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公开(公告)号：CN101246942B
公开(公告)日：2011-04-27
申请号：CN200810052484.9
申请日：2008-03-21
Applicant: 南开大学
Abstract: 一种发光二极管和激光器制作方法及发光二极管和激光器，方法是将发光二极管和激光器直接外延生长在单晶硅薄膜石英衬底上或外延生长在沉积有缓冲层的单晶硅薄膜石英衬底上。半导体发光二极管结构有与石英衬底键合单晶硅薄膜；形成在石英衬底上的单晶硅电极层；外延生长在单晶硅电极层上的LED的N层；位于LED的N层上的LED发光层；位于LED的发光层上的LED的P层；形成在P层上的LED顶部电极。半导体激光器结构有与石英衬底键合单晶硅薄膜；形成在石英衬底上的单晶硅电极层；外延生长在单晶硅电极层上的LD的N层；位于LD的N层之上的LD的有源层；位于LD的有源层之上的LD的P层；形成在LD的P层之上的LD的顶部电极。本发明可实现LED和LD器件的底发光，可提高LED和LD的发光效率。
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公开(公告)号：CN101246942A
公开(公告)日：2008-08-20
申请号：CN200810052484.9
申请日：2008-03-21
Applicant: 南开大学
Abstract: 一种发光二极管和激光器制作方法及发光二极管和激光器，方法是将发光二极管和激光器直接外延生长在单晶硅薄膜石英衬底上或外延生长在沉积有缓冲层的单晶硅薄膜石英衬底上。半导体发光二极管结构有与石英衬底键合单晶硅薄膜；形成在石英衬底上的单晶硅电极层；外延生长在单晶硅电极层上的LED的N层；位于LED的N层上的LED发光层；位于LED的发光层上的LED的P层；形成在P层上的LED顶部电极。半导体激光器结构有与石英衬底键合单晶硅薄膜；形成在石英衬底上的单晶硅电极层；外延生长在单晶硅电极层上的LD的N层；位于LD的N层之上的LD的有源层；位于LD的有源层之上的LD的P层；形成在LD的P层之上的LD的顶部电极。本发明可实现LED和LD器件的底发光，可提高LED和LD的发光效率。
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公开(公告)号：CN116504884A
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202310366328.4
申请日：2023-04-07
Applicant: 南开大学
IPC: H01L33/00 , H01L27/15 , H01L27/142 , H01L33/26 , H01L33/06 , H01L31/032 , H01L31/0352 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供了一种全无机钙钛矿量子点光转换器件的制备方法及全无机钙钛矿量子点光转换器件，涉及量子点光伏和发光显示技术领域，解决了现有技术中荧光粉、长余辉发光材料等光致发光材料需要外部高能量激发光源、发光效率偏低，以及发光二极管器件需要外接电源才能实现发光功能的不足。该光转换器件采用宽带隙钙钛矿量子点光伏器件驱动窄带隙钙钛矿量子点发光器件，并通过所述光伏器件和发光器件之间的内联设计以及外回路之间的外联设计实现集成一体化。本发明用于实际环境光、弱光等复杂多变环境条件下全天候长效无源自发光与信息显示。
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公开(公告)号：CN105428538B
公开(公告)日：2018-02-27
申请号：CN201510945020.0
申请日：2015-12-17
Applicant: 南开大学
CPC classification number: Y02E10/549
Abstract: 一种具有纳米颗粒密堆积结构的有机太阳电池，以非晶态的锗纳米颗粒作为给体，富勒烯衍生物PC70BM作为受体，给‑受体形成“核‑壳”结构。锗纳米颗粒采用低成本的平板电容耦合等离子体增强化学气相沉积（PECVD）技术制备而成，紧密堆积于电池的活性层中。本发明的优点在于：宽光谱吸收、高吸收系数、高载流子迁移率的锗纳米颗粒取代传统的聚合物，为有机电池的制备提供一种新的给体材料。
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公开(公告)号：CN105591031B
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201610167336.6
申请日：2016-03-23
Applicant: 南开大学
CPC classification number: Y02E10/549
Abstract: 一种基于初晶态多孔纳米锗薄膜的双通道并联型有机‑无机复合太阳电池，以具有n型导电特征的初晶态多孔纳米锗薄膜为基础，在其上旋涂有机给体/有机受体活性层，有机给体/有机受体形成体相异质结的同时有机给体/无机受体形成平面异质结。在此体相异质结和平面异质结共存的复合结构中，载流子可实现并联方式的双通道输运，进而在改善电池输运性能的同时增强和拓展电池对太阳光谱的吸收。其中，n型导电特征的初晶态多孔纳米锗薄膜采用平板电容耦合等离子增强化学气相沉积（PECVD）系统在室温下制备而成。本发明的优点在于：载流子并联的双通道输运方式与锗材料窄带隙、高吸收系数、高载流子迁移率的特性相结合，实现有机电池载流子输运能力和太阳光谱吸收的共同提升。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107240645A
