一种粉末不锈钢的强化烧结方法

    公开(公告)号:CN1215186C

    公开(公告)日:2005-08-17

    申请号:CN03146212.X

    申请日:2003-07-04

    Abstract: 本发明提供了一种粉末316L不锈钢的强化烧结方法,其特征在于:在产品中加入适量、成分合理的烧结活化剂Cu3P或Fe-Mo-B,并制定合理的烧结工艺。活化剂为Cu3P:2~8wt%或Fe-Mo-B:2~8wt%;Cu3P中P含量为13~14%,Fe-Mo-B中Mo含量为30~55%,B含量为2~5%,将烧结活化剂预混到316L不锈钢粉中,用球磨机混料。烧结温度为1200~1350℃,从室温经55~60分钟升温到500℃,保温30~40分钟后继续升温,在110~130分钟后升温到烧结温度,保温85~95分钟,然后开始降温,经55~65分钟降温到800℃,然后随炉冷却到室温。本发明的优点在于:活化剂添加量少,改善热塑性和热加工性,适合实际生产。

    一种粉末冶金静电模壁润滑装置

    公开(公告)号:CN1493418A

    公开(公告)日:2004-05-05

    申请号:CN03146264.2

    申请日:2003-07-07

    Abstract: 本发明提供了一种粉末冶金静电模壁润滑装置,其特征在于:由通用压缩空气气源及高压静电发生器(1)、气流控制系统(2)、蓄粉装置、喷粉系统、蓄粉筒柜(3)、输粉软管(7)、循环软管(8)、喷粉软管(9)组成,各接口由软管相连。本发明的优点在于:用电晕放电方式是该新型静电模壁润滑装置的创新点。电晕放电能使任一种润滑粉带上静电荷,这对润滑剂的选择有较大的灵活性,以及润滑粉的带电量能较好的掌控。容易维护,也能较好的控制润滑粉的出粉量。适用于粉末冶金静电模壁的润滑,也可以用于金属加工及新材料领域其他器具的润滑。

    金属陶瓷制造技术
    24.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1046317C

    公开(公告)日:1999-11-10

    申请号:CN92114875.5

    申请日:1992-12-31

    Abstract: 本发明涉及一种金属陶瓷制造技术,特征在于采用自蔓燃高温合成法(SHS),利用化学反应自身放热来合成Al2O3和TiC,同时加入铁族元素(Fe、Co、Ni)和第ⅥB族金属元素(Cr、Mo、W),通过SHS合成-热压或SHS合成-粉碎-热压或SHS合成-粉碎-成型-烧结工艺,制备韧性好强度高、组织均匀而成本低的Al2O3-TiC基金属陶瓷,硬度Hv18.0~20.0GPa,抗弯强度600~850MPa,断裂韧性KIC4.5~6.0MPa·m1/2。加工淬火钢,刀具寿命比传统热压Al2O3-TiC基刀具长2~3倍。

    一种用镁矿石粉制备磷酸镁水泥净浆的方法

    公开(公告)号:CN113562998A

    公开(公告)日:2021-10-29

    申请号:CN202110977248.3

    申请日:2021-08-24

    Abstract: 本发明涉及一种用镁矿石制备磷酸镁水泥净浆的方法。本发明选择镁石粉、菱镁粉、苦土粉,低氧化镁含量的重质重烧和轻烧的熟料,作为主要镁矿石粉原料;轻烧氧化镁粉(93%)或粉煤灰作为辅助原料。本发明将一种主要镁矿石粉原料与一种辅助原料组合使用,并加入磷酸、自来水、水泥外加剂。本发明制备方法包括如下步骤:取粉‑配酸‑配水‑中和‑搅拌‑胶凝。本发明方法可大幅度降低磷镁水泥的制作成本,推动磷镁水泥的大范围、大规模民用。

