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公开(公告)号：CN110071047B
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN201910351236.2
申请日：2019-04-28
Applicant: 北京航天控制仪器研究所
Abstract: 一种微系统集成应用的硅基转接板制作方法，涉及先进封装技术领域；步骤一、制作第一玻璃片第一层布线；步骤二、制作第二玻璃片第一层布线；步骤三、制作第一空气隔离槽；步骤四、将第一玻璃片放在低阻硅晶圆上表面，实现键合；步骤五、制作第二空气隔离槽；步骤六、制作垂直互连结构和第三空气隔离槽；步骤七、将第二玻璃片与低阻硅晶圆下表面键合；步骤八、将第一玻璃片和第二玻璃片的厚度减薄；步骤九、制作第一接触窗口和第二接触窗口；步骤十、制作硅基转接板上表面第二布线层和下表面第二布线层；步骤十一、将外部芯片对接；本发明实现了多种功能、多种种类芯片的双面组装集成，可以实现多芯片三维封装及2.5D/3D微系统集成。
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公开(公告)号：CN108519498B
公开(公告)日：2020-09-18
申请号：CN201810189872.5
申请日：2018-03-08
Applicant: 北京航天控制仪器研究所
IPC: G01P15/097
Abstract: 本发明公开了一种谐振加速度计的自适应闭环测量系统，频率控制采用自适应控制的锁相环结构，可根据外界加速度的变化自动选择环路滤波器的控制方式，解决了现有技术中电路参数固定，无法自适应调节的问题，有效克服了锁相环路响应速度和稳态相差之间的矛盾，进而有效提升加速度计的量程、标度因数线性度和零偏稳定性。同时，实现结构简单，无需复杂算法，具有简单高效、适应性强的优点。其中的PI控制单元采用增量式算法，是对传统的位置式PI算法的改进，可获得更好的控制效果，有助于提升系统的稳定性；幅值控制模块采用交流自动增益控制方法，模块中采用简单有效的幅值解调方法，节省了硬件资源，并可在较大范围内调节驱动信号幅值。
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公开(公告)号：CN110927094A
公开(公告)日：2020-03-27
申请号：CN201911161561.9
申请日：2019-11-20
Applicant: 华中科技大学 , 北京航天控制仪器研究所
IPC: G01N21/3504
Abstract: 本发明公开了一种微型化全集成NDIR气体传感器及其制备方法，属于红外气体传感器技术领域。该传感器包括光电探测器、MEMS红外光源、上层硅片、下层衬底和信号处理ASIC芯片；所述上层硅片和下层衬底键合形成气室，气室内蒸镀有反射层，硅片键合面上分布有气体扩散槽；所述光电探测器、MEMS红外光源和信号处理ASIC芯片设于所述气室上部，在所述上层硅片上开设有分别对准所述光电探测器和MEMS红外光源的光电探测器窗口和红外光源窗口，MEMS红外光源发出的光从红外光源窗口入射至所述反射层，发生多次反射后进入光电探测器。本发明利用MEMS工艺实现了NDIR气体传感器的进一步微型化、全集成，并提高了灵敏度。
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公开(公告)号：CN110071047A
公开(公告)日：2019-07-30
申请号：CN201910351236.2
申请日：2019-04-28
Applicant: 北京航天控制仪器研究所
Abstract: 一种微系统集成应用的硅基转接板制作方法，涉及先进封装技术领域；步骤一、制作第一玻璃片第一层布线；步骤二、制作第二玻璃片第一层布线；步骤三、制作第一空气隔离槽；步骤四、将第一玻璃片放在低阻硅晶圆上表面，实现键合；步骤五、制作第二空气隔离槽；步骤六、制作垂直互连结构和第三空气隔离槽；步骤七、将第二玻璃片与低阻硅晶圆下表面键合；步骤八、将第一玻璃片和第二玻璃片的厚度减薄；步骤九、制作第一接触窗口和第二接触窗口；步骤十、制作硅基转接板上表面第二布线层和下表面第二布线层；步骤十一、将外部芯片对接；本发明实现了多种功能、多种种类芯片的双面组装集成，可以实现多芯片三维封装及2.5D/3D微系统集成。
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公开(公告)号：CN108199617B
公开(公告)日：2019-07-12
申请号：CN201711387843.1
申请日：2017-12-20
Applicant: 北京航天控制仪器研究所
Abstract: 本发明公开了一种基于MEMS技术的横向振动能量采集器件。其包括静电采集单元和压电采集单元，两者不是单纯物理上的叠加而是进行了深度耦合。压电能量采集单元为静电能量采集单元提供其工作所必须的初始静电电荷从而使其摆脱了电池的束缚，从而实现了无源化。静电能量采集单元为MEMS可变电容，在振动过程中MEMS可变电容发生交变，同时压电体产生的电荷也发生交变，两者通过合理的电连接和电学通断控制能够更加有效的将压电电荷抽取到MEMS可变电容上，并经过MEMS可变电容升压更加有效的给储能电容充电。本发明还提供了一种基于MEMS技术的横向振动能量采集器件的加工方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109065498A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201810778947.3
