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公开(公告)号：CN100466305C
公开(公告)日：2009-03-04
申请号：CN200710177914.5
申请日：2007-11-22
Applicant: 北京科技大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种制备CuInSe2薄膜太阳能电池富In光吸收层的方法，涉及半导体CuInSe2薄膜的制备。本方法采用采用涂敷-烧结工艺，选用Cu-In合金、硒化铟和Se粉作为原料，按照Cu∶In∶Se＝1∶1.1～1.25∶2～2.2的摩尔比混合Cu-In合金、硒化铟和Se粉，球磨混合物36～72小时，形成黑色的前驱体浆料；将浆料涂敷在金属钼箔或者金属钛箔基体上形成前驱体薄膜，低温干燥；对干燥后前驱体薄膜施加10～300MPa的压强使其致密，然后在H2气氛或N2气氛或真空中热处理。本方法可以精确控制前驱体薄膜中的化学成分，确保富In的CuInSe2半导体薄膜太阳电池光吸收层的制备，更易于形成成分均匀、结构致密、表面平整的吸收层，并且烧结是在无毒的气氛中进行，操作上安全实用。
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公开(公告)号：CN101159298A
公开(公告)日：2008-04-09
申请号：CN200710177914.5
申请日：2007-11-22
Applicant: 北京科技大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种制备CuInSe2薄膜太阳能电池富In光吸收层的方法，涉及半导体CuInSe2薄膜的制备。本方法采用涂敷－烧结工艺，选用Cu－In合金、硒化铟和Se粉作为原料，按照Cu∶In∶Se＝1∶1.1～1.25∶2～2.2的摩尔比混合Cu－In合金、硒化铟和Se粉，球磨混合物36～72小时，形成黑色的前驱体浆料；将浆料涂敷在金属钼箔或者金属钛箔基体上形成前驱体薄膜，低温干燥；对干燥后前驱体薄膜施加10～300MPa的压强使其致密，然后在H2气氛或N2气氛或真空中热处理。本方法可以精确控制前驱体薄膜中的化学成分，确保富In的CuInSe2半导体薄膜太阳电池光吸收层的制备，更易于形成成分均匀、结构致密、表面平整的吸收层，并且烧结是在无毒的气氛中进行，操作上安全实用。
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公开(公告)号：CN101250731B
公开(公告)日：2010-07-28
申请号：CN200810102921.3
申请日：2008-03-28
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种在柔性基底上制备致密CuInSe2薄膜的方法，属于光伏电池技术领域。其特征在于，采用恒电流共沉积法在金属钛薄片或者不锈钢薄片制备Cu-In合金预制膜，将Cu-In合金预制膜在硒蒸汽中硒化，硒化处理温度为250～300℃，保温时间30～40min，得到符合化学计量比的CIS薄膜；对CIS薄膜进行压制，一种是在室温下压制，压强为150～200MPa，另一种是将模具和试样共同加热到40～60℃再进行压制，压强为300～600MPa；压制后的CIS薄膜进行热处理，热处理温度为400～500℃，保温时间为30～60min，最终得到致密、表面平滑的CIS薄膜。与常用的镀钼玻璃相比成本低廉，而且是一种方便实用的柔性衬底；整个过程都在无毒的条件下进行，操作简单易行，适合实际生产。
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公开(公告)号：CN101250731A
公开(公告)日：2008-08-27
申请号：CN200810102921.3
申请日：2008-03-28
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种在柔性基底上制备致密CuInSe2薄膜的方法，属于光伏电池技术领域。其特征在于，采用恒电流共沉积法在金属钛薄片或者不锈钢薄片制备Cu－In合金预制膜，将Cu－In合金预制膜在硒蒸汽中硒化，硒化处理温度为250～300℃，保温时间30～40min，得到符合化学计量比的CIS薄膜；对CIS薄膜进行压制，一种是在室温下压制，压强为150～200MPa，另一种是将模具和试样共同加热到40～60℃再进行压制，压强为300～600MPa；压制后的CIS薄膜进行热处理，热处理温度为400～500℃，保温时间为30～60min，最终得到致密、表面平滑的CIS薄膜。与常用的镀钼玻璃相比成本低廉，而且是一种方便实用的柔性衬底；整个过程都在无毒的条件下进行，操作简单易行，适合实际生产。
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公开(公告)号：CN101150151A
公开(公告)日：2008-03-26
申请号：CN200710177028.2
申请日：2007-11-08
Applicant: 北京科技大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种太阳能电池用CuInSe2薄膜的制备方法，属于光伏电池技术领域。采用恒电流超声波分步电沉积法和共沉积法，在金属钼或者镀有一层金属钼薄膜的钠钙玻璃基底上制备了Cu－In合金预制膜，分步电沉积法是通过连续多次超声波电沉积铜层、铟层，形成多层膜，多层膜在H2还原气氛下进行热处理，固相扩散形成合金膜，共沉积法是在基底上共沉积铜、铟，超声波电沉积的同时就形成铜铟合金膜；随后将Cu－In合金预制膜在硒蒸汽中硒化，得到了纯净的CuInSe2单相。与其它工艺方法相比，分步法电沉积时所采用的电解液没有任何有机添加剂以防止有机物的夹杂，更容易控制化学计量比，提高Cu－In合金预制膜的质量，优化电沉积操作条件，更适合实际生产。
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