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公开(公告)号：CN115249725A
公开(公告)日：2022-10-28
申请号：CN202211043484.9
申请日：2022-08-29
Abstract: 本发明提供一种显示面板及其制备方法，制备方法包括：提供第一基板，第一基板的一侧有若干间隔的Mi cro‑LED芯片；提供第二基板，第二基板的一侧表面有若干导电层；在第二基板上形成隔离层，隔离层中有若干开口组，每个开口组均包括暴露出导电层的表面的第一开口和第二开口，第一开口的宽度小于P型电极的宽度，第二开口的宽度小于N型电极的宽度；在第一开口中形成第一键合层，在第二开口中形成第二键合层；以隔离层对芯片本体支撑将P型电极与第一键合层进行键合的同时将N型电极与第二键合层进行键合，P型电极嵌入第一键合层中，N型电极嵌入第二键合层中。所述方法避免M i cro‑LED芯片与第一键合层、第二键合层之间键合失效。
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公开(公告)号：CN119153602A
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202411259249.4
申请日：2024-09-09
Abstract: 本发明涉及交流驱动的LED器件及其制备方法。交流驱动的LED器件包括：衬底层；第一半导体层，位于衬底层表面，第一半导体层包括平面部分和凸起部分，凸起部位于平面部分背向衬底层一侧的表面；有源层，位于第一半导体层的凸起部分背向衬底层一侧的表面；第二半导体层，位于有源层背向第一半导体层一侧的表面，第二半导体层与第一半导体层的导电类型相反；第一半导体层的凸起部分、有源层和第二半导体层构成LED器件的外延层；钝化层，位于第二半导体层背向有源层一侧的表面，且包覆外延层的侧部；侧部电极，位于钝化层背向外延层侧部的表面。本发明提供的交流驱动的LED器件能有效降低器件在交流驱动下的开启电压，同时提高注入电流，提高器件发光亮度。
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公开(公告)号：CN222126570U
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202420673678.5
申请日：2024-04-02
Abstract: 本实用新型提供一种Mi cro‑LED芯片。Mi cro‑LED芯片包括：衬底层；位于衬底层上的发光结构；发光结构在平行于衬底层的截面上的图形为多边形；发光结构包括：N型GaN层；位于衬底层一侧表面；I nGaN有源层，位于部分N型GaN层背离衬底层的一侧表面；P型GaN层，位于I nGaN有源层背离所述N型GaN层的一侧表面；发光结构的侧壁与衬底层的表面垂直，且在GaN六方晶系内，侧壁所在的平面属于{11‑20}的晶面族。本实用新型提供的Mi cro‑LED芯片的发光效率高。
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公开(公告)号：CN219226293U
公开(公告)日：2023-06-20
申请号：CN202223602793.3
申请日：2022-12-30
IPC: H01L25/075 , H01L33/48 , H01L33/62
Abstract: 本实用新型提供一种显示面板，包括：第一基板，第一基板的一侧表面具有导电层组，导电层组包括间隔设置的第一导电层和第二导电层；位于第一基板的一侧的绝缘层，绝缘层中具有间隔设置的第一开口和第二开口，第一开口位于第一导电层的上方，第二开口位于第二导电层的上方；位于第一开口中的第一键合层，第一键合层位于第一导电层的上表面；位于第二开口中的第二键合层，第二键合层位于第二导电层的上表面；Micro‑LED芯片，Micro‑LED芯片包括：P型电极和N型电极；P型电极与第一键合层接触，N型电极与第二键合层接触。所述显示面板可以避免第一导电层与第二导电层之间发生短路。
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公开(公告)号：CN120025481A
公开(公告)日：2025-05-23
申请号：CN202510173571.3
申请日：2025-02-17
Applicant: 厦门大学
IPC: C08F212/08 , C08F220/18 , C08F220/54 , C08F220/32 , C08F220/56 , C08F220/24 , C08F220/34 , C08F220/58 , H10H29/03
Abstract: 本发明提供了一种用于激光辅助MicroLED巨量转移的光敏复合材料，包括：式(I)所示的无规共聚物和光敏小分子。采用将聚合物和偶氮砜小分子按比例混合的方式制备新型转移复合材料。其中聚合物部分通过简单调整共聚单体种类可以实现力学性能和热学性能调节，使其具备高黏附力，可旋涂成光滑薄膜，提供膜层的整体网络骨架。偶氮砜小分子作为光敏成分，通过调整苯胺原料上的侧链基团种类实现性能调整，使其对不同波长激光具备高选择性吸收，分解生成大量气体产生推动力使芯粒转移。通过合成步骤的优化，提高聚合物和小分子的产率且无需后续复杂纯化步骤。芯粒拾取步骤已能够达到大于99％的良率以及芯粒释放步骤能够小部分区域的完全释放。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112117356A
