的整数倍达到反射波导效果。本发明通过在外延层和/或衬底侧面分布有柱状波导结构，波导结构的宽度d于1/4λ的整数倍达到反射波导效果，能大大提升发光层发出的光线经外延层或衬底侧面的波导结构散射/反射后，再向外出射的几率，从而增强光萃取效率，提高发光二极管的亮度。
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公开(公告)号：CN106252470B
公开(公告)日：2018-08-14
申请号：CN201610758712.9
申请日：2016-08-30
Applicant: 厦门市三安光电科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种氮化镓基发光二极管及其制作方法，提供一生长基板；在生长基板上制作发光外延层，其自下而上依次包括第一半导体层、发光层和第二半导体层；从第二半导体层蚀刻出开口结构，且延伸至第一半导体层，使得部分第一半导体层裸露；制作第一金属电极、第二金属电极层，分别覆盖于裸露的第一半导体层和第二半导体层之上；制作金属粘附层，并形成开口，分别形成于第一金属电极和第二金属电极层之上；在上述结构上沉积半导体保护层，并形成开口，露出部分金属粘附层以及金属电极层表面，作为封装打线区。
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