公开(公告)号：CN108484159B

公开(公告)日：2021-01-19

申请号：CN201810297943.3

申请日：2018-03-30

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 凌志远 ,  雷佳

IPC: C04B35/468 ,  C04B35/622 ,  H01C7/02 ,  H01C7/04

Abstract: 本发明属于热敏陶瓷材料的技术领域，公开了一种钛酸钡基NTC/PTC双功能陶瓷材料及其制备方法与应用。所述钛酸钡基NTC/PTC双功能陶瓷材料，其化学组成为(Ba1‑(x/2)‑yYxPby)TiO3+zAl2O3+vSiO2，x为(0.01～2)％，y为0.05～0.2；z为0.01～1wt％，v为0.05～1wt％。本发明的陶瓷材料在居里温度TC以下具有很好的负电阻温度系数特性，热敏常数B值最高可达1013K，可作为测温传感器使用；并且在居里温度TC以上具有良好的正电阻温度系数特性，升阻比β值可达3，可作为开关元件使用。

公开(公告)号：CN111908915A

公开(公告)日：2020-11-10

申请号：CN202010564796.9

申请日：2020-06-19

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 凌志远 ,  程正

IPC: C04B35/472 ,  C04B35/622 ,  C04B35/638 ,  C04B41/88

Abstract: 本发明公开了一种锆钛酸镧铅基压电陶瓷及其制备方法与应用。所述锆钛酸镧铅基压电陶瓷的组成为：Pb1-xLax(ZryTi1-y)1-x/4O3+a Pb(Yb0.5Nb0.5)O3+b N，其中，N为Sb2O5或Sb2O3，x＝0.055～0.070，y＝0.55～0.61，以Pb1-xLax(ZryTi1-y)1-x/4O3总重为百分比，a为0.8～1.2％，b为0.8～1.2％。以Pb3O4、La2O3、ZrO2、TiO2、Yb2O3、Nb2O5以及Sb2O5或Sb2O3为原料；球磨混合均匀后煅烧；然后进行二次球磨，造粒压制成坯体；经排胶烧结后得到锆钛酸镧铅基压电陶瓷。

公开(公告)号：CN110965098A

公开(公告)日：2020-04-07

申请号：CN201911208937.7

申请日：2019-11-30

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 李屹 ,  伍景成 ,  申乐 ,  胡星 ,  凌志远

IPC: C25D11/10 ,  C25D11/20

Abstract: 本发明公开了一种多孔多级结构阳极氧化铝模板及其制备方法。该方法包括：将高纯铝片进行电化学抛光过程后，用适量的乙醇和大量的去离子水清洗，再对铝片进行有机物(聚合物溶胶-凝胶CA600)表面旋涂，将得到表面旋涂后的铝片进行热处理，将热处理完的铝片作为阳极，石墨为阴极，采用草酸水溶液为电解液，施加电压进行阳极氧化反应，通过调节氧化时间、氧化电压、旋涂时间和旋涂速度，可以得到不同的多孔多级结构的阳极氧化铝模板。本发明具有操作简单、过程可控、成本低廉、重复性好等优势，大大提高了其应用于生产的可行性。

公开(公告)号：CN110066169A

公开(公告)日：2019-07-30

申请号：CN201910307083.1

申请日：2019-04-17

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 胡星 ,  黄新杰 ,  凌志远 ,  陈玉辉

IPC: C04B35/453 ,  C04B35/14 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种氧化硅基低介电常数微波介质陶瓷及制备方法，其化学组成的表达式为xZnO-yAl2O3-mSiO2-nSrTiO3，其中38mol％≤x≤64mol％，6mol％≤y≤9mol％，26mol％≤m≤50mol％，0≤n≤7mol％，x+y+m+n＝1。其制备方法包括以下步骤：(1)陶瓷中间体粉料的制备；(2)xZnO-yAl2O3-mSiO2-nSrTiO3陶瓷的制备。本发明的微波介质陶瓷的介电常数为6.4～8.2，品质因数大于9,346GHz，谐振频率温度系数较小。本发明的微波介质陶瓷在与微波通讯领域相关的工业生产活动中具有巨大应用价值。

公开(公告)号：CN108277519A

公开(公告)日：2018-07-13

申请号：CN201810220320.6

申请日：2018-03-16

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 李屹 ,  李正祥 ,  李世泽 ,  胡星 ,  凌志远

IPC: C25D11/16 ,  C25D11/10

CPC classification number: C25D11/045 ,  C25D11/10 ,  C25D11/16

Abstract: 本发明公开了一种多孔阳极氧化铝膜的制备方法。该制备方法以抛光后的铝片为阳极，石墨为阴极，采用在草酸水溶液中添加包括乙醇、乙二醇或氯化钠得到的低凝固点电解液，施加电压进行超低温阳极氧化反应，从而实现超低温的阳极氧化反应的目的，在超低温下以极慢的生长速率制备得到多孔阳极氧化铝膜。本发明通过在草酸水溶液中添加包括乙醇、乙二醇或氯化钠，降低了电解液的凝固点，保证在超低温下阳极氧化过程能顺利进行，实现对多孔阳极氧化铝模板的厚度进行精细的微调控，使制备的多孔阳极氧化铝膜可以作为模板更好地应用于各种功能性纳米材料的合成。