公开(公告)日：2017-10-10
申请号：CN201710475223.7
申请日：2017-06-21
Applicant: 南开大学
CPC classification number: Y02E10/549 , Y02P70/521 , H01L51/0003 , H01L51/4213
Abstract: 本发明公开了一种基于钙钛矿‑纳米锗颗粒的有机‑无机复合太阳能电池制备方法，所述方法包括：在导电玻璃上制备二氧化钛电子传输层；通过PECVD法制备锗纳米颗粒；采用纳米锗颗粒‑甲基碘化铵‑氯化铅‑二甲基甲酰胺混合前驱液；采用超声喷涂法在电子传输层上制备钙钛矿‑纳米锗颗粒复合活性层；在钙钛矿‑纳米锗颗粒复合活性层上沉积P型有机导电层；在P型有机导电层上沉积金属电极层。嵌入到钙钛矿晶格网络的纳米锗颗粒可以拓展钙钛矿太阳电池的长波响应范围，同时被钙钛矿网络钝化的纳米锗颗粒可以为载流子的输运提供并联传输通道；超声喷涂法可以提高原材料的利用率，提高大面积均匀性，适合工业化生产的要求。
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公开(公告)号：CN106876597A
公开(公告)日：2017-06-20
申请号：CN201710102252.9
申请日：2017-02-24
Applicant: 南开大学
IPC: H01L51/48
Abstract: 本发明公开了一种降解或废弃钙钛矿太阳电池的器件回收处理与再利用工艺，包括降解钙钛矿太阳电池器件的初步清洗处理、所得基片的彻底清洗和处理、基片用于重新制备太阳电池器件、产生的废液（各功能层化学组分的混合有机溶液及悬浮物或沉淀）的初步处理以得到背电极金属材料、产生的废液的进一步处理以得到可以参与新一轮器件制备的卤化铅。本发明涉及的湿法工艺具有低温、低耗能等优点，可以避免铅流失对环境生态和人身健康造成的潜在威胁，可以实现对资源的充分和重新再利用，具有潜在良好的经济效益，可进一步推进廉价钙钛矿太阳电池的实用化。
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公开(公告)号：CN104985177B
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201510341884.1
申请日：2015-06-18
Applicant: 南开大学
Abstract: 一种一步法合成表面钝化的纳米锗颗粒的方法，该方法采用电感耦合等离子体增强化学气相沉积系统，使用液态锗和水作为反应源，一步直接合成表面钝化的纳米锗颗粒。本发明的优点在于：降低成本的同时消除了反应源易燃易爆的隐患；提高产量的同时避免了颗粒间的团聚；原位钝化的方法简化了工艺流程，是一种低成本的、易于产业化的纳米锗颗粒制备方法。
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公开(公告)号：CN105355786A
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201510675217.7
申请日：2015-10-19
Applicant: 南开大学
CPC classification number: Y02E10/549 , H01L51/4226 , H01L51/0003 , H01L51/0097
Abstract: 本发明涉及柔性衬底上制备有机无机杂化钙钛矿平面异质结光伏器件，特指采用阳极氧化法制备的二氧化钛致密层作为电子传输层，实现全低温条件制备柔性钙钛矿光伏器件。基于柔性PET/ITO透明导电基底、阳极氧化二氧化钛致密层、有机无机杂化钙钛矿吸收层、空穴传输层和金属电极层的低温柔性光伏器件。通过在PET/ITO导电基底上溅射得到30-100nm厚的金属钛膜，随后在一定溶剂中氧化得到二氧化钛致密层，之后通过旋涂、蒸发或者印刷钙钛矿吸收层，进而制备有机或无机空穴传输层，最后蒸镀金属电极完成整个器件的制备，制备柔性光伏器件光电转化效率超过6%。其特点在于阳极氧化制备的二氧化钛致密层可以在室温条件下获得，为钙钛矿太阳电池低成本、大面积的产业化发展提供了一种发展途径。
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公开(公告)号：CN101894744B
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：CN201010197397.X
申请日：2010-06-11
Applicant: 南开大学
IPC: H01L21/20 , H01L21/268 , H01L21/312
Abstract: 一种采用背面保温层技术激光晶化多晶硅薄膜的方法，步骤如下：在玻璃衬底正面上沉积阻挡层；在阻挡层上沉积晶化前驱物；在上述玻璃衬底背面沉积非晶硅薄膜保温层；用激光器扫描玻璃衬底正面的晶化前驱物表面，晶化完成后形成多晶硅表面；在多晶硅表面旋涂一层光刻胶；通过湿法刻蚀的方法，用Freckle试剂去除衬底背面的非晶硅保温层；将样品浸入去胶剂去掉多晶硅表面的光刻胶即可。本发明的优点是：可有效提高激光晶化多晶硅的性能，且工艺简单、工艺窗口宽、易于实施，不会对形成的多晶硅造成任何影响；所制得的多晶硅薄膜可广泛应用于制备多晶硅薄膜晶体管、显示器光电子器件、面阵敏感器、平板显示基板等，具有重要的实用价值。
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