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公开(公告)号：CN1144331C
公开(公告)日：2004-03-31
申请号：CN00119007.5
申请日：2000-10-11
Applicant: 南京大学
Abstract: 准周期介电体超晶格材料及设置方法，用铁电单晶材料制成准周期电畴，其参数的选择是使其倒空间中倒格矢满足耦合光参量过程中准位相匹配条件：该准周期结构是由A、B两个基元按准周期序列排列构成，该序列可以用投影的方法得到，即在一个二维正方点阵中做一条斜率为tanθ的直线，投影区域宽度为sinθ+cosθ，区域内格点向该直线的投影点构成了投影角为θ的二组元准周期序列。本发明将准周期结构材料来实现耦合参量过程的多重准位相匹配。
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公开(公告)号：CN113564706A
公开(公告)日：2021-10-29
申请号：CN202110753154.8
申请日：2021-07-02
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种RhO2晶体，所述RhO2晶体属于三方晶系，空间群为(No.164)，其晶格常数为该晶体显示新颖的输运性质及磁性，即在高温下表现为金属行为，在100‑150K出现金属绝缘体转变，低于该温度表现绝缘体行为，同时在2‑300K时，沿(001)晶面方向呈现反铁磁性。分析表明，该金属绝缘体转变是由电子关联和自旋轨道耦合共同导致的一种Mott(莫特)转变，即该结构的RhO2是一种莫特绝缘体。
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公开(公告)号：CN111118605A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201911151400.1
申请日：2019-11-21
Applicant: 南京大学
Abstract: 一种理想狄拉克半金属Cu2HgSnSe4晶体，其特征在于，所述晶体为四方晶系，空间群是 (No.121)，所述Cu2HgSnSe4晶体的能带结构图中其导带与价带是不对称的，在导带仅存在Dirac费米子，而在价带则共存薛定谔费米子和Dirac费米子。如果费米能位于导带，则输运性质主要来源于Dirac费米子。这样的系统将有助于我们得到相对干净的输运实验数据，从而可以探索拓扑量子态的新颖输运性质。同时，Dirac点附近电子的线性色散关系在约400mV的能量范围内一直保持，而线性色散的Dirac锥能带结构对光波有大范围频率的非线性响应。所述晶体具有重大学术价值和潜在应用前景。
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公开(公告)号：CN110387582A
公开(公告)日：2019-10-29
申请号：CN201910223620.4
申请日：2019-03-22
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种理想二维费米液体系统Bi2O2Se单晶，属于电子材料领域。本发明所述的Bi2O2Se单晶的晶体结构为四方晶系，空间群为I4/mmm(139)。采用化学气相输运法(升华法)和凝固析晶法均可制备得到Bi2O2Se单晶。两种方法生长的Bi2O2Se单晶均呈片状，晶体的尺寸范围为毫米级，纯度高、化学成分均匀性好。在2K到300K的宽温度范围内，实验测得的Bi2O2Se晶体的电阻率与温度平方(T2)呈正比关系，符合费米液体理论，Bi2O2Se单晶是一种理想二维费米液体系统。此外Bi2O2Se晶体的电子迁移率分别大于等于2.24×105cm2V-1s-1(2K)和300cm2V-1s-1(300K)，并且在空气中具有良好的稳定性，因此在未来电子器件领域具有良好的应用前景，同时其生长方法简单，成本低廉，有利于工业化生产。
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公开(公告)号：CN108531974A
公开(公告)日：2018-09-14
申请号：CN201810343203.9
申请日：2018-04-17
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开一种大尺寸Rb0.5RhO2或Cs0.5RhO2晶体的生长方法。该方法首先按照一定的质量比例，分别称取Rh2O3和助熔剂Cs2CO3或者Rh2O3和助熔剂Rb2CO3，用研钵研磨混匀后至于干净的氧化铝坩埚中；然后采用助熔剂法生长：先将温度升高到100℃，并维持8小时后，继续升温至1000℃或900℃，然后按照5℃/h的速率分别降温至800℃或700℃，最后自然冷却到室温，采用高纯水溶解助熔剂，烘干之后即可分别获得高质量大尺寸的Rb0.5RhO2或者Cs0.5RhO2单晶体。本发明的晶体生长方法具有生长设备简单、成本低廉、可获得高质量晶体等优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102633495A