公开(公告)号：CN104911668A

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：CN201510340792.1

申请日：2015-06-18

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 李屹 ,  覃玉燕 ,  金世遇 ,  凌志远

IPC: C25D11/12 ,  C25D11/10 ,  C25D11/24 ,  C25D11/16 ,  C25F3/20

Abstract: 本发明公开了一种制备纳米锥形孔阳极氧化铝模板的方法，包括将高纯铝片依次放置于无水乙醇和去离子水中进行清洗，然后进行电化学抛光过程；以抛光后的铝片为阳极，石墨为阴极，在草酸溶液下进行阳极氧化，得到带有铝基底的高度有序多孔氧化铝薄膜，通过调节电压可调节孔间距；将带有铝基底的多孔氧化铝薄膜置于三氧化铬和磷酸混合水溶液中进行除膜，得到表面有均匀凹坑的铝基底；将铝基底置于一次氧化相同的电解液中，施加大电流密度进行快速阳极氧化反应，得到具有纳米锥形孔结构的多孔氧化铝模板。本发明具有工艺简单、操作快捷、可控性好、重复性高等优势，提高了纳米锥形孔多孔氧化铝模板适用于生产的可行性。

公开(公告)号：CN103938248A

公开(公告)日：2014-07-23

申请号：CN201410175576.1

申请日：2014-04-28

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 李屹 ,  覃玉燕 ,  凌志远

IPC: C25D11/04 ,  C25D11/24

Abstract: 本发明公开了一种亚微米/微米复合铝模板的制备方法，该方法将高纯铝片依次置于无水乙醇和去离子水中进行清洗，然后进行电化学抛光；以抛光的铝片为阳极，石墨为阴极，草酸‐乙醇‐水混合溶液为电解液来进行阳极氧化过程，得到带有铝基底的多孔氧化铝薄膜，通过调节电压以及电流密度等阳极氧化条件使亚微米级结构单元进入竞争生长模式，从而形成微米级的结构单元团簇；将带有铝基底的多孔氧化铝薄膜置于三氧化铬和磷酸混合水溶液中进行除膜，得到表面具有亚微米/微米复合凹坑的铝模板。本发明具有原材料易获取、成本低廉、设备简单、操作方便、可控性好等优势，大大提高了其应用于生产的可行性。

公开(公告)号：CN101186497B

公开(公告)日：2010-05-19

申请号：CN200710032257.5

申请日：2007-12-07

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 何新华 ,  黎卓华 ,  凌志远

IPC: C04B35/462 ,  C04B35/622 ,  H01L41/187

Abstract: 本发明公开了一种提高铋层结构压电铁电陶瓷材料高温电阻率的方法，该方法包括配料、材料预处理和分段烧结，铋层结构压电铁电陶瓷材料的化学通式为A(Bi4-xLnx)Ti4-yByO15，其中A为元素Ca、Sr和Ba中至少一种；B为元素V、W和Nb中至少一种；0＜x≤0.5，0＜y≤0.1。分段烧结是以2～5℃/min的速率将温度由室温升高到1100～1200℃，在1～5min内降至1000～1100℃，以5℃/min的速度冷却至500℃后，随炉自然冷却。本发明可以获得在450℃下电阻率高达1.0×107～2.5×109Ω·m的铋层结构压电铁电陶瓷材料。该材料可应用于高温介电、压电陶瓷等领域。

公开(公告)号：CN100424038C

公开(公告)日：2008-10-08

申请号：CN200610124096.8

申请日：2006-12-07

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 凌志远 ,  郭栋

IPC: C04B35/495 ,  C04B35/462 ,  C04B35/622 ,  H01G4/30

Abstract: 本发明涉及一种低温烧结高频热稳定介质陶瓷及其制备方法。其组成为：100Ba3Ti5Nb6O28+aCaNb2O6+bZnO-B2O3，其中，a、b按质量份数计，0≤a≤115，5≤b≤8；其制备方法是将Ba3Ti5Nb6O28、CaNb2O6、ZnO-B2O3混合，加入粘合剂造粒，成型，在910～970℃下烧结。-55℃～+125℃下的电容温度系数TCC在±30×10-6/℃范围内；介电常数εr＝25～41，1MHz下介质损耗tgδ＜3×10-4；制备工艺简单，重现性好；适合于制作符合美国EIA标准NP0温度特性多层片式陶瓷电容器。

公开(公告)号：CN115673336B

公开(公告)日：2025-03-18

申请号：CN202211258551.9

申请日：2022-10-14

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 胡星 ,  凌志远

IPC: B22F9/30 ,  B22F1/065 ,  B22F1/12 ,  H01B1/22 ,  H01B13/00 ,  C01B33/158 ,  C01B33/157

Abstract: 本发明公开了一种银‑二氧化硅球形粉及其制备方法和应用。本发明的银‑二氧化硅球形粉的制备方法包括以下步骤：1)配制酸性硅溶胶；2)将硝酸银溶液和酸性硅溶胶混合制成待雾化溶液；3)将微孔金属膜与进行过极化的环形压电陶瓷片粘合，得到雾化片；4)将雾化片安装到超声波雾化器中，并将待雾化溶液加入超声波雾化器的储液箱中，再进行喷射雾化和自然沉降，得到球形凝胶；5)将球形凝胶进行热处理。本发明的银‑二氧化硅球形粉的球形度好、表面光洁、导电率可调、粒径大范围可调，且其制备方法简单、设备要求低、生产成本低，完全满足LTCC用导电银浆的应用要求，适合在电子工业领域进行大规模应用。