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公开(公告)号：CN119281126A
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202411628626.7
申请日：2024-12-09
Applicant: 江西民强新材料技术有限公司 , 南昌大学
Abstract: 本发明公开了一种聚酰亚胺混合基质气体分离膜及其制备方法，包括如下步骤：步骤1，制备聚酰亚胺胶液；步骤2，二维纳米片表面改性；步骤3，金属有机框架包覆二维纳米片；步骤4，制备含金属有机框架包覆二维纳米片的聚酰亚胺胶液；步骤5，制备聚酰亚胺混合基质气体分离膜。本发明拟通过原位生长法将金属有机框架负载到二维纳米片表面，并使用聚酰亚胺模塑粉溶解于溶剂中作为聚合物基体，制备金属有机框架包覆二维纳米片的聚酰亚胺混合基质气体分离膜，从而达到聚酰亚胺混合基质气体分离膜气体渗透性改善的同时，更可有效提高其气体选择性的目的。
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公开(公告)号：CN114632433B
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202210407243.1
申请日：2022-04-18
Applicant: 南昌大学共青城光氢储技术研究院
Abstract: 本发明公开了一种柔性三维自支撑贵金属‑碳纤维网络材料的制备方法，首先将纺丝制得的含贵金属盐聚酰胺酸纤维膜进行预压延处理，使蓬松结构的各纤维丝达到物理接触，随后将压延处理的含贵金属盐聚酰胺酸纤维膜在化学亚胺化溶剂中浸润，同步实现化学亚胺化与原位微溶解交联，随后进行亚胺化及碳化处理，得到柔性三维交联自支撑贵金属‑碳纤维膜。本发明采用预压延‑溶剂原位微溶接‑化学亚胺化交联相结合的三重交联法，构建三维交联聚酰亚胺网络结构。在随后的碳化过程中，继承此交联结构，形成三维自支撑贵金属‑碳网络材料，实现贵金属‑碳纤维膜的柔性和机械强度提升之目的。
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公开(公告)号：CN115569610A
公开(公告)日：2023-01-06
申请号：CN202211186424.2
申请日：2022-09-27
Applicant: 南昌大学共青城光氢储技术研究院
IPC: B01J3/04 , C04B35/584 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种超长定向α相氮化硅纤维阵列的生产装置及其制备方法，装置包括反应匣钵和高温合成炉；所述反应匣钵由氮化硅基板、陶瓷挡板和陶瓷盖板组成；所述高温合成炉为真空高温炉，其腔室排布有抽真空口、进气口、出气口、紧急泄压口以及真空压力表。利用这种装置，在没有任何金属或金属催化盐的条件下，以氨气和四卤化硅为源气体，在高温下进行反应，制备超长定向α相氮化硅纤维阵列。本发明制备装置简单，由氮化硅基板、陶瓷挡板和中心带圆孔的陶瓷盖板组成的匣钵为氮化硅纤维提供了生长衬底，通过堆叠匣钵，可以实现氮化硅纤维阵列的规模化制备。本发明无需任何金属及金属盐催化剂即可制备超长α相氮化硅纤维阵列，无金属杂质存在。
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公开(公告)号：CN110484998A
公开(公告)日：2019-11-22
申请号：CN201910617314.9
申请日：2019-07-09
Applicant: 南昌大学
Abstract: 本发明提供了一种超长氧化硅包覆氮化硅纳米线的制备方法，属于一维纳米材料的制备技术领域。一种超长氧化硅包覆氮化硅纳米线的制备方法，将一定粒径的硅粉在无任何金属及金属盐催化剂的条件下，通过氨气预处理后将氮化气氛转换为氮氨混合气，氮化反应后在氮化堆积体表面生成大量疏松状超长氮化硅纳米线，纳米线表面覆有一定厚度的非晶氧化硅层。本发明无需金属及金属盐催化剂即可一步获得大量氧化硅包覆氮化硅纳米线，提高了产品纯度，简化了制备工艺。
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公开(公告)号：CN103539460B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201310448710.6
申请日：2013-09-28
