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公开(公告)号：CN113223791B
公开(公告)日：2022-07-26
申请号：CN202110467238.5
申请日：2021-04-28
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种窄线宽金属型低压压敏器件及电流体打印的制备方法；所述压敏器件的成分包括纳米银颗粒、乙基纤维素和聚乙烯吡咯烷酮，所述压敏器件包括主体部分和两个外接点，所述外接点位于主体部分两端。将基底清洗和干燥处理，然后采用电流体打印将纳米银溶胶在基底上打印压敏器件，将打印的压敏器件退火固化，得到窄线宽金属型低压压敏器件。所述压敏器件的压敏电阻稳定，非线性系数较大，漏电流小，微观均匀性较好；工艺简单，烧结温度低。
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公开(公告)号：CN113211983B
公开(公告)日：2022-07-26
申请号：CN202110406779.7
申请日：2021-04-15
Applicant: 华南理工大学
IPC: B41J2/045 , B41J2/14 , B41J29/393
Abstract: 本发明公开了一种应用于印刷墨滴的压电喷墨系统，包括中央控制系统、压电喷墨子系统和墨滴优化系统，压电喷墨子系统和墨滴优化系统均分别与中央控制系统连接；压电喷墨子系统包括压电驱动模块、压电喷头和供墨组件，压电驱动模块与中央控制系统连接，压电喷头包括多个喷嘴，压电喷头与压电驱动模块连接，供墨组件与压电喷头连接；墨滴优化系统包括多通道升温装置和温控调节装置，多通道升温装置内设置多个与压电喷头上的喷嘴相应的加热通道，温控调节装置用于对中各加热通道的温度进行调节。还提供了相应的优化方法。主墨滴与卫星滴共同进入多通道升温装置，经加热后将卫星滴完全挥发，主墨滴进一步缩小，克服了喷头尺寸对超高精度印刷的限制。
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公开(公告)号：CN111039573B
公开(公告)日：2022-05-24
申请号：CN201911352145.7
申请日：2019-12-23
Applicant: 华南理工大学
IPC: C03C17/34
Abstract: 本发明属于电致变色薄膜的技术领域，公开了一种WO3电致变色薄膜及其制备方法。所述方法：1)采用浓氨水将纳米氧化钨配成前驱体溶液；2)将前驱体溶液滴加至转动的衬底上，滴加完后，加大衬底的转速继续旋转，获得薄膜；3)将薄膜进行预退火；4)将预退火后的薄膜在空气氛围中进行快速退火，获得WO3电致变色薄膜。本发明的方法简单，原料成本低，溶液稳定性高，制备的薄膜均匀平滑，而且薄膜电致变色性能好。
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公开(公告)号：CN114373589A
公开(公告)日：2022-04-19
申请号：CN202111590980.1
申请日：2021-12-23
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种低粗糙度低功耗高熵金属氧化物介电层及其制备方法与应用。所述方法为：将含锆、铝、镁、铪和钇的无机金属盐溶于有机溶剂中得到前驱体溶液；将前驱体溶液旋涂于衬底上，进行预退火，然后进行热退火处理，得到高熵氧化物介电层薄膜。本发明利用五种常用介电材料元素(Al,Zr,Mg,Y,Hf)的协同作用和熵的主导作用来制备高熵金属氧化物薄膜，并通过增加小半径原子‑Zr4+的占比来填补薄膜空隙，从而达到降低粗糙度的目的，在增加熵值的同时保证薄膜的平整性，从而获得一个低粗糙度低功耗的介电层。
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公开(公告)号：CN113823735A
公开(公告)日：2021-12-21
申请号：CN202110972240.8
申请日：2021-08-24
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明公开了一种自整流且可电致阻变的电存储器及其制备方法。本发明所述自整流且可电致阻变的电存储器，包括N型单晶硅半导体层、P型SnO半导体层和图案化镍电极；其中P型SnO半导体层部分覆盖在N型单晶硅半导体层表面，图案化镍电极设置在P型SnO半导体层表面和未覆盖的N型单晶硅半导体层表面。本发明电存储器具有极高的整流比和开关比，信息存储的可靠性高，同时可以实现低功耗驱动。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112162440B
公开(公告)日：2021-11-23
申请号：CN202011022334.0
申请日：2020-09-25
Applicant: 华南理工大学
IPC: G02F1/1524 , G02F1/155 , G02F1/153