公开(公告)日：2020-12-22
申请号：CN202010813127.0
申请日：2020-08-13
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明涉及一种全彩有源寻址Micro‑LED芯片结构及其制作方法，包括具有驱动电路阵列的支撑衬底、位于支撑衬底上的堆叠层，以及贯穿堆叠层与驱动电路阵列连接的互联电极，其中堆叠层从下至上包括有衬底金属键合层、多色发光外延层上下表面覆盖有透明导电层的多层夹心结构、介质填充层、滤光层、钝化层，互联电极包括连接第一外延层的p型面与驱动像素的阵列电极、连接第二外延层p型面与驱动像素的贯穿阵列电极、连接第三外延层p型面与驱动像素的贯穿阵列电极、贯穿堆叠层分别与多色发光外延层n型面连接的共用电极。本发明技术方案可制造出高分辨率且高效的全彩驱动融合Micro‑LED芯片。
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公开(公告)号：CN110118848A
公开(公告)日：2019-08-13
申请号：CN201910414707.X
申请日：2019-05-17
Applicant: 厦门大学
Abstract: 磷胺类寡糖非还原胺化衍生试剂及其寡糖衍生化方法，涉及寡糖非还原胺化衍生试剂。所述磷胺类寡糖非还原胺化衍生试剂包括季磷盐酰肼类化合物和季磷盐氧胺类化合物。以麦芽五糖为寡糖模型，将季磷盐酰肼类或季磷盐氧胺类寡糖衍生化试剂的水-甲醇溶液与麦芽五糖水溶液混合，水浴反应，利用MALDI-MS考察季磷盐酰肼类寡糖衍生化试剂对麦芽五糖的衍生化效果；以核糖核酸酶B上连接的寡糖及鸡卵清蛋白上连接的寡糖为寡糖来源，考察对高分子量寡糖、复杂寡糖库的衍生化效果及质谱增敏效应。可广泛应用到各种还原性寡糖及复杂寡糖库；一步衍生化；反应时间短。采用LC-ESI-MS中的色谱峰面积计算衍生化效率而非质谱强度，结果更为准确。
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公开(公告)号：CN103320753B
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201310250357.0
申请日：2013-06-21
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种尺寸密度可控铝纳米颗粒阵列的制备方法，涉及铝纳颗粒阵列的制备方法。提供可实现颗粒尺寸密度可调的一种尺寸密度可控铝纳米颗粒阵列的制备方法。在E-Beam生长腔体中，放入样品台，然后将衬底放置于样品台上；将铝置于E-Beam生长腔体内，用高能电子束轰击膜料铝，使之表面产生很高的温度后由固态直接升华到气态，并沉积在衬底上，完成尺寸密度可控铝纳米颗粒阵列的制备。采用调整放置衬底的样品台倾角的方法，可实现尺寸密度可调控的金属纳米颗粒阵列的制备。制得铝纳米颗粒阵列纳米颗粒尺寸密度可调控，有利于制备电学/光电器件。制备条件简单，不需要复杂设备，在规模化工业生产中具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN102590559A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201210026594.4
申请日：2012-02-07
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种纳米结构量子态电注入发光测试方法，涉及一种材料器件电光性能测试方法。提供一种可针对纳米结构中单一量子态进行电注入发光的高空间分辨率、高能量分辨率测试的纳米结构量子态电注入发光测试方法。以双扫描隧道探针、高移动精度的光纤、高分辨率扫描电子显微镜、样品台及光谱仪作为联合实验平台，采用双扫描隧道探针作为电注入端、探针与样品间所产生的隧道电流作为注入电流、光纤作为光信号收集端。选取待测微区，选取待测纳米结构，光纤定位，双探针定位，高能量分辨率电注入发光测试，高空间分辨率载流子选择性注入测试。
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公开(公告)号：CN102544298A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201210028309.2
申请日：2012-02-07
Applicant: 厦门大学
Abstract: 有效提高外量子效率的深紫外发光二极管及其制备方法，涉及一种发光二极管。深紫外发光二极管设有衬底，在衬底上依次生长AlN缓冲层、n-AlGaN层、有源层、p-AlGaN层和p-GaN盖层，在p-GaN盖层上沉积铝膜层，在n-AlGaN层上设n型电极，在p-GaN盖层上设p型电极。在衬底上生长AlN缓冲层、n-AlGaN层、有源层、p-AlGaN层和p-GaN盖层；采用ICP技术刻蚀出n型台面，并通过光刻、真空电子束蒸发沉积及快速热退火处理技术分别形成p型、n型的欧姆接触；在p-GaN盖层上沉积铝膜层；在n-AlGaN层上设n型电极，在p-GaN盖层上设p型电极。
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