公开(公告)号：CN110066169B

公开(公告)日：2022-01-18

申请号：CN201910307083.1

申请日：2019-04-17

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 胡星 ,  黄新杰 ,  凌志远 ,  陈玉辉

IPC: C04B35/453 ,  C04B35/14 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种氧化硅基低介电常数微波介质陶瓷及制备方法，其化学组成的表达式为xZnO‑yAl2O3‑mSiO2‑nSrTiO3，其中38mol％≤x≤64mol％，6mol％≤y≤9mol％，26mol％≤m≤50mol％，0≤n≤7mol％，x+y+m+n＝1。其制备方法包括以下步骤：(1)陶瓷中间体粉料的制备；(2)xZnO‑yAl2O3‑mSiO2‑nSrTiO3陶瓷的制备。本发明的微波介质陶瓷的介电常数为6.4～8.2，品质因数大于9,346GHz，谐振频率温度系数较小。本发明的微波介质陶瓷在与微波通讯领域相关的工业生产活动中具有巨大应用价值。

公开(公告)号：CN110066169A

公开(公告)日：2019-07-30

申请号：CN201910307083.1

申请日：2019-04-17

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 胡星 ,  黄新杰 ,  凌志远 ,  陈玉辉

IPC: C04B35/453 ,  C04B35/14 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种氧化硅基低介电常数微波介质陶瓷及制备方法，其化学组成的表达式为xZnO-yAl2O3-mSiO2-nSrTiO3，其中38mol％≤x≤64mol％，6mol％≤y≤9mol％，26mol％≤m≤50mol％，0≤n≤7mol％，x+y+m+n＝1。其制备方法包括以下步骤：(1)陶瓷中间体粉料的制备；(2)xZnO-yAl2O3-mSiO2-nSrTiO3陶瓷的制备。本发明的微波介质陶瓷的介电常数为6.4～8.2，品质因数大于9,346GHz，谐振频率温度系数较小。本发明的微波介质陶瓷在与微波通讯领域相关的工业生产活动中具有巨大应用价值。

公开(公告)号：CN109560372A

公开(公告)日：2019-04-02

申请号：CN201811274600.1

申请日：2018-10-30

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 胡星 ,  黄新杰 ,  凌志远

IPC: H01Q1/38 ,  H01Q1/48 ,  H01Q1/50

Abstract: 本发明公开了一种圆极化陶瓷基板微带天线，包括四个天线单元、馈点网络、氧化铝陶瓷基板以及金属接地板；所述四个天线单元为四个完全相同的天线单元，天线单元附在氧化铝陶瓷基板的一面，所述金属接地板附在氧化铝陶瓷基板的另一面；所述馈电网络包括一个输入端和四个输出端，四个输出端分别与四个天线单元一一对应连接；天线单元的馈电信号幅度相等，相位依次相差0度、-90度、-180度和-270度。本发明与现有的微带天线相比，尺寸更小，更能满足器件小型化的要求。