公开(公告)号：CN115050894A

公开(公告)日：2022-09-13

申请号：CN202210573186.4

申请日：2022-05-25

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 高亮 ,  陈铎 ,  唐江 ,  张建兵 ,  曾祥斌 ,  刘宇轩

IPC: H01L51/48 ,  H01L51/42 ,  H01L51/44 ,  C23C14/34 ,  C23C14/08

Abstract: 本发明公开了一种钝化(100)面的大尺寸硫化铅胶体量子点、量子点薄膜和器件的制备方法，属于量子点材料技术领域，本发明提出了一种新的钝化策略，使大尺寸(直径d>4nm)的PbS CQDs通过卤化物钙钛矿异质外延桥接电荷中性(100)面。光致发光(PL)光谱表明，钙钛矿桥的存在可以显著抑制CQDs通过(100)个面的融合；X射线光电子能谱(XPS)表明氧化现象的抑制；在老化实验中观察到PbS CQDs固体带尾态的减少和离子迁移的抑制，证明了钝化效果的改善；最后，基于该钝化量子点制备的器件，如红外探测器获得了良好的性能，包括抑制的暗电流密度，增强的光响应和提高的工作稳定性。

公开(公告)号：CN113328006A

公开(公告)日：2021-08-31

申请号：CN202110807337.3

申请日：2021-07-16

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 陈龙 ,  高亮 ,  唐江 ,  张琳祥 ,  张建兵 ,  刘宇轩 ,  刘沛林 ,  刘婧 ,  李豪

IPC: H01L31/101 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/0224

Abstract: 本申请公开了一种量子点光电探测器及其制备方法。所述量子点光电探测器包括基底、量子点层和顶电极层；所述量子点层位于所述基底的上方；所述顶电极层位于所述量子点层的上方；所述顶电极层为整面化的形状。该量子点光电探测器利用量子点本身迁移率低的特点，在光电探测器上采用整面覆盖的透明导电电极作为顶电极，而不用像传统探测器那样将顶电极光刻为像素化阵列，避免了额外的走线，同时实现了对水氧的隔绝。

公开(公告)号：CN119486349A

公开(公告)日：2025-02-18

申请号：CN202411662166.X

申请日：2024-11-20

Applicant: 华中科技大学温州先进制造技术研究院

Inventor： 王杨波 ,  陈龙 ,  刘宇轩 ,  李豪 ,  唐江 ,  高亮 ,  张建兵

IPC: H10F77/14 ,  H10F77/30 ,  H10F30/222 ,  H10F71/00

Abstract: 本申请提供一种量子点器件以及量子点器件的制备方法，所述量子点器件包括：电子运输层和强n型层；其中，所述电子运输层和强n型层之间还包括：粘附层，所述粘附层用于增强所述电子运输层和强n型层之间的粘附性。本申请的量子点器件的制备方法，通过旋涂一层粘附层能带来以下的有效效果：1.在电子运输层C60表面形成一层羟基(粘附层为聚乙氧基乙烯亚胺溶液)有利于氧化锡层的生长。由于粘附层本身的性质，可以提升整个薄膜的机械强度和拉伸性能，薄膜的黏附性也得到了增加。有利于器件后期的制备和生产。

公开(公告)号：CN114907846A

公开(公告)日：2022-08-16

申请号：CN202110184890.6

申请日：2021-02-10

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 梁心怡 ,  刘宇轩 ,  高亮 ,  唐江 ,  陈龙 ,  张琳祥

IPC: C09K11/66 ,  C09K11/88 ,  C09K11/02 ,  B82Y30/00 ,  H01L51/42 ,  H01L51/44 ,  H01L51/46

Abstract: 本申请公开了一种量子点材料以及制备方法、应用。量子点材料为经改性组分修饰的胶体量子点；所述改性组分包括聚酰亚胺配体和卤化铅配体；所述胶体量子点包括PbS、PbSe中的至少一种。该量子点材料为经有机聚合物聚酰亚胺(PI)和卤化铅配体协同修饰的胶体量子点，大大降低了量子点的表面缺陷，提高载流子的迁移率，从而降低探测器件的暗电流噪声，提高探测性能。

公开(公告)号：CN114814395A

公开(公告)日：2022-07-29

申请号：CN202110133261.0

申请日：2021-01-29

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 唐江 ,  吴桐 ,  高亮 ,  刘宇轩 ,  刘冬生

IPC: G01R31/00 ,  H01L27/146

Abstract: 本发明公开了一种基于BGA封装类前端芯片的光电探测材料测试系统，属于光电探测材料技术领域，能够解决现有BGA封装中系统封装密度和引脚数较大时，所设计的PCB板层数较多的问题。所述系统包括：PCB板，其上设置有多个过孔；光电探测材料，设置在PCB板的第一表面上；光电探测材料构成多个独立的像素；每个过孔与每个像素一一对应；BGA封装类前端芯片，设置在PCB板的第二表面上，BGA封装类前端芯片具有多个引脚，每个过孔均对应一个引脚，每个像素的阳极通过对应的过孔与对应的引脚电气连接；FPGA开发板，用于对BGA封装类前端芯片传输的信号进行打包和传送；显示屏，用于对FPGA开发板传送的信号进行显示。本发明用于新型光电探测材料的研发。

公开(公告)号：CN112531049A

公开(公告)日：2021-03-19

申请号：CN202010999796.1

申请日：2020-09-22

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 高亮 ,  唐江 ,  刘宇轩 ,  刘沛林 ,  刘婧 ,  史泰龙 ,  陈龙 ,  吴桐

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/032 ,  H01L31/18

Abstract: 本申请公开了一种量子点吸光层以及制备方法、应用。所述量子点吸光层包括量子点，所述量子点为经改性组分修饰的胶体量子点；所述改性组分包括金属元素Sn和卤化铅配体；所述胶体量子点包括PbS、PbSe中的至少一种。该量子点吸光层中含有经金属元素Sn和卤化铅配体修饰的胶体量子点，并且协同制备过程中的熟化处理，大大降低了量子点的表面缺陷，提高载流子的迁移率，从而降低探测器件的暗电流噪声，提高探测性能。

公开(公告)号：CN112521943A

公开(公告)日：2021-03-19

申请号：CN202010999795.7

申请日：2020-09-22

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 高亮 ,  唐江 ,  刘宇轩 ,  刘沛林 ,  刘婧 ,  史泰龙 ,  陈龙 ,  吴桐

IPC: C09K11/66 ,  C09K11/02

Abstract: 本申请公开了一种量子点材料以及制备方法、应用。所述量子点材料为经改性组分修饰的胶体量子点；所述改性组分包括金属元素Sn和卤化铅配体。该量子点材料通过引入金属Sn元素，与卤化铅配体共同修饰胶体量子点，从而降低了量子点材料的表面缺陷，提高载流子的迁移率，从而降低探测器件的暗电流噪声，提高探测性能。