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公开(公告)号：CN102175933B
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：CN201110031977.6
申请日：2011-01-28
Applicant: 南京理工大学
CPC classification number: H01J43/246
Abstract: 本发明公开了一种微通道板(MCP)噪声因子测试方法，它包括噪声因子的测试条件和具体测试方法。本发明将MCP、荧光屏和电子枪封闭在一高真空室内；均匀面电子束入射MCP，在MCP两端施加高压使其正常工作；检测MCP的输入电流、输出电流特性；通过MCP的输入电流的测试和数据处理，可以计算出MCP的输入信噪比；同时测试出MCP的输出电流数据，通过数据处理可以计算MCP的输出信噪比，最终计算出噪声因子参数。该测试方法可以科学地评价MCP的噪声特性，为高性能微光器件的研制，提供理论指导和技术支撑。在MCP和微光像增强器的研制和生产中可以广泛应用。
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公开(公告)号：CN101673396A
公开(公告)日：2010-03-17
申请号：CN200910034678.0
申请日：2009-09-07
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种基于动态目标检测的图像融合方法，属于图像处理技术领域。该方法首先对红外图像序列中的运动目标进行检测和提取，并以红外图像为参考，对微光图像进行快速配准，接着对红外和微光图像进行融合，最后将提取到的红外目标与融合图像进行二次融合。实验结果表明，本发明中所得到的融合图像不仅具有普通融合方法信息丰富的特点，还具有鲜明的红外目标指示特性。此外，本发明还可提供红外目标的坐标信息，为精确定位目标提供了可能。它在夜视侦察、安防监控等军事和民事领域有着广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN100585775C
公开(公告)日：2010-01-27
申请号：CN200710019814.X
申请日：2007-01-30
Applicant: 南京理工大学
IPC: H01J9/42 , H01J9/02 , H01J1/34 , H01L21/66 , H01L21/324
Abstract: 本发明公开了一种GaAs光电阴极退火后表面清洁程度的判断方法。该方法在对GaAs阴极进行激活以前，需要对阴极材料的退火效果进行判断，即对由计算机采集到的高温退火处理和低温退火处理过程中超高真空系统中真空度的变化曲线进行微分处理，该微分处理首先是对离散信号进行差值处理，使离散信号变为均匀采样间隔的离散信号，然后对其进行滤波处理，去掉信号中的干扰，再利用泰勒展开式求出系统真空度变化曲线的微分，最后把微分后的真空度曲线与微分前的真空度曲线进行比较和分析，由比较和分析的结果判断出退火处理的效果。本发明能明显降低对退火后GaAs阴极表面清洁程度的判断成本，可靠性高，对阴极表面无影响，不会对退火后的激活过程副作用。
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公开(公告)号：CN101470026A
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：CN200710192272.6
申请日：2007-12-24
Applicant: 南京理工大学
IPC: G01J5/10
Abstract: 本发明公开了一种凝视型热像仪非均匀性校正实时标定装置。它包括红外镜头、红外探测器和信号处理控制电路，信号处理控制电路连接在红外探测器上，位于红外镜头与红外探测器之间的等效高低温参考黑体挡片连接步进电机的转子，步进电机的电源及控制端口连接信号处理控制电路，等效高低温参考黑体挡片上设置有等效高温参考黑体区域和等效低温参考黑体区域。它可以使热像仪在实际使用过程中可以随工作条件的改变而采用基于时域递归的两点非均匀性校正算法进行现场实时标定，从而兼具良好的非均匀性校正效果和时域漂移补偿效果，大大提高了凝视型热像仪的成像质量和稳定性，有效扩展了凝视型热像仪的应用范围。
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公开(公告)号：CN101236873A
公开(公告)日：2008-08-06
申请号：CN200710019814.X
申请日：2007-01-30
Applicant: 南京理工大学
IPC: H01J9/42 , H01J9/02 , H01J1/34 , H01L21/66 , H01L21/324
Abstract: 本发明公开了一种GaAs光电阴极退火后表面清洁程度的判断方法。该方法在对GaAs阴极进行激活以前，需要对阴极材料的退火效果进行判断，即对由计算机采集到的高温退火处理和低温退火处理过程中超高真空系统中真空度的变化曲线进行微分处理，该微分处理首先是对离散信号进行差值处理，使离散信号变为均匀采样间隔的离散信号，然后对其进行滤波处理，去掉信号中的干扰，再利用泰勒展开式求出系统真空度变化曲线的微分，最后把微分后的真空度曲线与微分前的真空度曲线进行比较和分析，由比较和分析的结果判断出退火处理的效果。本发明能明显降低对退火后GaAs阴极表面清洁程度的判断成本，可靠性高，对阴极表面无影响，不会对退火后的激活过程副作用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118199517A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202410245995.1
