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公开(公告)号：CN107170734A
公开(公告)日：2017-09-15
申请号：CN201710417249.6
申请日：2017-06-06
Applicant: 南昌大学 , 南昌黄绿照明有限公司
CPC classification number: H01L33/48 , H01L25/0753 , H01L33/005 , H01L33/54 , H01L33/56 , H01L33/58 , H01L33/62 , H01L33/642 , H01L2933/005 , H01L2933/0058
Abstract: 本发明公开了一种直接板上芯片的LED封装结构及其封装方法，该LED封装结构是将LED芯片通过固晶层直接键合在基板上，引线的两端分别与LED芯片的上电极、基板上的电路固定连接，在基板上成型光学透镜。该直接板上芯片LED封装方法是将LED芯片通过固晶层直接键合到基板上，光学透镜采用模顶成型技术制作。本发明采用一次光学透镜配光，提高了封装模块的出光效率。同时，省略了封装支架，简化封装工艺，由芯片‑支架和支架‑基板两处界面热阻减少为芯片‑基板一处界面热阻，降低了热阻。本发明解决了垂直结构LED芯片的混光问题，提高其出光效率，尤其适用于对混光空间有较高要求的灯具，如T8、T5灯管和直下式平面灯等，同时具有工艺简单、可靠性高等优点。
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公开(公告)号：CN104269470B
公开(公告)日：2017-06-16
申请号：CN201410483423.3
申请日：2014-09-22
Applicant: 南昌大学 , 南昌黄绿照明有限公司
Abstract: 本发明公开了一种能够释放应力的垂直结构LED薄膜芯片的制作方法及结构，在科学选择设计阻挡层，特别是第一键合层、中间层和第二键合层材料及结构的基础之上，设计LED薄膜和基板之间的金属或合金在去除衬底后通过低温退火处理熔化或部分熔化，从而使得LED薄膜在此熔化过程中可以自由伸展、自平坦化，达到了有效释放LED薄膜中的残余应力的效果，且又不会因退火熔化的温度过高而破坏LED芯片的光电性能。其结构包括：衬底，在衬底上设置有包括缓冲层、n型层、发光层和P型层在内的LED薄膜，在LED薄膜上依次沉积有反射接触层、阻挡层，特征是在阻挡层下方形成有混合层，在混合层下方有基板正面保护层、基板、基板反面保护层和接触层。
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公开(公告)号：CN106711300A
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201611222884.0
申请日：2016-12-27
Applicant: 南昌大学 , 南昌黄绿照明有限公司
Abstract: 本发明公开了一种InGaN基黄色发光二极管结构，它包括衬底，在衬底上由下至上依次生长有缓冲层、n型层、准备层、黄光多量子阱层和p型层，其特征在于：准备层和黄光多量子阱层位置包含有一定数量和大小的倒六角锥结构，准备层是In组分较高的InxGa(1‑x)N厚单层结构，InxGa(1‑x)N层厚度为50‑200nm。In组分较高的InxGa(1‑x)N厚单层结构准备层可显著弛豫了黄光多量子阱层所受的张应力，获得高质量的黄光多量子阱发光层，同时位于准备层及黄光多量子阱层区域的倒六角锥结构可大幅提升p型载流子(空穴)的注入效率，从而提升黄色发光二极管的发光效率。
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公开(公告)号：CN103400913B
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201310306334.7
申请日：2013-07-22
Applicant: 南昌黄绿照明有限公司 , 南昌大学
Abstract: 本发明公开了一种用于生长六方相GaN的矩形图形化硅衬底，包括硅（111）面衬底本体，在硅衬底本体上表面加工有条状隔离带，条状隔离带由相互垂直、宽度相同的纵隔离带和横隔离带构成，将硅衬底本体分割成了多个的矩形生长平台，其特征在于：矩形生长平台的任一角平分线与硅（111）面上六方排列的原子对应的正六边形的任一对角线的夹角在0～5°的范围内。对上述夹角范围的限定保证了六方相GaN生长后形成的横沟槽和纵沟槽的宽度基本一致。这为外延层的晶体质量和后续芯片制程的可靠性提供了有力保障，也彻底解决了现有矩形图形化硅衬底技术中，矩形生长平台方向的不确定性影响GaN晶体质量和芯片良率、可靠性的问题。
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公开(公告)号：CN103872208A
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201410114252.7
申请日：2014-03-26
Applicant: 南昌大学
IPC: H01L33/46
CPC classification number: H01L33/46 , H01L2933/0025