Applicant: 南昌大学
IPC: C04B35/584 , C04B35/626
Abstract: 本发明公开了一种以回收硅片切割锯屑制备高纯β相氮化硅粉体的方法，属于无机非金属材料领域。本发明特征在于以回收硅片切割锯屑作为原料，无需任何添加剂高温氮化直接合成氮化硅粉体，制备的β相氮化硅粉体纯度高，Fe杂质含量 93%，氧含量
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公开(公告)号：CN103539459A
公开(公告)日：2014-01-29
申请号：CN201310448694.0
申请日：2013-09-28
Applicant: 南昌大学
IPC: C04B35/584 , C04B35/565 , C04B35/626
Abstract: 本发明公开了一种以回收提纯硅片线锯屑粉制备富α相氮化硅-碳化硅粉体的方法。它采用线锯砂浆回收尾料，包括硅片线锯砂浆在线回收尾料和离线回收尾料等为原料，在气氛保护炉中氮化，然后粉磨得到富α相氮化硅-碳化硅粉体，所得产品纯度高，α相含量高，氧含量
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公开(公告)号：CN119971779A
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202510186934.7
申请日：2025-02-20
Applicant: 南昌大学 , 江西民强新材料技术有限公司
Abstract: 本发明提供了一种聚酰亚胺气体分离膜及其制备方法与应用，涉及气体分离膜技术领域。本发明提供的制备方法包括对聚酰胺酸胶液进行静电纺丝后亚胺化制得纤维膜；基于纤维膜进行原位MOF生长后灌封含MOF颗粒的聚酰亚胺胶液；烘干后制得MOF担载量为5wt％‑35wt％的聚酰亚胺气体分离膜。本发明能够有效提高气体渗透性和选择性，同时提高气体分离膜的力学强度，有效适用于特种气体的分离工作。
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公开(公告)号：CN109755536A
公开(公告)日：2019-05-14
申请号：CN201910073219.7
申请日：2019-01-25
Applicant: 南昌大学
IPC: H01M4/36 , H01M4/38 , H01M4/62 , H01M10/0525
Abstract: 一种表面金属修饰氧氮化改性硅负极材料结构，硅颗粒表面由内而外依次为氮化硅层和氧化硅层，同时硅颗粒表面附着有大量金属颗粒且贯穿氧化硅层和氮化硅层，金属颗粒一端与硅颗粒接触，一端突出在氧化硅层之外。本发明既可利用氮化硅层对硅材料储锂膨胀限制，又可通过氧化硅层的Si-O键与粘结剂中碳氢氧结构形成化学键起弹性钉扎作用，提高锂离子电池的循环稳定性。而氮化硅层的存在可使氧化硅层更薄，其首次库伦效率更高。另外硅表面金属颗粒的存在，电子可通过金属颗粒传输，避免氧化硅层和氮化硅层对电子传输阻挡，提高硅负极材料的倍率性能。本发明同时具备高比容量、优异的循环稳定性、高的首次库仑效率以及优异的倍率性能。
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公开(公告)号：CN106058227A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201610478814.5
申请日：2016-06-28
Applicant: 南昌大学
IPC: H01M4/38 , H01M4/1395 , H01M10/0525
CPC classification number: H01M4/386 , H01M4/1395 , H01M10/0525
Abstract: 一种锂离子电池用硅粉的表面氮化改性方法，其特征是包括如下步骤：（1）依次采用丙酮和水溶液对硅粉原料进行清洗并烘干；（2）然后将清洗烘干后的硅粉置于旋转管式炉中进行表面氮化改性处理。本发明可通过氮化硅层来抑制硅材料的体积膨胀问题，同时可避免或缓解现有Si/SiOX核壳结构负极材料中因O对Li的捕获固定作用造成的首次库伦效率过低问题。本发明制备的表面氮化改性的硅粉的均匀性较好且可控性较高。本发明工艺简单且非常适合大规模产业化生产，有望在锂离子电池、光电材料及传感器等领域得到很好的实际应用。
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