公开(公告)号：CN100424038C

公开(公告)日：2008-10-08

申请号：CN200610124096.8

申请日：2006-12-07

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 凌志远 ,  郭栋

IPC: C04B35/495 ,  C04B35/462 ,  C04B35/622 ,  H01G4/30

Abstract: 本发明涉及一种低温烧结高频热稳定介质陶瓷及其制备方法。其组成为：100Ba3Ti5Nb6O28+aCaNb2O6+bZnO-B2O3，其中，a、b按质量份数计，0≤a≤115，5≤b≤8；其制备方法是将Ba3Ti5Nb6O28、CaNb2O6、ZnO-B2O3混合，加入粘合剂造粒，成型，在910～970℃下烧结。-55℃～+125℃下的电容温度系数TCC在±30×10-6/℃范围内；介电常数εr＝25～41，1MHz下介质损耗tgδ＜3×10-4；制备工艺简单，重现性好；适合于制作符合美国EIA标准NP0温度特性多层片式陶瓷电容器。

公开(公告)号：CN1974479A

公开(公告)日：2007-06-06

申请号：CN200610124096.8

申请日：2006-12-07

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 凌志远 ,  郭栋

IPC: C04B35/495 ,  C04B35/462 ,  C04B35/622 ,  H01G4/30

Abstract: 本发明涉及一种低温烧结高频热稳定介质陶瓷及其制备方法。其组成为：100Ba3Ti5Nb6O28+aCaNb2O6+bZnO－B2O3，其中，a、b按质量份数计，0≤a≤115，5≤b≤8；其制备方法是将Ba3Ti5Nb6O28、CaNb2O6、ZnO－B2O3混合，加入粘合剂造粒，成型，在910～970℃下烧结。－55℃～+125℃下的电容温度系数TCC在±30×10－6/℃范围内；介电常数εr＝25～41，1MHz下介质损耗tgδ＜3×10－4；制备工艺简单，重现性好；适合于制作符合美国EIA标准NP0温度特性多层片式陶瓷电容器。