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公开(公告)号：CN107508567A
公开(公告)日：2017-12-22
申请号：CN201710757542.7
申请日：2017-08-29
Applicant: 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: H03F3/45
CPC classification number: H03F3/4539 , H03F3/45636 , H03F2203/45062
Abstract: 本发明公开了一种低电压跨导恒定轨到轨差分放大器，该放大器的互补输入级通过主从电路对尾电流进行实时补偿，以确保其电流恒定，主从电路在较宽电压范围内可保证输入差分对跨导恒定，共模检测电路根据输入共模电压选通互补差分对中的一组工作，从而在轨到轨输入下实现跨导恒定，基于以上结构特点，本发明的轨到轨差分放大器可工作在0.65V电压下，在整个轨到轨输入范围内实现了跨导恒定。
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公开(公告)号：CN120034160A
公开(公告)日：2025-05-23
申请号：CN202510118170.8
申请日：2025-01-24
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种无外接参考的时钟检测电路，其特征在于，包括：逻辑控制模块，检测模块和反相器；将控制信号VCtrl输入至反相器，反相器输出信号VCtrl_N，将待测信号Clock和反相器的输出输入至逻辑控制模块，逻辑控制模块输出与信号Clock相应的信号VC1和与信号VCtrl_N相应的信号VC2，并将信号VC1和VC2输出到检测模块；检测模块输出信号VOUT。本发明时钟检测电路无需外接参考时钟，且电路中的晶体管数量较少，设计更简易。
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公开(公告)号：CN119813563A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202510195603.X
申请日：2025-02-21
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
Abstract: 本发明公开一种基于单变压器的双频带射频能量收集电路及系统，属于射频能量收集技术领域；电路包括阻抗匹配单元和射频整流器，阻抗匹配单元对900MHz和2.4GHz两个目标频点进行阻抗匹配；射频整流器将射频能量信号转换为直流信号；中阻抗匹配单元包括：电容C1、变压器T1、电感L3、电感L4以及电容C2；电容C1的输入端接射频天线，输出端接变压器T1的初级线圈L1；变压器T1的初级线圈L1一端接到电容C1，另一端接地；变压器T1的次级线圈L2一端接电感L4，另一端接电感L3；电容C2一端接在电感L4与射频整流器输入端RF_P的连接线上，另一端接在电感L3与射频整流器输入端RF_N的连接线上。
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公开(公告)号：CN119720924A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202510246628.8
申请日：2025-03-04
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: G06F30/392 , G06F30/394
Abstract: 本发明公开一种可变非正多边形的螺旋电感的生成方法及系统，属于集成电路射频电感版图绘制领域；生成方法包括：设置可变非正多边形螺旋电感结构的参数值；在可变非正多边形螺旋电感结构其中一圈中，根据参数值计算各顶点坐标；计算可变非正多边形螺旋电感结构每一圈的线圈宽度和每一圈的电感内径，并基于可变非正多边形螺旋电感结构其中一圈中的顶点坐标，来计算到整个可变非正多边形螺旋电感结构的所有顶点坐标；根据得到的所有顶点坐标，绘制可变非正多边螺旋电感结构。通过调整螺旋电感的伸缩率就可以轻松改变它的形状从而使它可以适应任意矩形区域，可以充分地利用版图面积的利用率，这将为布局工作带来极大的便利。
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公开(公告)号：CN119689225A
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202510206485.8
申请日：2025-02-25
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
Abstract: 本发明属于超大规模集成电路测试技术领域，公开了一种基于神经网络的TSV测试分组方法，通过自设计神经网络和损失函数结合的方法，将测试约束写入损失函数，利用梯度下降方法不断优化权重以求解固定测试分组数下的具体测试分组方案；并利用改进二分法求解最小测试分组数，提高了分组算法的鲁棒性。通过实验分析证明本发明所提方法，在不规则TSV布局下分组的精确度、运行效率都表现优异。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119252402B
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202411797714.X
申请日：2024-12-09
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: G16C60/00 , G06F30/23 , G06F119/14
