一种空气气氛下制备氮氧化硅粉体的方法

    公开(公告)号:CN111170746B

    公开(公告)日:2021-01-05

    申请号:CN202010038702.4

    申请日:2020-01-14

    Applicant: 南昌大学

    Abstract: 本发明公开了一种空气气氛下制备氮氧化硅粉体的方法。该法以硅粉为原料,通过将不同粒径和厚度的硅粉堆积体,在常压高温条件下进行氮氧化合成,再除去上层微烧结态及少量边部产物后,得到氮氧化硅粉体成品。本发明相对现有技术,不但使得氮氧化反应生成的氧化硅、氮化硅等杂相易与氮氧化硅分离,从而大幅度提高产品纯度,而且收得率也非常高,再者利用常压空气作为氮、氧源,节约成本,使得该制备方法,工艺简单,易于操作,成本低廉,适合于工业大规模生产。

    一种单晶α相氮化硅纳米晶须的制备方法

    公开(公告)号:CN110357051A

    公开(公告)日:2019-10-22

    申请号:CN201910617315.3

    申请日:2019-07-09

    Applicant: 南昌大学

    Abstract: 本发明提供了一种单晶α相氮化硅纳米晶须的制备方法,属于一维纳米材料的制备技术领域。一种单晶α相氮化硅纳米晶须的制备方法,将一定粒径的硅粉在无任何稀释剂、金属及金属盐催化剂的条件下,通过氨气预处理后将氮化气氛转换为氮氢氩混合气,在氧辅助生长机制下反应生成长径比5-50的单晶α相氮化硅纳米晶须。本发明工艺简单,无任何添加剂,可以一步制备单晶α相氮化硅纳米晶须。

    一种单晶α相氮化硅纳米晶须的制备方法

    公开(公告)号:CN110357051B

    公开(公告)日:2023-03-14

    申请号:CN201910617315.3

    申请日:2019-07-09

    Applicant: 南昌大学

    Abstract: 本发明提供了一种单晶α相氮化硅纳米晶须的制备方法,属于一维纳米材料的制备技术领域。一种单晶α相氮化硅纳米晶须的制备方法,将一定粒径的硅粉在无任何稀释剂、金属及金属盐催化剂的条件下,通过氨气预处理后将氮化气氛转换为氮氢氩混合气,在氧辅助生长机制下反应生成长径比5‑50的单晶α相氮化硅纳米晶须。本发明工艺简单,无任何添加剂,可以一步制备单晶α相氮化硅纳米晶须。

    一种超长氧化硅包覆氮化硅纳米线的制备方法

    公开(公告)号:CN110484998B

    公开(公告)日:2022-04-12

    申请号:CN201910617314.9

    申请日:2019-07-09

    Applicant: 南昌大学

    Abstract: 本发明提供了一种超长氧化硅包覆氮化硅纳米线的制备方法,属于一维纳米材料的制备技术领域。一种超长氧化硅包覆氮化硅纳米线的制备方法,将一定粒径的硅粉在无任何金属及金属盐催化剂的条件下,通过氨气预处理后将氮化气氛转换为氮氨混合气,氮化反应后在氮化堆积体表面生成大量疏松状超长氮化硅纳米线,纳米线表面覆有一定厚度的非晶氧化硅层。本发明无需金属及金属盐催化剂即可一步获得大量氧化硅包覆氮化硅纳米线,提高了产品纯度,简化了制备工艺。

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