公开(公告)日：2012-08-15
申请号：CN201210106212.9
申请日：2012-04-11
Applicant: 南京大学
IPC: C04B35/26 , C04B35/622 , H01F1/11
Abstract: 本发明公开了一种室温铁磁性Sr2FemMonO6陶瓷的制备方法，其中m=10/9，n=8/9或m=7/6，n=5/6，该制备方法使用SrCO3、Fe2O3和MoO3粉末，将上述粉末的混合物经过球磨-预烧-球磨处理，将得到的混合均匀的粉末混合物压片后在N2气氛下烧结，烧结温度1160°C，烧结时间为40小时。采用本发明的制备方法得到了得到高质量、单相的Sr2Fe10/9Mo8/9O6和Sr2Fe7/6Mo5/6O6陶瓷，这些陶瓷具有高于室温的铁磁居里温度，制备这些陶瓷，所需的设备和制备过程简单，无需H2气氛，制备条件宽松。
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公开(公告)号：CN113705087B
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202110910119.2
申请日：2021-08-09
Applicant: 南京大学
IPC: G06F30/27 , G06N20/00 , G16C60/00 , G06F111/10 , G06F119/10
Abstract: 本发明提供一种基于统计机器学习方法的载流子迁移率谱分析系统，其包括：数据输入模块，其用于输入待测材料的电输运数据；预处理模块，其用于对所述电输运数据进行预处理；运算模块，其用于对预处理数据进行计算并得到迁移频谱和载流子参数；所述分析系统还包括输出模块，所述输出模块用于输出所述计算结果。本发明能够快速准确地确定相关电子材料的载流子信息。
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公开(公告)号：CN110408989B
公开(公告)日：2021-04-27
申请号：CN201910075768.8
申请日：2019-01-25
Applicant: 南京大学
Abstract: 一种氧化物热电材料BiCuSeO单晶体及其制备方法，所提供的BiCuSeO单晶体气相输运生长方法具有装置简单、易于操作等优点。所制备的BiCuSeO单晶体材料，具有很高的晶体质量，所述BiCuSeO单晶体的尺寸达毫米级，面积达平方毫米级，所述单晶体材料提供了一个理想的系统来阐明材料的固有物理性能。这对研究如何有效地提高BiCuSeO基热电材料的热电性能以便开发相关热电器件具有重要的意义。所提供的BiCuSeO单晶体是一种氧化物热电材料，可用作理想的高温热电材料用来开发相关热电器件。气相输运法生长晶体，具有生长的晶体纯度高、品质高、成本低、可操作性强等优点。
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公开(公告)号：CN110129878B
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN201910444904.6
申请日：2019-05-27
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种具有高载流子浓度的SnSe晶体及其制备方法和应用。所述SnSe晶体采用助溶剂法生长，设备简单，成本低廉，晶体生长周期较短，有利于工业化生产，且发明人发现，采用NaCl作为助熔剂进行SnSe晶体生长，极大提升了SnSe晶体材料的电学性能。本发明仅需使用SnSe纯净粉体原料(Sn和Se按照化学计量比配料)，无需刻意掺杂其他元素或者非化学计量比配料，所得到的晶体即可自掺杂一定量的SnSe2，且载流子浓度在2K～300K范围内都是1019/cm3量级，具有优良的SnSe材料的电学性能，可有效地拓宽SnSe材料的高ZT值窗口，在热电应用方面具有重要意义。
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公开(公告)号：CN111118605B
公开(公告)日：2020-12-22
申请号：CN201911151400.1
申请日：2019-11-21
Applicant: 南京大学
Abstract: 一种理想狄拉克半金属Cu2HgSnSe4晶体，其特征在于，所述晶体为四方晶系，空间群是(No.121)，所述Cu2HgSnSe4晶体的能带结构图中其导带与价带是不对称的，在导带仅存在Dirac费米子，而在价带则共存薛定谔费米子和Dirac费米子。如果费米能位于导带，则输运性质主要来源于Dirac费米子。这样的系统将有助于我们得到相对干净的输运实验数据，从而可以探索拓扑量子态的新颖输运性质。同时，Dirac点附近电子的线性色散关系在约400mV的能量范围内一直保持，而线性色散的Dirac锥能带结构对光波有大范围频率的非线性响应。所述晶体具有重大学术价值和潜在应用前景。
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