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公开(公告)号:CN106673656A
公开(公告)日:2017-05-17
申请号:CN201710038816.7
申请日:2017-01-19
Applicant: 北京科技大学
IPC: C04B35/52 , C04B35/573 , C04B35/622
CPC classification number: C04B35/52 , C04B35/573 , C04B35/622 , C04B2235/425 , C04B2235/428 , C04B2235/96 , C04B2235/9607
Abstract: 本发明涉及一种石墨为碳源制备金刚石/碳化硅复合材料的方法,属于金刚石/碳化硅复合材料领域。本发明以硅粉为基体,采用金刚石作为导热源,以石墨为主要的反应碳源,在高温条件下通过碳和硅的相互扩散进行碳硅反应,生成碳化硅,继而得到金刚石/碳化硅的复合材料。首先,将金刚石,石墨和硅粉混合,经过混料机混合,然后烘干、破碎、过筛,制备初始的混合粉料。得到的混合粉料,再通过热压的方式制备具有一定形状和尺寸的金刚石/碳化硅的复合材料。由这种方法得到的金刚石/碳化硅的复合材料,具有较高的热导率和低的热膨胀系数,可用作电子封装中集成电路的基板材料。
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公开(公告)号:CN106583735A
公开(公告)日:2017-04-26
申请号:CN201611195464.8
申请日:2016-12-22
Applicant: 北京科技大学
CPC classification number: B22F5/00 , B22F3/02 , B22F3/1007 , B22F2999/00 , C23C18/38 , B22F2201/20
Abstract: 本发明提供了一种制备具有高体积分数金刚石/铜复合材料零件的方法,采用盐浴镀覆技术在金刚石表面镀覆一层均匀的Mo2C用来改善金刚石与铜的润湿性,然后采用化学镀覆方法继续在Mo2C层表面镀铜,通过控制镀液中Cu2+含量来控制镀铜层厚度,从而制备出含铜体积分数为30~50vol.%的双镀层Cu‑Mo2C‑Diamond粉末。通过超高压冷压方法对Cu‑Mo2C‑Diamond粉末进行成形,并采用真空无压烧结方法制备Diamond/Cu复合材料零部件。本发明的优点在于可直接制备出具有复杂形状的高体积分数(50~70vol.%Diamond/Cu)复合材料零部件,同时,复合材料组织均匀、致密度高,可实现批量生产Diamond/Cu复合材料零件,生产成本低。
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公开(公告)号:CN104451225B
公开(公告)日:2016-08-10
申请号:CN201410677139.X
申请日:2014-11-23
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明提供一种制备双连通结构超合金复合材料的方法,属于高温合金技术领域。工艺流程为:首先采用低温燃烧合成法制备出基体金属氧化物和强化相氧化物的前驱体粉末,然后在氢气中还原后得到镍基ODS合金粉末。同时,把高活性合金元素预先制成中间合金铸锭,经过机械破碎后得到中间合金粉末。将镍基ODS合金粉末和中间合金粉末混合均匀后烧结致密化,通过均匀化处理、固溶处理和时效处理后得到双连通结构镍基超合金复合材料。镍基ODS合金和镍基超合金基体在三维空间相互贯通。该发明制备工艺简单,制造成本低。
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公开(公告)号:CN105177390A
公开(公告)日:2015-12-23
申请号:CN201510543568.2
申请日:2015-08-28
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明涉及一种高强度、高硬度、抗锈性能好的金属陶瓷,包括陶瓷相和粘结合金,陶瓷相是由碳化钨、碳化钛、碳化钒和Mo2C组成,陶瓷的含量为40-60wt%,余量是粘结合金,其组成为Mn:0.8-1.2wt%,Si:0.8-1.2wt%,Cr:15.0-18.0wt%,Ni:3.0-6.0wt%,Cu:3.0-6.0wt%,Nb+Ta:0.4-0.8wt%,C:0.5-0.7wt%,稀土元素≤0.6wt%,杂质≤0.07wt%,其余为Fe。采用粉末冶金方法制备,最后经过固溶强化、低温退火和时效处理得到金属陶瓷复合材料。本发明制备的金属陶瓷硬度高、强度高,同时在潮湿大气、水及溶液等环境中具有较好的抗锈性。
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公开(公告)号:CN104087878B
公开(公告)日:2015-12-09
申请号:CN201410306561.4
申请日:2014-06-30
Applicant: 北京科技大学
IPC: C22C47/10 , C22C47/02 , C22C101/00 , C22C121/00
Abstract: 一种发动机气缸活塞用复合材料的制备方法,属于金属基复合材料领域。先将金刚石微粉、氧化铝纤维、碳化钛纤维增强体粉末以及聚乙烯醇溶液按照体积占比为20~25%,5~10%,5~10%,55~70%的比例混合均匀后进行压制成形得到增强体坯体,坯体在空气中于50~60℃烘干4~5小时后置于熔渗炉石墨模具中进行预热,然后将成分为Al~(10~12)Si%、温度为700~750℃的熔融铝合金倒入石墨模具中进行加压,加压完成后得到金刚石颗粒、氧化铝纤维以及由碳化钛与铝硅合金熔渗过程中原位反应生成的钛硅碳纤维复合增强的铝基复合材料块体,然后按照最终活塞尺寸进行加工得到成品。本发明制备的活塞质量轻、使用过程中尺寸稳定性高、散热性及耐磨性能好,能全面提高气缸工作的稳定性和可靠性。
