公开(公告)号：CN116381439A

公开(公告)日：2023-07-04

申请号：CN202310214741.9

申请日：2023-03-08

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 孙华斌 ,  杨涛 ,  于志浩 ,  徐勇 ,  吴洁 ,  陈子龙 ,  朱力 ,  万相

IPC: G01R31/26

Abstract: 本发明公开一种利用态密度曲线评估有机场效应晶体管退化性能的方法，涉及有机半导体器件技术领域。态密度曲线是在器件的传输特性曲线的基础上通过使用有效迁移率以及接触电阻亚阈值斜率等传统参数进行处理后绘制得到的，使用态密度曲线评估器件能够更直观的观察到薄膜层陷阱在能量上的分布，载流子从深陷阱中释放大致需要的能量，器件性能的退化可以通过态密度曲线有效表现出来，因而利用态密度曲线评估器件退化性能是具有较强的可行性与通用性的。

公开(公告)号：CN116322071A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202310214218.6

申请日：2023-03-08

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 孙华斌 ,  于晓辰 ,  许智奇 ,  李长青 ,  徐勇 ,  吴洁 ,  于志浩 ,  陈子龙

IPC: H10K19/10 ,  H10K10/46 ,  H10K71/12 ,  H10K10/82

Abstract: 本发明属于半导体器件物理领域，公开了一种由垂直有机晶体管构成的反相器，该反相器包括串联的垂直结构的PMOS和垂直结构的NMOS，垂直结构的PMOS包括衬底、底栅、栅氧化层、在栅氧化层表面的graphene、在graphene上层的有机半导体层DPPT‑TT+N2200和蒸镀的源极和漏极Au，垂直结构的NMOS包括衬底、底栅、栅氧化层、在栅氧化层表面的graphene、在graphene上层的有机半导体层N2200+DPPT‑TT和蒸镀的源极和漏极Au，DPPT‑TT+N2200和N2200+DPPT‑TT通过提拉方式形成膜。本发明相比于传统水平结构的反相器，有更低的工作电压。

公开(公告)号：CN110765856B

公开(公告)日：2022-08-12

申请号：CN201910863733.0

申请日：2019-09-12

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 孙力娟 ,  陈子龙 ,  朱海捷 ,  徐倩 ,  甘郑宇 ,  牛超超 ,  郭剑 ,  韩崇 ,  任恒毅

IPC: G06V40/12 ,  G06T7/13 ,  G06T5/00

Abstract: 基于卷积的低质量手指静脉图像边缘检测算法，首先利用图像的中心线把水平放置的手指分为上下两部分，分析上下两部分手指边界处像素灰度值的变化情况，设计对应的卷积矩阵，接着利用预先设计好的卷积矩阵分别对手指上下两部分进行运算，得到粗略检测出的手指边界。对于低质量指静脉图像，粗检测的手指边界往往存在缺失断裂的情况，因此，需要判断粗检测的手指边界是否存在断裂的情况，如果边界完好，则完成边缘检测，如果边界存在断裂情况，则采用多项式拟合的方法对边界进行修复。本方法可以实现手指边界与设备背景融合的低质量指静脉图像的边缘检测，具有较强的鲁棒性，能够提高指静脉识别系统的可靠性。

公开(公告)号：CN114665020A

公开(公告)日：2022-06-24

申请号：CN202210299035.4

申请日：2022-03-25

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 徐勇 ,  饶锦航 ,  高相林 ,  严宇 ,  戴晓菡 ,  窦存花 ,  陈泉桦 ,  陈子龙 ,  于志浩 ,  孙华斌 ,  吴洁

IPC: H01L51/40 ,  H01L51/05 ,  H01L51/10

Abstract: 本发明公开了一种高性能底栅底接触聚合物场效应晶体管的制备方法，所述的晶体管器件包括：衬底、绝缘层、半导体层和源漏电极，所述的制备方法首先以蒸镀的方式在绝缘层上方蒸镀形成源漏电极，继而通过旋涂的方式在其上方形成半导体层；当选用IDT‑BT作为有源半导体层时，源漏电极的厚度为20‑30nm，当选用DPPT‑TT作为有源半导体层时，源漏电极的厚度为40‑50nm。本发明的发明人经过大量实验，发现通过固定半导体层的厚度，并调整源漏电极的厚度，会影响底栅底接触聚合物场效应晶体管的性能，发明人通过使用蒸镀仪蒸镀了不同厚度的源漏电极，在将不同电极厚度下器件的性能参数对比之后，发现了源漏电极的最佳厚度，此时能获得电学性能最优的有机薄膜晶体管器件。