Abstract: 本发明公开了一种电致变色器件及其制备方法与应用。所述电致变色器件的制备方法为：(1)将多金属氧酸盐溶于水中，加入硫酸盐和有机稳定剂，得到电致变色液；(2)在两块透明基板上分别制备图形化金属电极和透明导电层；(3)将两块透明基板的金属电极面和透明导电层面相对，并用边框分隔开一定距离，边缘密封，防止漏液，同时留有电致变色液的灌注口，得到电致变色器件结构；(4)将步骤(1)的电致变色液在真空条件下注入步骤(3)的电致变色器件结构中，注满后封堵灌注口，得到电致变色器件。本发明电致变色液中的多金属氧酸盐在电化学驱动下发生氧化还原引起溶液颜色改变，因而从根本上消除了传统电致变色器件薄膜受离子侵蚀的问题。
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公开(公告)号：CN110534434B
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN201910634921.6
申请日：2019-07-15
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L21/34 , H01L21/445 , H01L21/4763 , H01L29/872
Abstract: 本发明属于印刷电子技术领域，公开了一种溶液法制备金属氧化物TFD的方法。选取禁带宽度相近的金属氧化物绝缘材料和金属氧化物导电材料的前驱体，将其分别溶于同一种溶剂或互溶的溶剂得到绝缘材料前驱体溶液和导电材料前驱体溶液：然后将绝缘材料前驱体溶液和导电材料前驱体溶液依次旋涂于正极衬底上，热退火处理后沉积一层负电极材料，得到金属氧化物TFD。本发明基于溶液法旋涂禁带宽度相近且能溶于互溶或同一溶剂体系的绝缘层和导体层，利用绝缘层和导体层之间形成较大混溶区，使得金属氧化物薄膜器件表现出二极管的整流特性，制备出高性能的金属氧化物薄膜二极管。
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公开(公告)号：CN111129161A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201911353459.9
申请日：2019-12-25
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L29/423
Abstract: 本发明属于薄膜晶体管技术领域，公开了一种柔性基板半嵌入式栅极薄膜晶体管及其制备方法。所述薄膜晶体管包括柔性基板和柔性基板上的栅极，所述柔性基板上设有矩形凹槽，所述栅极下部矩形区域刚好嵌入至矩形凹槽内，栅极上部梯形区域凸出于矩形凹槽外。与现有的堆栈式底栅顶接触的薄膜晶体管和全嵌入式栅极的薄膜晶体管结构相比，本发明有利于绝缘层薄膜和有源层薄膜的内部及接触界面的缺陷减少，提高器件的性能。且本发明在对嵌入栅极后的柔性基板进行表明清洗时，可有效去除可能存在于凹槽内边角处的杂质和清洗剂，洁净度更高，器件质量更好。
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公开(公告)号：CN109727702A
公开(公告)日：2019-05-07
申请号：CN201811515158.7
申请日：2018-12-12
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明属于电子器件材料制备技术领域，公开了一种锆掺杂氧化锡透明导电薄膜及其制备方法。所述方法包括如下制备步骤：(1)配制锆掺杂氧化锡前驱体溶液；(2)将干净玻璃衬底进行等离子体处理；(3)在等离子体处理过的玻璃衬底上旋涂制备锆掺杂氧化锡薄膜；(4)将制备好的薄膜先在热台上进行预固化，之后再进行退火。本发明制备的锆掺杂氧化锡透明导电薄膜具有高透过率，低电阻率，工艺简单，成本低廉等优点。
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公开(公告)号：CN109722653A
公开(公告)日：2019-05-07
申请号：CN201910001788.0
申请日：2019-01-02
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明属于透明导电薄膜技术领域，公开了一种溶液法制备钨掺杂氧化锡透明导电薄膜的方法。将钨粉和过氧化氢溶液在冰水浴中充分反应，过滤除杂后用蒸馏水稀释，得到钨酸溶液；将SnCl2·2H2O溶解于无水乙醇溶剂中，搅拌均匀，得到氯化亚锡溶液；向氯化亚锡溶液中滴加钨酸溶液和H2O2溶液，超声振荡处理至溶液为无色澄清透明，静置老化，得到混合液；在清洗干净的玻璃衬底上旋涂所得混合液，退火处理，得到钨掺杂氧化锡透明导电薄膜。本发明采用钨酸掺杂并加入H2O2提高了溶液的稳定性与通透性，使最终固化的薄膜中，W以+6价的WO3形式存在，提升了薄膜的透射性。
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