公开(公告)号：CN210605251U

公开(公告)日：2020-05-22

申请号：CN201920995783.X

申请日：2019-06-28

Applicant: 厦门大学

Inventor： 吴雅苹 ,  周江鹏 ,  张纯淼 ,  吴志明 ,  康俊勇

IPC: G02F1/01

Abstract: 本实用新型公开一种具有电控极化率的可变波长二维旋光器件，包括电致伸缩基片、与电致伸缩基片底面连接的第一和第二导电电极、层叠设置在电致伸缩基片上表面的增强光吸收层、第一透明导电电极、III-VI族硫属化物二维材料、BN二维材料绝缘层、以及第二透明导电电极；该器件在圆偏光激发下可产生具有可控圆偏振极化率的旋光效应，通过在与电致伸缩基片连接的第一和第二导电电极之间施加适当电压可调控该旋光的圆偏振极化率，且通过在第一和第二透明导明电极之间施加适当电压可使该旋光波长从紫外到红外的宽波段范围内连续可调。

公开(公告)号：CN208921994U

公开(公告)日：2019-05-31

申请号：CN201820922881.6

申请日：2018-06-14

Applicant: 厦门大学

Inventor： 吴雅苹 ,  柯聪明 ,  周江鹏 ,  康俊勇 ,  吴志明 ,  张纯淼

IPC: G02F1/01

Abstract: 本实用新型公开一种具有电场可调极化率的二维旋光器件，包括基片、层叠设置在基片上表面的第一透明电极、第一BN二维材料、掺杂铁磁金属的III-VI族硫属化物二维材料、第二BN二维材料、第二透明电极；该器件在激光入射下可产生旋光现象，且旋光极化率可通过垂直电场调控；所述垂直电场是通过第一透明电极和第二透明电极向第一BN二维材料、掺杂铁磁金属的III-VI族硫属化物二维材料、第二BN二维材料所组成的三明治结构施加一个范围为-1V/Å~1V/Å的垂直方向电压，该垂直方向电压可调节掺杂铁磁金属的III-VI族硫属化物二维材料的磁结构在铁磁耦合与反铁磁耦合之间转变。

公开(公告)号：CN210837794U

公开(公告)日：2020-06-23

申请号：CN201920997067.5

申请日：2019-06-28

Applicant: 厦门大学

Inventor： 吴雅苹 ,  周江鹏 ,  张纯淼 ,  吴志明 ,  康俊勇

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/26

Abstract: 本实用新型公开一种具有电场可控极化率的旋光发光二极管器件，包括基片、层叠设置在基片上表面的绝缘介电层、第一导电电极、空穴注入层、磁性MnyFe1‑yPX3(X＝S,Se)二维材料有源层、电子注入层、以及第二导电电极；该器件可通过在第一和第二导电电极之间施加电压而产生旋光现象；所述旋光的波长可通过MnyFe1‑yPX3二维材料的Mn、Fe组分加以调控，且所述旋光的极化率可通过第一和第二导电电极之间的电压大小加以调控。

公开(公告)号：CN210379098U

公开(公告)日：2020-04-21

申请号：CN201920995759.6

申请日：2019-06-28

Applicant: 厦门大学

Inventor： 吴雅苹 ,  周江鹏 ,  陈嘉俊 ,  宋安柯 ,  张纯淼 ,  吴志明 ,  康俊勇

IPC: H01L33/06 ,  H01L33/32 ,  H01L33/14 ,  H01L33/00

Abstract: 本实用新型公开一种基于自旋注入的电控自旋发光二极管器件，包括导电基片、设置于导电基片上表面的p型氮化物、电子阻挡层、量子阱有源区、n型氮化物，氮化硼电子隧穿层、自旋注入层、盖层；所述自旋注入层的磁矩取向可通过电场调控，通过电场调控自旋注入层的磁矩取向在平内与垂直方向上快速翻转，可分别在发光二极管的侧向与正向产生具有自旋极化的旋光。