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公开(公告)号:CN103589894B
公开(公告)日:2015-06-17
申请号:CN201310590655.4
申请日:2013-11-21
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种制备二维散热用鳞片状石墨与金刚石颗粒取向增强铜基复合材料的方法,属于金属基复合材料研究领域。鳞片状石墨具有优异的二维散热性能,金刚石颗粒也具有高的导热率,将二者混合并使得石墨片在X-Y平面取向排列后,再与铜进行熔渗复合可以制备出在X-Y平面具有高导热率的(鳞片状石墨+金刚石颗粒)/Cu复合材料。本发明还在混合鳞片状石墨与金刚石颗粒过程中加入一定粒度和含量的Cr粉末,Cr粉末在后期Cu的熔渗过程中能够固熔到Cu液中,同时富集在金刚石颗粒和石墨片的表面并与金刚石颗粒和石墨片发生界面反应,使得界面由原来的机械结合变为化学冶金结合,从而大大降低界面热阻。本发明所制备的复合材料导热率在X-Y平面导热率超过650W/mK,Z平面导热率超过200W/mK。
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公开(公告)号:CN104451225A
公开(公告)日:2015-03-25
申请号:CN201410677139.X
申请日:2014-11-23
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明提供一种制备双连通结构超合金复合材料的方法,属于高温合金技术领域。工艺流程为:首先采用低温燃烧合成法制备出基体金属氧化物和强化相氧化物的前驱体粉末,然后在氢气中还原后得到镍基ODS合金粉末。同时,把高活性合金元素预先制成中间合金铸锭,经过机械破碎后得到中间合金粉末。将镍基ODS合金粉末和中间合金粉末混合均匀后烧结致密化,通过均匀化处理、固溶处理和时效处理后得到双连通结构镍基超合金复合材料。镍基ODS合金和镍基超合金基体在三维空间相互贯通。该发明制备工艺简单,制造成本低。
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公开(公告)号:CN103924119A
公开(公告)日:2014-07-16
申请号:CN201410163989.8
申请日:2014-04-23
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种高导热石墨鳞片增强铜基复合材料及制备方法,属于高性能电子封装功能材料领域。复合材料由基体铜或铜合金和已镀覆的增强相高导热石墨鳞片两部分组成,其中镀覆后的石墨鳞片的体积分数为20%-80%。材料制备步骤为:首先对石墨鳞片进行表面改性,在石墨鳞片的表面镀上金属钛、铬、钼、钨或者其相关碳化物的镀层;然后将表面改性后的石墨鳞片与金属基体粉末加入到含有粘结剂、塑性剂的溶剂中,混合均匀得到混合浆料,将浆料放入挤制模具中进行定向挤制,随后脱去粘结剂得到预烧结薄片。将薄片层叠后烧结得到复合材料。本发明所制备的复合材料中鳞片增强相与基体结合良好,鳞片在基体中实现定向排列,具有超高的热导率、可控的热膨胀系数以及良好的加工性。
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公开(公告)号:CN103746117A
公开(公告)日:2014-04-23
申请号:CN201410026049.4
申请日:2014-01-21
Applicant: 北京科技大学
CPC classification number: H01M4/366 , C01B25/45 , H01M4/5825 , H01M4/625 , H01M10/0525
Abstract: 本发明发明了一种镁离子掺杂锂离子电池正极磷酸钒/碳材料的制备方法,该方法为水热法,即:以锂源、钒源、磷源、碳源为主要合成原料,少量Mg掺杂,制备出材料的化学式为Li3V2-2x/3Mgx(PO4)3/C,并按照Li、V、Mg、PO4的摩尔比3:2-2x/3:x:3(x=0.15~0.6)的比例进行混合,同时加入适量的碳源及去离子水,搅拌均匀,水热处理,形成黑色前驱体。真空干燥后,研磨,在充满惰性气体的管式炉中高温煅烧,得到Mg掺杂磷酸钒锂/碳复合材料。本方法采用水热法,以液态混溶的形式制备的Mg掺杂磷酸钒锂/碳稳定性好,溶解均匀,颗粒粒径小。该方法制备的复合材料充放电性能优良,具有较高的实际容量,同时具有良好循环稳定性。
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公开(公告)号:CN103659059A
公开(公告)日:2014-03-26
申请号:CN201310681352.3
申请日:2013-12-12
Applicant: 北京科技大学
CPC classification number: B23K35/40 , C22C1/0425
Abstract: 本发明属于电子封装钎焊技术领域,一种通过机械合金化方法制备Ag-Cu-Sn合金粉末再利用合金粉末进行压制及热处理来制备圆环形Ag-Cu-Sn中温钎料的方法。其制备方法是将按照一定质量比称量,以及一定粒度范围的单质Ag、Cu、Sn粉末置于球磨机容器中进行机械合金化处理,然后再将制备好的合金粉末置于特定模具中进行压制成形,最后将成形的坯体在进行热处理得到钎料。本发明工艺简单、成分易于控制、成本低,所制备的Ag-Cu-Sn中温钎料片形状容易控制,熔化区间在450℃-500℃,与镀Ni的基体的润湿性良好,其润湿角小于5°。
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