面向蓝光可见光通信的硅基GaN系光子芯片及制备方法

    公开(公告)号:CN108333679B

    公开(公告)日:2020-04-21

    申请号:CN201810144374.9

    申请日:2018-02-11

    Abstract: 本发明公开了一种面向蓝光可见光通信的硅基GaN系光子芯片及制备方法,实现载体为带有低折射率包层的硅衬底氮化物晶片,硅衬底氮化物晶片包括硅衬底层和位于硅衬底层上方的带有低折射率包层的顶层氮化物,顶层氮化物上设置有纳米光波导、分路器、谐振环、耦合光栅和用于通电的镍/金电极。本发明体积小,具有高度的集成性,可应用于光子计算及可见光通信等领域,提升蓝光波段可见光通信技术在信息传输速率、信息处理速度和终端器件集成度等多方面的性能指标。

    一种基于局部回归模型的图像超分辨率重建方法

    公开(公告)号:CN105488759B

    公开(公告)日:2019-06-04

    申请号:CN201510902909.0

    申请日:2015-12-09

    Abstract: 本发明公开一种基于局部回归模型的图像超分辨率重建方法,首先,对输入低分辨率图像,高斯低通滤波得到其低频带图像,双立方插值得到输出高分辨率图像的近似低频带图像。其次,重建时对高分辨率图像的低频带图像中每个图像块应用一阶回归模型,回归模型中高/低图像间的映射函数可对输入图像通过机器学习的方法得到,即利用输入低分辨率图像及其低频带图像对应位置采样得到对应位样本图像块对进行字典训练。最后,重建图像块的非局部自相似块分别应用一阶回归模型,加权综合得到重建的高分辨率图像块。本发明所提出方法无需利用外部图像模型,而是利用输入图像自身学习得到先验模型,依此模型重建出的高分辨图像取得了较好的主客观重建效果。

    一种非周期高对比度光栅
    23.
    发明授权

    公开(公告)号:CN103713341B

    公开(公告)日:2017-02-01

    申请号:CN201310672265.1

    申请日:2013-12-12

    Abstract: 本发明公开了一种非周期高对比度光栅及其制备方法,光栅结构包括从上到下的氮化物器件层和硅衬底层,顶氮化物器件层上具有光栅器件结构,光栅器件满足相位匹配方程:。光栅器件结构为非周期,以空气隙为间隔。氮化物器件层,使用的材料为氮化镓;硅衬底层具有一个贯穿至氮化物器件层下表面的空腔;氮化物器件层为完全悬空的。本发明的光栅聚焦和透射能力强、运用场景丰富、制备工艺简单。

    悬空氮化物薄膜LED器件及其制备方法

    公开(公告)号:CN103633203B

    公开(公告)日:2016-12-28

    申请号:CN201310107133.4

    申请日:2013-05-08

    Abstract: 本发明提供一种悬空氮化物薄膜LED器件及其制备方法,实现载体为硅衬底氮化物晶片,包括顶层氮化物器件层和硅衬底层;该方法能够实现高折射率硅衬底层和氮化物器件层的剥离,消除硅衬底层对激发光的吸收,实现悬空氮化物薄膜LED器件;所述顶层氮化物器件层的上表面具有纳米结构,用以改善氮化物的界面状态,提高出光效率;结合背后对准和深硅刻蚀技术,去除LED器件下方的硅衬底层,得到悬空氮化物薄膜LED器件,进一步采用氮化物背后减薄刻蚀技术,获得超薄的悬空氮化物薄膜LED器件,降低LED器件的内部损耗,提高出光效率。

    硅基氮化物材料的氧化铪悬空谐振光子器件及其制备方法

    公开(公告)号:CN103811598B

    公开(公告)日:2016-03-23

    申请号:CN201310672969.9

    申请日:2013-12-12

    Abstract: 本发明公开了一种硅基氮化物材料的氧化铪悬空谐振光子器件及其制备方法,实现载体为硅衬底III族氮化物晶片外延生长一层纳米级厚度的氧化铪薄膜,包括硅衬底层,设置在硅衬底层上的氮化物层,以及外延生长在氮化物层上的氧化铪薄膜层。硅衬底层具有一个贯穿至氮化物层下表面的长方体空腔;氮化物层位于空腔上部的悬空部分从其下表面进行减薄处理;氮化物层和氧化铪薄膜层位于空腔上部的部分具有相同的纳米光子器件结构。本发明还公开了一种硅基氮化物材料的氧化铪悬空谐振光子器件的制备方法,该器件实现了激发光和纳米结构之间的交互作用,并且便于与硅基微电子加工技术集成,实现集成式硅基光电子系统。

