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公开(公告)号：CN113668057A
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN202110930085.3
申请日：2021-08-13
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种近室温巨磁介电效应的Mn2V2O7晶体及其制备方法和应用，所述Mn2V2O7晶体在外加磁场为1T时，在291K(升温)和253K(降温)温度下，最大的磁介电响应为‑18％。本发明制备的Mn2V2O7晶体材料可用作磁介电效应信息传感材料及制备相应的磁介电效应器件，在磁介电效应传感及信息领域具有重大的潜在应用价值。
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公开(公告)号：CN110408989A
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201910075768.8
申请日：2019-01-25
Applicant: 南京大学
Abstract: 一种氧化物热电材料BiCuSeO单晶体及其制备方法，所提供的BiCuSeO单晶体气相输运生长方法具有装置简单、易于操作等优点。所制备的BiCuSeO单晶体材料，具有很高的晶体质量，所述BiCuSeO单晶体的尺寸达毫米级，面积达平方毫米级，所述单晶体材料提供了一个理想的系统来阐明材料的固有物理性能。这对研究如何有效地提高BiCuSeO基热电材料的热电性能以便开发相关热电器件具有重要的意义。所提供的BiCuSeO单晶体是一种氧化物热电材料，可用作理想的高温热电材料用来开发相关热电器件。气相输运法生长晶体，具有生长的晶体纯度高、品质高、成本低、可操作性强等优点。
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公开(公告)号：CN109371468A
公开(公告)日：2019-02-22
申请号：CN201811225006.3
申请日：2018-10-20
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种高质量Cu2Se(1-x)Ax晶体的生长方法。该方法包括如下步骤：(1)原料配制：称取一定量的Cu2Se粉末，然后加入TeCl4、TeBr4或I2粉末作为输运剂和掺杂剂，用研钵研磨混匀后将原料至于干净的耐高温石英管中，再在抽真空的状态下，采用煤气焰密封备用；(2)晶体生长：将步骤(1)密封好的石英管放置于两温区或者多温区的管式炉中，设置生长温度，经过一定周期的生长可获得所述Cu2Se(1-x)Ax晶体，其中A＝Cl、Br或I。本发明中提供的Cu2Se(1-x)Ax晶体生长方法具有生长设备简单、成本低廉、所生长的晶体质量高、尺寸大等优点。
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公开(公告)号：CN107099845A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201710269810.0
申请日：2017-04-24
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种具有巨大磁电阻的HfTe5‑δ晶体及其生长方法。本发明的HfTe5‑δ晶体呈带状，长度尺寸范围为0.5‑2cm，δ的值为0.02～0.12。当δ的值为0.06时，HfTe5‑δ晶体在2K温度和9T磁场下最大的磁电阻为2.5×104％，在室温9T磁场下最大的磁电阻为33％。本发明制备所述HfTe5‑δ晶体采用的是气相输运方法，使用I2、Br2、TeI4、TeBr4或TeCl4作为输运剂，以真空密封的石英管为生长容器，在400℃(生长端)～550℃(原料端)的温区中生长晶体，并通过生长原料中加入过量的Te粉优化生长工艺，获得具有巨大磁电阻的HfTe5‑δ晶体，在新型磁阻器件应用方面有重要研究价值。
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公开(公告)号：CN103193487A
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN201310142843.0
申请日：2013-04-22
Applicant: 南京大学
IPC: C04B35/622 , C04B35/26
Abstract: 本发明公开了一种定量控制Sr2FeMoO6陶瓷B位反位缺陷浓度的方法，本发明的方法使用SrCO3、Fe2O3和MoO3粉末，将上述粉末的混合物经过球磨-预烧-球磨处理，将得到的混合均匀的粉末混合物压片后在流量为65ml/min的5%H2/95%Ar混合气下，在1473K的烧结温度下通过调控烧结时间(16-4h)，得到一系列具有不同B位反位缺陷浓度的Sr2FeMoO6陶瓷，而且本发明的方法所需的设备和制备过程简单易行。
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