    一种高致密纳米晶铝合金及其制备方法

    公开(公告)号:CN101942620B

    公开(公告)日:2012-07-11

    申请号:CN201010298603.6

    申请日:2010-09-29

    Abstract: 一种高致密纳米晶铝合金及其制备方法,属于金属材料领域。合金组成为:Ni:2~8%,Cu:1~3%,Y:1~3%,RE:5~12%,其余为Al。制备时通过把合金熔体采用雾化喷枪雾化成微细液滴,液滴溅射在反向旋转的双铜辊辊缝和辊面上,被轧制成尺寸细小的片状粉末,双辊的转速为30~55m/s;然后把得到的片状粉末过150目筛网,取能过筛的粉末进行室温轴向钢模压制;再把得到的压坯放入到铜质包套内,抽真空<10-2Pa,加热到220~350℃保温2h,随后将包套放入预热200~250℃的钢模中压制;最后把压坯挤压成棒材,得到平均晶粒尺寸小于100nm的高致密纳米晶铝合金。本发明提高了双辊甩带的冷却速度,得到了尺寸更加细小的合金粉末;与低温球磨法相比,获得细小粉末的时间大大缩短,从而降低了生产成本。

    在柔性基底上制备致密铜铟硒薄膜的方法

    公开(公告)号:CN101250731B

    公开(公告)日:2010-07-28

    申请号:CN200810102921.3

    申请日:2008-03-28

    Abstract: 一种在柔性基底上制备致密CuInSe2薄膜的方法,属于光伏电池技术领域。其特征在于,采用恒电流共沉积法在金属钛薄片或者不锈钢薄片制备Cu-In合金预制膜,将Cu-In合金预制膜在硒蒸汽中硒化,硒化处理温度为250~300℃,保温时间30~40min,得到符合化学计量比的CIS薄膜;对CIS薄膜进行压制,一种是在室温下压制,压强为150~200MPa,另一种是将模具和试样共同加热到40~60℃再进行压制,压强为300~600MPa;压制后的CIS薄膜进行热处理,热处理温度为400~500℃,保温时间为30~60min,最终得到致密、表面平滑的CIS薄膜。与常用的镀钼玻璃相比成本低廉,而且是一种方便实用的柔性衬底;整个过程都在无毒的条件下进行,操作简单易行,适合实际生产。

    一种用于制备高密度粉末冶金零件的设备

    公开(公告)号:CN101590526A

    公开(公告)日:2009-12-02

    申请号:CN200910087651.8

    申请日:2009-06-30

    Abstract: 一种用于制备高密度粉末冶金零件的设备,属于粉末冶金技术领域。该设备包括:冲击单元(1)、侧板(2)、底座、(3)、模架(4)、液压系统(5)、模壁润滑装置(6)、模壁润滑系统(7)、控制系统(8)。本发明的优点在于将高速压制设备与静电模壁润滑装置相结合,实现了在高速压制过程中进行自动模壁润滑而粉末内不添加润滑剂来制备高密度粉末冶金零件(密度高于7.4g/cm3),保证产品精度,减少产品收缩,减少环境污染,降低了粉末冶金零件的生产成本。同时,该设备各步骤的运行和配合均由可编程控制器(PLC)进行控制,可实现自动化生产。

    一种制备Cu2ZnSnS4半导体薄膜太阳能电池吸收层的工艺

    公开(公告)号:CN100511729C

    公开(公告)日:2009-07-08

    申请号:CN200710064995.8

    申请日:2007-03-30

    CPC classification number: Y02P70/521

    Abstract: 一种制备Cu2ZnSnS4半导体薄膜太阳能电池的工艺,属于光伏电池技术领域。按照化学计量比Cu∶Zn∶Sn=1.6-1.7∶1∶1混合化学纯度的Cu粒、Zn粒、Sn粒,压制成直径10mm,高15mm的圆柱压坯压坯,封存在真空度10-4~10-3Pa的石英管中,通过感应熔炼使之形成合金锭。采用甩带工艺制成厚度15~30μm,宽度5~8mm的脆性合金薄带。再将薄带混合硫粉球磨48~96小时形成黑色的浆料,将浆料涂敷在钼基体或玻璃基体上,干燥后在氢气或者氮气气氛中热处理。优点在于:采用熔炼合金的方法,避免了元素的损失,确保了严格的化学计量比。相比于其他硫化方法,更易于形成均匀的吸收层,并且无需硫气氛,操作简单。

Patent Agency Ranking