Abstract: 本发明公开了一种多晶材料的弹性粘塑性多尺度本构模型的构建方法及系统，在多晶材料的代表性体积元模型RVE基础上建立单晶尺度本构模型，得到单个晶粒的应力率与应变率之间的关系，然后得到RVE尺度的应力率与应变率之间的关系，建立仿射应变率、应力局部张量、应变局部张量之间的关系；设置初始的单个晶粒应变增量为整体应变增量，通过有限元分析迭代计算，得到RVE尺度的应力增量。本发明适用于解决复杂边界条件下的变形问题，使用算法切线算子及仿射应变增量两个量来定义应变增量与应力增量间的关系，增加了计算的准确性。
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公开(公告)号：CN119252402A
公开(公告)日：2025-01-03
申请号：CN202411797714.X
申请日：2024-12-09
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: G16C60/00 , G06F30/23 , G06F119/14
Abstract: 本发明公开了一种多晶材料的弹性粘塑性多尺度本构模型的构建方法及系统，在多晶材料的代表性体积元模型RVE基础上建立单晶尺度本构模型，得到单个晶粒的应力率与应变率之间的关系，然后得到RVE尺度的应力率与应变率之间的关系，建立仿射应变率、应力局部张量、应变局部张量之间的关系；设置初始的单个晶粒应变增量为整体应变增量，通过有限元分析迭代计算，得到RVE尺度的应力增量。本发明适用于解决复杂边界条件下的变形问题，使用算法切线算子及仿射应变增量两个量来定义应变增量与应力增量间的关系，增加了计算的准确性。
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公开(公告)号：CN118761337A
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202411253438.0
申请日：2024-09-09
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: G06F30/27 , G06F30/23 , G06N3/045 , G06N3/08 , G06F119/02 , G06F119/14 , G06F119/08 , G06F111/10
Abstract: 本发明公开了一种温度循环荷载下基于机器学习模型的封装焊点可靠性预测方法，包括如下步骤：S1. 建立封装结构模型；S2. 利用有限元分析软件对模型进行温度循环仿真；S3. 提出影响焊点应力值的特征量，并确定特征量的范围；S4. 将特征量和输出结果组成数据集，并对数据集进行预处理；S5. 利用神经网络模型训练，并预测出不同温度循环条件和不同焊点特征下的最大应力位置以及最大应力值。本发明通过有限元分析描述焊点力学响应，利用机器学习模型提出了一种更加高效、灵活且准确率高的焊点可靠性预测方法。
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公开(公告)号：CN107565953B
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN201710975393.1
申请日：2017-10-18
Applicant: 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: H03K19/003 , H03K19/00
Abstract: 本发明公开了一种跳变检测器，包括第一PMOS管、第一NMOS管、一个CMOS传输门、一个反相器和一个异或门，可用于在线时序监测，用来监测输入数据是否晚到，即是否在时钟跳变沿之后到来。与传统跳变检测器相比，本发明结构精简，只有16个晶体管，大大减小了跳变检测器的面积。近阈值宽电压的跳变检测器配合触发器工作，其输入端和触发器的输入端相连，在检测窗口内能有效监测数据跳变情况，输出时序预警信号。另外，公开了一种时序预警控制系统，包括动态或门，频率控制状态机以及锁相环。
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公开(公告)号：CN117713511A
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202410079715.4
申请日：2024-01-19
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: H02M1/08 , H03K17/042 , H03K17/082 , H03K17/12 , H03K17/687 , H02M1/00
Abstract: 本发明涉及一种单电源可调驱动电阻SiC MOSFET驱动电路，包括电源电路、可变栅极电阻驱动电路、以及用于测试目标SiC MOSFET Q5开关特性的双脉冲测试电路，通过在目标SiC MOSFET Q5开通/关断过程的不同阶段切换不同的驱动电阻，提高了目标SiC MOSFET Q5的开通/关断速度，其中在器件开通/关断的漏源电流变化的时期，采用一个电阻对目标SiC MOSFET Q5栅极进行充电和放电，减小器件开通/关断延时，提高电压和电流的上升速率。在器件开通/关断的其余时期增大驱动电阻抑制目标SiC MOSFET Q5开关过程中的电压和电流尖峰和振荡，相比于传统驱动电路，能够在有效抑制电压、电流超调和振荡的同时保持较低的开关损耗，提高目标SiC MOSFET Q5的栅极驱动性能，并且电路结构简单，易于实现。
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