Abstract: 本发明公开了一种具有高反射率反射镜的垂直结构发光二极管结构，从下至上依次包括导电衬底、导电焊接层、P型层、发光层、具有粗化表面的N型层、N电极，特征是：在导电焊接层和P型层之间设有由Ag基反射镜和低折射率介质反射镜组成的复合反射镜，若干个低折射率介质反射镜均匀布置在Ag基反射镜的上表面，且低折射率介质反射镜所占的表面积占复合反射镜的表面积的20-80%。P型层、发光层、N型层可以是AlGaInN基或者AlGaInP基材料体系中的一种。本发明巧妙地利用了可见光从高折射率介质内入射到低折射率介质发生全发射这一物理现象，减小了光在反射镜界面的吸收，提高了复合反射镜的有效反射率，从而提升LED结构的光提取效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103618035A
公开(公告)日：2014-03-05
申请号：CN201310563263.9
申请日：2013-11-14
Applicant: 南昌黄绿照明有限公司 , 南昌大学
CPC classification number: H01L33/12 , H01L33/0075 , H01L33/44 , H01L2933/0025
Abstract: 本发明公开了一种具有应力调制层的氮化镓基LED薄膜芯片及其制备方法，它是在P面欧姆接触金属层和黏结层之间设置有应力调制层，所述应力调制层为Pt和Cr两种金属交替堆叠形成的多个周期的厚度渐变的叠层结构，即Cr/Pt/Cr/、Pt/Cr/Pt结构，Pt金属单层随着与P面欧姆接触金属层间距的增大而逐渐变厚，而Cr金属单层随着与P面欧姆接触金属层间距的增大而逐渐变薄，该应力调制层能有效调节氮化镓基薄膜和硅基板之间由于热膨胀系数的巨大差异而引入的应力。本发明具有释放调节氮化镓基LED薄膜与硅基板之间的应力，提高器件的光电性能和可靠性的优点。
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公开(公告)号：CN103400913A
公开(公告)日：2013-11-20
申请号：CN201310306334.7
申请日：2013-07-22
Applicant: 南昌黄绿照明有限公司 , 南昌大学
Abstract: 本发明公开了一种用于生长六方相GaN的矩形图形化硅衬底，包括硅（111）面衬底本体，在硅衬底本体上表面加工有条状隔离带，条状隔离带由相互垂直、宽度相同的纵隔离带和横隔离带构成，将硅衬底本体分割成了多个的矩形生长平台，其特征在于：矩形生长平台的任一角平分线与硅（111）面上六方排列的原子对应的正六边形的任一对角线的夹角在0～5°的范围内。对上述夹角范围的限定保证了六方相GaN生长后形成的横沟槽和纵沟槽的宽度基本一致。这为外延层的晶体质量和后续芯片制程的可靠性提供了有力保障，也彻底解决了现有矩形图形化硅衬底技术中，矩形生长平台方向的不确定性影响GaN晶体质量和芯片良率、可靠性的问题。
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公开(公告)号：CN107188114B
公开(公告)日：2019-12-24
申请号：CN201710351836.X
申请日：2017-05-18
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明公开了一种基于主动制冷液滴凝结的表面微结构制备方法，它通过主动制冷的液滴凝结技术，使置于一定蒸气环境下的聚合物表面温度低于环境温度，从而空气中的蒸气在聚合物表面成核，凝结长大并自组装成均匀分布的液滴，采用紫外固化实现聚合物固化和液滴蒸发，在聚合物表面得到均匀分布的微结构。本发明仅仅采用单相的聚合物材料，采用主动制冷实现聚合物温度降低，实现液滴凝结，用于替代传统的利用有机溶剂挥发制冷的表面微结构制备技术，简化了制备工艺，避免了由于有机溶剂使用带来的对人体的毒害以及环境污染等问题，具有工艺简单、成本低、微结构尺寸和形貌灵活可控和绿色环保的优点。
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公开(公告)号：CN107068818B
公开(公告)日：2019-12-24
申请号：CN201710286224.7
申请日：2017-04-27
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种AlInGaN基绿、黄光LED的外延结构，包含：一个用于材料生长的衬底；层叠于该衬底上的AlInGaN基半导体叠层，该AlInGaN基半导体叠层至少包含一层N型层、一层P型层和夹于N型层、P型层之间的AlInGaN多量子阱，特征是：在多量子阱中镶嵌有在生长平面中呈周期性排列的V坑，且该种V坑的尺寸大小相同；平面量子阱中存在类量子点结构，并成为LED的主要发光源。本发明具有以下优点：1、多量子阱中的类量子点发光结构减弱了位错的影响；2、多量子阱中镶嵌有在生长平面中呈周期性排列的“工艺V坑”进一步增强了V坑的空穴注入功能；3、可实现V坑增强空穴注入功能的最优化，可提高LED的发光效率。
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公开(公告)号：CN106910804B
公开(公告)日：2019-12-24
申请号：CN201710286225.1
申请日：2017-04-27
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种AlInGaN基多量子阱发光二极管的外延结构，包含：一个用于材料生长的衬底；层叠于该衬底上的AlInGaN基半导体叠层，该AlInGaN基半导体叠层至少包含一层N型层、一层P型层和夹于N型层、P型层之间的AlInGaN多量子阱，特征是：在多量子阱中镶嵌有在生长平面中呈周期性排列的V坑，且该种V坑的尺寸大小相同。本发明可实现V坑增强空穴注入功能的最优化，改善空穴与电子的匹配度，从而提高LED的发光效率。
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