近红外响应增强的叠层复合GaAs基光电阴极及其制备方法

    公开(公告)号:CN113690119A

    公开(公告)日:2021-11-23

    申请号:CN202110694309.5

    申请日:2021-06-22

    Abstract: 本发明公开了一种近红外响应增强的叠层复合GaAs基光电阴极及其制备方法。该光电阴极包括自下而上设置的衬底、GaAs缓冲层、InyAl1‑yAs线性渐变缓冲层、p型In0.19Al0.81As腐蚀阻挡层、p型InxGa1‑xAs变组分变掺杂发射层、DBR反射层和增透膜接触层,其中,DBR反射层由GaAs层与AlAs层按照特定周期交替生长组成。p型掺杂InxGa1‑xAs发射层由不同In组分的多子层组成,各子层中In组分自内向外逐层由0.05递增到0.2。本发明一方面通过变组分生长技术,改善了原有InGaAs光电阴极的晶格匹配质量,提高了光电阴极的光电发射特性,增强了该光电阴极在全波段的响应。另一方面,通过引入DBR反射层,大幅提高了该光电阴极对近红外特定波长的光吸收能力,进一步提高了特定波长下的量子效率增强效果。

    近红外响应增强的叠层复合GaAs基光电阴极及其制备方法

    公开(公告)号:CN113690119B

    公开(公告)日:2024-04-09

    申请号:CN202110694309.5

    申请日:2021-06-22

    Abstract: 本发明公开了一种近红外响应增强的叠层复合GaAs基光电阴极及其制备方法。该光电阴极包括自下而上设置的衬底、GaAs缓冲层、InyAl1‑yAs线性渐变缓冲层、p型In0.19Al0.81As腐蚀阻挡层、p型InxGa1‑xAs变组分变掺杂发射层、DBR反射层和增透膜接触层,其中,DBR反射层由GaAs层与AlAs层按照特定周期交替生长组成。p型掺杂InxGa1‑xAs发射层由不同In组分的多子层组成,各子层中In组分自内向外逐层由0.05递增到0.2。本发明一方面通过变组分生长技术,改善了原有InGaAs光电阴极的晶格匹配质量,提高了光电阴极的光电发射特性,增强了该光电阴极在全波段的响应。另一方面,通过引入DBR反射层,大幅提高了该光电阴极对近红外特定波长的光吸收能力,进一步提高了特定波长下的量子效率增强效果。

    反、透射式石墨烯光电阴极及其制备和激活方法

    公开(公告)号:CN113113277B

    公开(公告)日:2022-09-20

    申请号:CN202110299754.1

    申请日:2021-03-22

    Abstract: 本发明公开了反、透射式石墨烯光电阴极及其制备和激活方法,该阴极包括衬底层、p型石墨烯发射层和Cs/O激活层。制备方法包括:将苯基硼酸粉末加热升华至退火处理后的铜箔上,冷却后生成单层硼掺杂石墨烯;将硼掺杂石墨烯逐层转移至目标衬底,形成p型石墨烯发射层;在p型石墨烯发射层表面进行Cs/O激活,由此制得反、透射式石墨烯光电阴极。激活方法包括铯、氧源激活两步,其中第一步激活中采用卤素灯白光光源垂直照射光电阴极面,第二步激活中采用蓝紫光激光器垂直照射光电阴极面。本发明能获得稳定性好,且可用于真空光电探测器件和真空电子源的反、透射式石墨烯光电阴极。

    一种提高InGaAs光电阴极量子效率的激活方法

    公开(公告)号:CN111584326B

    公开(公告)日:2022-09-27

    申请号:CN202010358213.7

    申请日:2020-04-29

    Abstract: 本发明公开了一种提高InGaAs光电阴极量子效率的激活方法,包括铯、氧激活和铯、NF3激活的两次激活,具体为:对InGaAs光电阴极进行第一次高温净化;开启铯源,当光电流下降到峰值电流的50%~85%时,开启氧源,并保持铯源开启,当光电流再次到达峰值时关闭氧源;对InGaAs光电阴极进行第二次高温净化;开启铯源,当光电流下降到峰值电流的50%~85%时,开启NF3进气阀门,使NF3气体进入激活腔体,并保持铯源开启,当光电流曲线上升速率小于0.2μA/min,关闭NF3进气阀门,关闭铯源。本发明可以得到量子效率更高的InGaAs光电阴极。

    反、透射式石墨烯光电阴极及其制备和激活方法

    公开(公告)号:CN113113277A

    公开(公告)日:2021-07-13

    申请号:CN202110299754.1

    申请日:2021-03-22

    Abstract: 本发明公开了反、透射式石墨烯光电阴极及其制备和激活方法,该阴极包括衬底层、p型石墨烯发射层和Cs/O激活层。制备方法包括:将苯基硼酸粉末加热升华至退火处理后的铜箔上,冷却后生成单层硼掺杂石墨烯;将硼掺杂石墨烯逐层转移至目标衬底,形成p型石墨烯发射层;在p型石墨烯发射层表面进行Cs/O激活,由此制得反、透射式石墨烯光电阴极。激活方法包括铯、氧源激活两步,其中第一步激活中采用卤素灯白光光源垂直照射光电阴极面,第二步激活中采用蓝紫光激光器垂直照射光电阴极面。本发明能获得稳定性好,且可用于真空光电探测器件和真空电子源的反、透射式石墨烯光电阴极。

    一种提高InGaAs光电阴极量子效率的激活方法

    公开(公告)号:CN111584326A

    公开(公告)日:2020-08-25

    申请号:CN202010358213.7

    申请日:2020-04-29

    Abstract: 本发明公开了一种提高InGaAs光电阴极量子效率的激活方法,包括铯、氧激活和铯、NF3激活的两次激活,具体为:对InGaAs光电阴极进行第一次高温净化;开启铯源,当光电流下降到峰值电流的50%~85%时,开启氧源,并保持铯源开启,当光电流再次到达峰值时关闭氧源;对InGaAs光电阴极进行第二次高温净化;开启铯源,当光电流下降到峰值电流的50%~85%时,开启NF3进气阀门,使NF3气体进入激活腔体,并保持铯源开启,当光电流曲线上升速率小于0.2μA/min,关闭NF3进气阀门,关闭铯源。本发明可以得到量子效率更高的InGaAs光电阴极。

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