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公开(公告)号：CN113690119A
公开(公告)日：2021-11-23
申请号：CN202110694309.5
申请日：2021-06-22
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种近红外响应增强的叠层复合GaAs基光电阴极及其制备方法。该光电阴极包括自下而上设置的衬底、GaAs缓冲层、InyAl1‑yAs线性渐变缓冲层、p型In0.19Al0.81As腐蚀阻挡层、p型InxGa1‑xAs变组分变掺杂发射层、DBR反射层和增透膜接触层，其中，DBR反射层由GaAs层与AlAs层按照特定周期交替生长组成。p型掺杂InxGa1‑xAs发射层由不同In组分的多子层组成，各子层中In组分自内向外逐层由0.05递增到0.2。本发明一方面通过变组分生长技术，改善了原有InGaAs光电阴极的晶格匹配质量，提高了光电阴极的光电发射特性，增强了该光电阴极在全波段的响应。另一方面，通过引入DBR反射层，大幅提高了该光电阴极对近红外特定波长的光吸收能力，进一步提高了特定波长下的量子效率增强效果。
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公开(公告)号：CN113690119B
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202110694309.5
申请日：2021-06-22
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种近红外响应增强的叠层复合GaAs基光电阴极及其制备方法。该光电阴极包括自下而上设置的衬底、GaAs缓冲层、InyAl1‑yAs线性渐变缓冲层、p型In0.19Al0.81As腐蚀阻挡层、p型InxGa1‑xAs变组分变掺杂发射层、DBR反射层和增透膜接触层，其中，DBR反射层由GaAs层与AlAs层按照特定周期交替生长组成。p型掺杂InxGa1‑xAs发射层由不同In组分的多子层组成，各子层中In组分自内向外逐层由0.05递增到0.2。本发明一方面通过变组分生长技术，改善了原有InGaAs光电阴极的晶格匹配质量，提高了光电阴极的光电发射特性，增强了该光电阴极在全波段的响应。另一方面，通过引入DBR反射层，大幅提高了该光电阴极对近红外特定波长的光吸收能力，进一步提高了特定波长下的量子效率增强效果。
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公开(公告)号：CN113113277B
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202110299754.1
申请日：2021-03-22
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明公开了反、透射式石墨烯光电阴极及其制备和激活方法，该阴极包括衬底层、p型石墨烯发射层和Cs/O激活层。制备方法包括：将苯基硼酸粉末加热升华至退火处理后的铜箔上，冷却后生成单层硼掺杂石墨烯；将硼掺杂石墨烯逐层转移至目标衬底，形成p型石墨烯发射层；在p型石墨烯发射层表面进行Cs/O激活，由此制得反、透射式石墨烯光电阴极。激活方法包括铯、氧源激活两步，其中第一步激活中采用卤素灯白光光源垂直照射光电阴极面，第二步激活中采用蓝紫光激光器垂直照射光电阴极面。本发明能获得稳定性好，且可用于真空光电探测器件和真空电子源的反、透射式石墨烯光电阴极。
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公开(公告)号：CN112885684B
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN202110149423.X
申请日：2021-02-03
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种提高GaAs光电阴极稳定性的激活方法，包括两次Cs/Li/NF3激活，分别在两次高温净化之后各进行一次激活。本发明的操作步骤少，Cs源一直保持开启状态，Li源的开启和关闭只需判定光电流的大小，NF3的开启和关闭只需控制阀门开关，可操作性强，且光电阴极稳定性提升显著。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN112885684A
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN202110149423.X
申请日：2021-02-03
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种提高GaAs光电阴极稳定性的激活方法，包括两次Cs/Li/NF3激活，分别在两次高温净化之后各进行一次激活。本发明的操作步骤少，Cs源一直保持开启状态，Li源的开启和关闭只需判定光电流的大小，NF3的开启和关闭只需控制阀门开关，可操作性强，且光电阴极稳定性提升显著。
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公开(公告)号：CN111584326B
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN202010358213.7
申请日：2020-04-29
Applicant: 南京理工大学
IPC: H01J9/12
Abstract: 本发明公开了一种提高InGaAs光电阴极量子效率的激活方法，包括铯、氧激活和铯、NF3激活的两次激活，具体为：对InGaAs光电阴极进行第一次高温净化；开启铯源，当光电流下降到峰值电流的50％～85％时，开启氧源，并保持铯源开启，当光电流再次到达峰值时关闭氧源；对InGaAs光电阴极进行第二次高温净化；开启铯源，当光电流下降到峰值电流的50％～85％时，开启NF3进气阀门，使NF3气体进入激活腔体，并保持铯源开启，当光电流曲线上升速率小于0.2μA/min，关闭NF3进气阀门，关闭铯源。本发明可以得到量子效率更高的InGaAs光电阴极。
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公开(公告)号：CN113113277A
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN202110299754.1
申请日：2021-03-22
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明公开了反、透射式石墨烯光电阴极及其制备和激活方法，该阴极包括衬底层、p型石墨烯发射层和Cs/O激活层。制备方法包括：将苯基硼酸粉末加热升华至退火处理后的铜箔上，冷却后生成单层硼掺杂石墨烯；将硼掺杂石墨烯逐层转移至目标衬底，形成p型石墨烯发射层；在p型石墨烯发射层表面进行Cs/O激活，由此制得反、透射式石墨烯光电阴极。激活方法包括铯、氧源激活两步，其中第一步激活中采用卤素灯白光光源垂直照射光电阴极面，第二步激活中采用蓝紫光激光器垂直照射光电阴极面。本发明能获得稳定性好，且可用于真空光电探测器件和真空电子源的反、透射式石墨烯光电阴极。
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公开(公告)号：CN111584326A
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN202010358213.7
申请日：2020-04-29
Applicant: 南京理工大学
IPC: H01J9/12
Abstract: 本发明公开了一种提高InGaAs光电阴极量子效率的激活方法，包括铯、氧激活和铯、NF3激活的两次激活，具体为：对InGaAs光电阴极进行第一次高温净化；开启铯源，当光电流下降到峰值电流的50％～85％时，开启氧源，并保持铯源开启，当光电流再次到达峰值时关闭氧源；对InGaAs光电阴极进行第二次高温净化；开启铯源，当光电流下降到峰值电流的50％～85％时，开启NF3进气阀门，使NF3气体进入激活腔体，并保持铯源开启，当光电流曲线上升速率小于0.2μA/min，关闭NF3进气阀门，关闭铯源。本发明可以得到量子效率更高的InGaAs光电阴极。
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