    微机电可调氮化物光波导器件的制备方法

    公开(公告)号:CN105044839A

    公开(公告)日:2015-11-11

    申请号:CN201510357762.1

    申请日:2013-03-29

    CPC classification number: G02B6/122 G02B6/13 G02B6/136

    Abstract: 本发明提供微机电可调氮化物光波导器件的制备方法,其实现载体为高阻硅衬底氮化物晶片,该晶片包括顶层氮化物器件层和硅衬底层;所述顶层氮化物器件层的上表面具有光波导器件和微纳驱动器件结构,结合背后对准和深硅刻蚀技术,去除氮化物光波导器件和微纳驱动器件下方的硅衬底层,得到悬空氮化物光波导器件;采用氮化物背后减薄刻蚀技术,获得分离的氮化物光波导器件和微纳驱动器件;该方法能够实现高折射率硅衬底层和氮化物器件层的剥离,利用氮化物器件层和空气的折射率差异,实现氮化物光波导器件对光场的约束;相邻波导器件之间的距离可以通过微机电驱动器进行调控,由于耦合距离的改变,从而实现对光波导器件光学性能的调控。

    氮化铝基的导模共振多通道滤光器及其制备方法

    公开(公告)号:CN104698537A

    公开(公告)日:2015-06-10

    申请号:CN201510085721.1

    申请日:2015-02-17

    CPC classification number: G02B6/12007 G02B6/13

    Abstract: 本发明公开了一种氮化铝基的导模共振多通道滤光器及其制备方法,包括硅衬底层、氮化铝波导层、氮化铝光栅,所述的氮化铝光栅由多排不同周期的线性光栅阵列组成。该可见光波段的导模共振多通道滤光器实现在硅衬底氮化铝晶片上,采用电子束曝光、离子束刻蚀、光刻法、深反应离子刻蚀等技术定义和刻蚀器件,采用背后对准工艺和深硅刻蚀技术,去除氮化铝光栅下方的硅衬底,使得氮化铝层完全悬空。该器件利用不同周期光栅的导模共振特性,实现了可见光波段内的多通道滤光。

    微机电可调氮化物谐振光栅

    公开(公告)号:CN103185918B

    公开(公告)日:2015-05-06

    申请号:CN201310085681.1

    申请日:2013-03-18

    Abstract: 本发明公开了一种微机电可调氮化物谐振光栅,实现氮化物谐振光栅和微型纳米静电驱动器的集成并提出了制备微机电可调氮化物谐振光栅的方法;该微机电可调氮化物谐振光栅实现在高阻硅衬底氮化物晶片上,采用薄膜沉积、电子束曝光、光刻、反应离子刻蚀、三五族刻蚀、深硅刻蚀等技术定义和刻蚀器件,并在器件下方形成空腔,完成悬空微型纳米静电驱动器和谐振光栅的集成;通过微型纳米静电驱动器调控谐振光栅的周期、占空比等结构参数,从而达到改变器件光学性能的目的。

    氮化物非对称型回音壁模式光学微腔器件及制备方法

    公开(公告)号:CN103972789A

    公开(公告)日:2014-08-06

    申请号:CN201410134928.9

    申请日:2014-04-04

    Abstract: 本发明公开了一种氮化物非对称型回音壁模式光学微腔器件及制备方法,光学微腔器件包括硅衬底层、设置在硅衬底层上的氮化镓层,氮化镓层中设置有非对称型回音壁模式光学微腔和水平的支撑臂,非对称型回音壁模式光学微腔下方设置有贯穿硅衬底层的空腔,使非对称型回音壁模式光学微腔完全悬空,非对称型回音壁模式光学微腔通过支撑臂与氮化镓层连接,实现微腔内部光全反射传播,最终方向性的输出。本发明器件能够实现激光选频并且定向输出的功能、制造工艺简便、输出功率高。

    超薄氮化物微纳静电驱动器及其制备方法

    公开(公告)号:CN103626115A

    公开(公告)日:2014-03-12

    申请号:CN201310107025.7

    申请日:2013-03-29

    Abstract: 本发明提供超薄氮化物微纳静电驱动器及其制备方法,该方法能够解决厚膜氮化物悬空器件的加工问题,获得厚度可控的超薄氮化物微纳静电驱动器。该氮化物微纳静电驱动器实现在高阻硅衬底氮化物晶片上,采用电子束曝光技术定义微纳静电驱动器,并采用离子束轰击或反应离子束刻蚀方法在氮化物器件层实现器件结构;结合光刻技术,定义隔离槽,并采用反应离子束刻蚀方法刻蚀氮化物器件层至硅衬底;结合背后对准和深硅刻蚀技术,去除微纳静电驱动器下方硅衬底层,采用氮化物背后减薄刻蚀技术,实现驱动器固定部分和可移动部分的分离,获得硅衬底超薄氮化物微纳静电驱动器。

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