申请日：2024-03-05
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种基于线阵InGaAs相机的光伏电池板光致发光成像系统及方法，包括线阵InGaAs相机、双重滤光结构、程控电源、线阵光源、可调速传送带、测试上位机和待测光伏电池板，所述上位机用于控制程控电源驱动线阵光源，激励所述待测光伏电池板产生光致发光现象，待测光伏电池板产生的光信号通过双重滤光结构后进入线阵InGaAs相机，通过线阵InGaAs相机捕获光致发光信号，对信号降噪处理后传输至上位机显示，从而进行缺陷检测。本发明具备对单晶硅和多晶硅光伏电池板中各类缺陷进行成像检测的能力，对提高光伏电池板的缺陷检测效率，降低检测成本有一定的应用价值。
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公开(公告)号：CN118136481A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202410100056.8
申请日：2024-01-24
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种基于双MCP的大面积高增益均匀面电子源，包括盘形冷阴极紫外灯、盘形冷阴极紫外灯外壳、盘形冷阴极紫外灯夹具、盘形冷阴极紫外灯固定盘、第一片MCP、第二片MCP、第一MCP夹具、第二MCP夹具、第三MCP夹具和第四MCP夹具。本发明采用盘形冷阴极紫外灯提供均匀的入射光子，使用近贴型双片级联微通道板作为入射光子的电子倍增器件，通过调节级联微通道板间的板压来调节输出面电子流的密度大小。本发明解决了面源电子枪灯丝无法实现大面积均匀面电子输出和由紫外光源+金阴极+单微通道板组成的面电子源产生装置无法提供足够的增益的问题，实现大面积、高增益、均匀面电子流的输出。
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公开(公告)号：CN113690119B
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202110694309.5
申请日：2021-06-22
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种近红外响应增强的叠层复合GaAs基光电阴极及其制备方法。该光电阴极包括自下而上设置的衬底、GaAs缓冲层、InyAl1‑yAs线性渐变缓冲层、p型In0.19Al0.81As腐蚀阻挡层、p型InxGa1‑xAs变组分变掺杂发射层、DBR反射层和增透膜接触层，其中，DBR反射层由GaAs层与AlAs层按照特定周期交替生长组成。p型掺杂InxGa1‑xAs发射层由不同In组分的多子层组成，各子层中In组分自内向外逐层由0.05递增到0.2。本发明一方面通过变组分生长技术，改善了原有InGaAs光电阴极的晶格匹配质量，提高了光电阴极的光电发射特性，增强了该光电阴极在全波段的响应。另一方面，通过引入DBR反射层，大幅提高了该光电阴极对近红外特定波长的光吸收能力，进一步提高了特定波长下的量子效率增强效果。
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公开(公告)号：CN115988332A
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202211382818.5
申请日：2022-11-07
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种基于EBAPS的全国产化成像系统及方法，包括EBAPS传感器、模数信号转换模块、FPGA模块、视频输出模块、图像显示模块和系统供电模块，EBAPS传感器根据FPGA模块的采集驱动信号进行数据采集，输出一对差分信号，差分信号经过电阻分压后至模数信号转换模块，模数信号转换模块对信号进行模数转换后输出至FPGA模块，FPGA模块通过帧间噪声抑制算法进行图像处理，输出1280×1024的图像，通过视频输出模块发送至图像显示模块进行图像显示。本发明的全部器件均国产化，可实现4×10‑3lx环境照度下的清晰成像，对国内低照度环境下的探测工作有一定的应用价值。
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公开(公告)号：CN113113277B
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202110299754.1
申请日：2021-03-22
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明公开了反、透射式石墨烯光电阴极及其制备和激活方法，该阴极包括衬底层、p型石墨烯发射层和Cs/O激活层。制备方法包括：将苯基硼酸粉末加热升华至退火处理后的铜箔上，冷却后生成单层硼掺杂石墨烯；将硼掺杂石墨烯逐层转移至目标衬底，形成p型石墨烯发射层；在p型石墨烯发射层表面进行Cs/O激活，由此制得反、透射式石墨烯光电阴极。激活方法包括铯、氧源激活两步，其中第一步激活中采用卤素灯白光光源垂直照射光电阴极面，第二步激活中采用蓝紫光激光器垂直照射光电阴极面。本发明能获得稳定性好，且可用于真空光电探测器件和真空电子源的反、透射式石墨烯光电阴极。
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