申请日：2018-07-16
Applicant: 北京航天控制仪器研究所
IPC: H01L21/768 , H01L23/48
Abstract: 一种三维系统封装集成应用的硅转接板制作方法，涉及先进封装技术领域；包括如下步骤：步骤(一)、将第一玻璃片和低阻硅晶圆阳极键合；步骤(二)、获得低阻硅柱；去除低阻硅晶圆下表面的介质层掩膜；步骤(三)、对第二玻璃片和低阻硅晶圆阳极键合；步骤(四)、将第一玻璃片和第二玻璃片减厚；步骤(五)、制备复合金属层并进行图形化刻蚀；步骤(六)、制备电学互连引线窗口和焊点接触窗口；步骤(七)、制备第一布线层和第二布线层；步骤(八)、制备电镀工艺获得微凸点；本发明具有高强度和低应力的特性，实现了多尺寸芯片三维封装及2.5D/3D微系统集成。
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公开(公告)号：CN105259371B
公开(公告)日：2018-08-31
申请号：CN201510680654.8
申请日：2015-10-19
Applicant: 北京航天控制仪器研究所
IPC: G01P15/097
Abstract: 一种新型硅微谐振加速度计的惯性力放大机构，由两种形式的单级杠杆放大机构组合而成。两级杠杆放大机构分别由杠杆输入梁、杠杆臂、杠杆支点梁和杠杆输出梁组成。第一级杠杆放大机构通过第一级杠杆输入梁与质量块相连，惯性力通过第一级杠杆输入梁施加到刚性杠杆臂上并进行放大。通过具有一定柔性的第一级杠杆支点梁和第一级杠杆输出梁将放大后的惯性力传递到第二级杠杆放大机构上。同样，第二级杠杆放大机构对惯性力进行再次放大后，通过二级杠杆输出梁将最终放大的惯性力施加到谐振器上。本发明通过单级杠杆的有效组合和梁的柔性设计，可有效隔离工作模态和干扰模态，实现惯性力的高效放大，提高加速度计的标度因数和整体性能。
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公开(公告)号：CN105258689B
公开(公告)日：2018-08-21
申请号：CN201510680007.7
申请日：2015-10-19
Applicant: 北京航天控制仪器研究所
IPC: G01C19/5776
Abstract: 本发明一种数字陀螺仪信号控制处理系统，包括驱动模块控制环路L1和检测模态控制环路L2。本发明采用的相关欠采样技术采用振动式陀螺仪驱动信号频率作为基准，采用正交的采样信号，在每个驱动信号周期里对振动式陀螺仪驱动信号和检测信号进行重采样，并通过CIC梳状滤波器输出驱动振动的幅度信号和频率失配信号以及检测振动的角速度信息和正交误差信息。本发明的相关欠采样算法无需进行乘法即能提取调制信号的幅度和相位信息，具有简单高效的特点。本发明提出的数字陀螺仪信号控制处理系统及相关欠采样技术，适合振动式哥氏陀螺仪。
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公开(公告)号：CN108083226A
公开(公告)日：2018-05-29
申请号：CN201711268166.1
申请日：2017-12-05
Applicant: 北京航天控制仪器研究所
Abstract: 一种MEMS器件圆片级真空封装方法，步骤如下：(1)根据MEMS器件待引出的电极数量在低阻硅晶圆上刻蚀绝缘子的拓扑结构，单个拓扑结构中间的低阻硅用于MEMS器件的电学信号引出，记为低阻硅柱；(2)将上述拓扑结构氧化得到氧化硅结构，并填充拓扑结构之间的孔隙，得到无孔洞绝缘子结构；(3)在低阻硅晶圆上的低阻硅柱键合面形成焊点接触电极，并在低阻硅晶圆上与MEMS器件外围对应的位置形成真空封装焊料环；(4)将步骤(3)处理后的低阻硅晶圆与MEMS器件进行键合，实现MEMS器件的锚点与焊点接触电极的电学连接，并实现MEMS器件的真空封装；(5)低阻硅柱的非键合面形成压焊电极；(6)通过光刻、刻蚀工艺实现低阻硅柱的电学隔离。
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公开(公告)号：CN105259371A
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201510680654.8
申请日：2015-10-19
Applicant: 北京航天控制仪器研究所
IPC: G01P15/097
Abstract: 一种新型硅微谐振加速度计的惯性力放大机构，由两种形式的单级杠杆放大机构组合而成。两级杠杆放大机构分别由杠杆输入梁、杠杆臂、杠杆支点梁和杠杆输出梁组成。第一级杠杆放大机构通过第一级杠杆输入梁与质量块相连，惯性力通过第一级杠杆输入梁施加到刚性杠杆臂上并进行放大。通过具有一定柔性的第一级杠杆支点梁和第一级杠杆输出梁将放大后的惯性力传递到第二级杠杆放大机构上。同样，第二级杠杆放大机构对惯性力进行再次放大后，通过二级杠杆输出梁将最终放大的惯性力施加到谐振器上。本发明通过单级杠杆的有效组合和梁的柔性设计，可有效隔离工作模态和干扰模态，实现惯性力的高效放大，提高加速度计的标度因数和整体性能。
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